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SJ 50033.98-1995

基本信息

标准号: SJ 50033.98-1995

中文名称:半导体分立器件2CJ4211、2CJ4212型阶跃恢复二极管详细规范

标准类别:电子行业标准(SJ)

标准状态:现行

出版语种:简体中文

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相关标签: 半导体 分立 器件 恢复 二极管 详细 规范

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SJ 50033.98-1995 半导体分立器件2CJ4211、2CJ4212型阶跃恢复二极管详细规范 SJ50033.98-1995 标准下载解压密码:www.bzxz.net

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标准内容

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/98—95
半导体分立器件
2CJ42112CJ4212型阶跃恢复
二极管详细规范
Semicondutor discrete devicesDetail specification for types 2CJ4211and2CJ4212step recovery diodes1996-06-14发布
1996-10-01实施
中华人民共和国电子工业部
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CJ4211、2CJ4212型阶跃恢复二极管详细规范
Semicondutor discrete devicesDetailspecificationfortypes2CJ4211and2CJ4212 step recovery diodes1范围
1.1主题内容
SJ50033/98-95
本规范规定了2CJ4211、2CJ4212型阶跃恢复二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB6570—86
GIB3385
GJB128-86
GJB1557—92
3要求
3.1详细要求
微波二极管测试方法
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
半导体分立器件微波二极管外形尺寸各项要求应符合GIB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GIB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为铜,表面涂层应为金。中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996-10-01实施
3.2.2器件结构
SJ50033/98-95
N型硅外延材料,台式PIN结构,金属陶瓷管壳封装。3.2.3外形尺寸
外形尺寸按GJB1557的W7—01型,如图1。D
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2CJ4211
2CJ4212
图1外形图
注1)TA>25℃C时按0.20mA/℃线性降额。3.3.2主要电特性(TA=25℃)
2CJ4211
2CJ4212
IR=10μA
最小值
3.4电测试要求
SJ50033/98—95
Ir=10mA
最大值
f=1MHz
最小值最大值
电测试应符合GB6570及本规范的规定。3.5标志
Ig=10mA
Vr=10V
最大值
Iz=5mA
Ig=40mA
最小值
标志应符合GJB33和本规范的规定;在包装袋(盒)上应有器件极性标志。质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对GT和GCT级)
脉宽:
Ip*500mA
最大值
筛选应按GIB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1极限值的器件应予以剔除。
见GJB33表2
2高温寿命
3热冲击
7中间测试
8电老化
9最后测试
4.3.1电老化
试验方法
GJB128
200℃72h
除循环20次外,其余同试验条件F。验
V(BR)、Vr、AV(BR)、AV失效判据同本表最后测试。见4.3.1
1△V(BR)/≤2V;
其他参数:按本规范表1的A2和A4分组TA=100C;f=50Hz;Ipm=10mA;VRM=12V,72h。4.4质量一致性检验
4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。3
4.5检验和试验方法
SJ50033/98-95
检验和试验方法应按本规范相应表的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2 分组
反向击穿电压
正向电压
结电容
A3分组
高温工作
反向击穿电压
低温工作
反向击穿电压
A4分组
阶跃时间
2CJ4211
2CJ4212
少子寿命
检验或试验
B2分组
热冲击(温度循环)
a、细检漏
b、粗检漏
最后测试:
B3分组
稳态工作寿命
最后测试:
GJB128
GB6570
IR=10μA
Ip=10mA
f=1MHz
TA=125C
IR=10uA
TA=-55C
IR=10μA
Ip=10mA
VR=10V
Ig=5mA
Ix=40mA
表2B组检验www.bzxz.net
GJB128
试验条件F—1
试验条件H
试验条件C
见表4步骤1和2
TA=85C
1=340h
f=50Hz
IFM=10mA;
VRM=12V
见表4步骤1和2
LTPD|符
最小值
最大值
极限值
最小值
最大值
检验或试验
B5分组
瞬态热阻抗
B6分组
高温寿命(不工作)
最后测试:
GB6570
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
a、细检漏
b、粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试:
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试:
C4分组
盐气(适用时)
C6分组
稳态工作寿命
最后测试:
GJB128
脉宽:10ms
SJ50033/98-95
续表2
LTPD符
Ip=500mA
TA=175C
t=340h
见表4步骤1和2
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件H
试验条件C
省略预处理
见表4步骤1和2
极限值
最小值
14700m/s(1500g)0.5ms
在X、Y、Z的每个方向冲击5次
196000m/g(20000g)
见表4步骤1和2
TA=85C:f=50Hz;
IFm=10mA;VRM=12V。
见表4步骤1和2
最大值
入=10
击穿电压变化量
正向电压变化量
SJ50033/98—95
表4B组和C组检验的电测试
GB6570
IR=10μA
Ig=10mA
注:1)对于本试验,超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
说明事项
6.1预定用途
极限值
最小值
最大值
初始值的±20%
符合本规范的器件主要作于2cm波段倍频器脉冲产生和脉冲整形。也可用于移相、限幅、开关等控制电路。
6.2订货文件内容
合同或订单中应载明下列内容:a:本规范的名称和编号;
等级(见1.3.1);
数量:
d需要时,其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时,应在合同或订单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时,典型特性曲线等可在合同或订单中规定。6.4型号对照
本产品相应企业型号为:WY4211、WY4212。附加说明:
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负责起草。本规范主要起草人:吴逵、桂德成、黄玉英。计划项目代号:B31010。
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