SJ 50033.100-1995 半导体分立器件2CJ60型阶跃恢复二极管详细规范 SJ50033.100-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/100-95
半导体分立器件
2CJ60型阶跃恢复二极管
详细规范
SemiconductordiscretedevicesDetail specification for type 2CJ60 step recovery diodes1996-06-14发布
中华人民共和国电子工业部
1996-10-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CJ60型阶跃恢复二极管详细规范Semicondutor discrete devivesDetail specification for type260 step recovery diodes1范围
SJ50033/100-95
1.1主题内容
本规范规定了2CJ60型阶跃恢复二极管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33（半导体分立器件总规范第1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军二级，分别用字母GP和GT表示。2引用文件
GB6570—87
GJB33—85
GJB128-86
GJB1557-92
3要求
3.1详细要求
微波二极管测试方法
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
半导体分立器件微波二极管外形尺寸各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料为无氧铜，引出端表面层应为镀金层。3.2.2器件结构
采用硅外延台面PIN结构，金属陶瓷双插头式管壳封装。3.2.3外形尺寸
中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996-10-01实施
SJ/50033/100-95
外形尺寸按GJB1557的W4一01型，见图1。D
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2CJB60
3.3.2主要电特性（T=25℃）
极限值
IR=10A
Ig=10mA
图1外形图
f=1MHz
-55~125
Ip=10mA
符号寸
W4—01
-55~175
Ip=5mA
VR=10V
IR=40mA
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值直最小值最大值
。3.4电测试要求
电测试符合GB6570及本规范的规定。3.5标志
Z(eh)t
Ip=500mA
脉宽10ms
典型值
器件的标志应按GIB33和本规范的规定，仅在器件瓷管上打印型号和极性符号。4质量保证规定
4.1抽样和检验
SJ/50033/100-95
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定，其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
（见GJB33表2）
3热冲击
5密封
6高温反偏
7中间电参数测试
8电老化
9最后测试
4.4质量一致性检验
测试方法
GJB128
质量致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应表的规定。表1A组检验
GB6570
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
反向击穿电压
正向电压
结电容
A3分组
高温工作
反向击穿电压
低温工作
反向击穿电压
GJB128
IR=10uA
Ig=10mA
f=1MHz
TA=125℃
IR=10μA
TA=-55C
I=10μA
测试和试验
-55150c
10个循环
粗检漏
试验条件C
T=150t48hV=36V
按表1A2分组要求
TA=85Cf=50Hz
IFM=15mAVRM=36V
IV(BR)/≤初始值15%，其它参数按表1A2和A4分组要求
检验或试验
A4分组
阶跃时间
少子寿命
检验或试验
B1分组
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
B6分组
高温寿命（不工作）
最后测试
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力）
引出端强（弯力矩）
粗检漏
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续表1bzxz.net
GB6570
Ir=10A
VR=10V
Ig=5mA
Ig=40mA
表2B组检验
GJB128
-55~150
25个循环
试验条 C
见表4,步骤1、3
TA=85C,IFM=10mA
VRM=36V.f=50MHz
见表4,步骤2、3
340hTA=175C
见表4,步骤2、3
表3C组检验
GJB128
见本规
范附录A
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
见图1
试验条件A
试验条件C
省略予处理
见表4,步骤1、3
按14700m/s（1500g）
检验或试验
变频振动
恒定加速度
最后测试
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
检验或试验
反向击穿电压
反向击穿电压变化量
正向电压
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续表3
GJB128
0.5ms在X、Y方向上各冲击5次
196m/s2(20g）100~2000Hz
在X、Y方向上各4个循环
196000m/s（20000g），在x、Y方向各进行Imin
见表4，步骤1、3
TA=85℃
f=50Hz,IrM=10mA,VRA=36V
见表4,步骤2、3
表4B组和C组最后电测试
GB6570
IR=10μA
IR=10μA
I,=10mA
注：1)对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求按GJB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
AVIBR)
极限值
初始值的±20%
入=10
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。器件在L～C波段及X波段低端用于高次大功率倍频和脉冲整形等。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a，本规范的名称和编号；
b.等级(见1.3.1)；
c。数量；
需要时，其他要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定目的
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附录A
弯力矩试验方法
(补充件）
本试验是为了检验器件引出端和瓷管之间的抗弯力矩能力。设备
弯力矩试验需要专用夹具，固定器件的一端并在另一端悬挂施加弯力矩的重物。A3步骤
将器件的一端固定在支持器上，在另一端沿与轴线垂直方向上加60mN·m的弯力矩，加力矩后支持器在10s内旋转三周。试验后用10倍放大镜检验，发现断裂、松动或电极与瓷管之间相对移动，认为是器件不合格。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部国营第九七O厂起草。本规范主要起草人：沈继昌、张晓春。本规范项目代号：B31008。
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