SJ 50033.103-1996
基本信息
标准号： SJ 50033.103-1996
中文名称：半导体分立器件3DA89型高频功率晶体管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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相关标签： 半导体 分立 器件 高频 功率 晶体管 详细 规范
标准分类号
关联标准
出版信息
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标准简介
SJ 50033.103-1996 半导体分立器件3DA89型高频功率晶体管详细规范
SJ50033.103-1996
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/103—96
半导体分立器件
3DA89型高频功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 3DA89high-frequency power transistor1996-08-30发布
1997.01-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DA89型高频功率晶体管
详细规范
Semiconduclor discrele devicesDetall speriricatiun fnr type 3DAB9high-frequency puwer iransistor1范围
SJ50033/103-96
1.1主题内容
本规范规定了3DA89B.C、L型NPN硅高预功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质垦保证等级进行分类。1.3.1件的等级
按GIJB33半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军级，用字母GP 表示。
2引用文件
1双披型品体管
GB 4587.. -94
GJB33—85
半导体分立舒件总规范
GIB128-B6半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
谷项要求应按GJB33和本规范的规定3.2设计、结构和外形尺寸
器的议计结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出噗材料座为可镍带，引出端表面应镀金。中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1997-01-01实施
TKAONKAca
3.2.2器件结构
采用外延平面型结构。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合1的规定。
3.3最大额定值和主要电待性
3.3.1最大额定值
3DA89B
3DA89C
3DA89 L
I=25±5t
SJ 50033/103-96
注:1)T,>25T时,按 71.4mW/C的速率线性地降额。3.3.2主要电特性（T=25)
yrexus
- 55~ 175
极限值
3DA89 B
3DA89 C
3DA89L
极限個
2DA89 B
3DA89C
Vee=sv
Ic=300mA
最小直
Voe = 20V
最大值
3.4电测试要求
SJ 50033/103-96
V(BRICF)
Vaajaio
,=300mA (B.C),=ImA/(B.C)Ic=1mAe=60mA
最大值
VeE-28V
fa=iGIz
最小值
(L)Ic=10mA / (L)I,-10mA
最小镇
最小值
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
器件的标志应按GB33的规定。
4质量保证规定
抽样和检验
拖样和检验应按GTB33和本规范的规定：4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GJB33的规定。
最小值
V(ER)EBO
Ir-1mA
最小值
Yer=28V
最小镇
(B.C) Vea - 40V
(L) Vcg = 65V
最大值
VrF - 28V
f。=1GHz
最小值
Vee= 20V
Te-200mA
最大值
4.3筛选
筛选应按G)B33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行.超过本规范表1极限值的器件应予影除。
见GJB33的表2
3热坤击
温度循环
4慎定加速度
测试和试验
试验条件：循环20次
- 55C 150
加速度19600m/g
TTKAONKAca-
见 GJB 33 的表 2
5密封
7中间参数测试
8功率老炼
9最后测试
4.4质量一致性检验
SJ50033/103-96
测式和试验
粗检,试验条件 心
漏率≤1000mPa c/：
IBO和PE
功率老炼条件下：
I=70±$t
Vcr 20V
Pu≥8w
按木规范表 1 的 42 分矩
A[cror≤初始值的 00%或
取其较大者：2/≤±20%
质量一致生检验应按GIB33的规定进行。4.4.1 A组检验
A组检验应按GTB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检险
B组捡验应按 GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(4)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3 C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4)要求应按本规范表4的步骤逆行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法按本现范相应的表和下列规定4.5.1脉冲测试
脉测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表 1 A组检验
捡验或试验
A1分组
外观及机试验
A2分组
集电极·基极击穿电压
3DA89L
集电极-发射极穿主压
3DA89 B,C
GJB12B
GB4587
见图1
2.9.2.1发機-基极升路
Tc=lmA
Te-lOmA
附录A
发射极－基吸开路
LTPD符
VBRJCBO
极限值
垃获或试验
3DA89 L
发射极一基极
击穿电压
3DA89 B、C
3DA89L
美电极一披
截止电液
3DA89 B,C
3DA89 L
集电极一发射极
避止电流
策电极一发射极
饱和电压
正向电流传输比
3DA9 B,C
3DA89 L
A3分组
高温工作
集电极-基极截止电流
3DA69 B.C
3DA89 L
低温工作
正可电流传输比
A4分组
输出功率
3DA89B
3DAR9 C.1.
功率增益
3DA69B
3DA89 C,L
A5分组
安全T作文（直流）
试递1
S 50033/103—96
续表1
GB 4587
Fc=1UmA
夷电极－基极
fe=ImA
发金极－基极
VcR-40V
Vca-65V
发射极一基极
Vce=20V
f = 300mA
Iμ=60mA
Ta-125=5C
发射圾一基般严路
.Vea=30v
Vea-45v
Ia= - 55℃
VcF = SV Ic = 300mA
VeE=28V
P-1Wfo-IGiz
Vee=28V
P. = 2W fo= IGHz
Vee=28V
P,=- IW fo- 1GHz
Vus=28V
P,= 2W fG= 1GHz
Te=25r
1=1%单次
VeE= 14V
VBRIEBO
VcE mt
极限值
TTKAONKACa-
试验 2
试验 3
检验或试验
3DA89 B.C
3DA891
最后测试
检验或试验
BI分组
标志剩久性
热神街(温度循环）
粗检漏
最后测试
133 分组
稳态工作寿命
最后测试
高温寿命(非工作状态)
最后测试
SJ50033/103-96
续表1
GB4587
Vee=25V
Ie= 0.43A
Vee = 30V
Vu:-40V
见表4步骤1利3
表2B组检验
GJB 128
受试引出辩数4
低温-55c
试验条伴 F-1
试验条 C
静率 HU0mPaem/s
见表 4步骤1 和 3
Te=70±5c
见表 4 步薪 2 和 4
TA-175℃
见表 4 步骤 2 和 4
极联值
鼠小最大
给验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
引出蹦强度
粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外戏及机械试验
最后测试
C3分组
变频派动
恒定地速度
最后测试
C4 分组
盐气仅供游用)
6分组
稳态工作券命
最后测试
C8分组
GB 4587—85
SI50033/103—96
表3心组检验
CJB128
见图1
试验条件 A
受试引出端数：4
外力5N
时间：103
试验蒸件C
漏率≤1000mPacm/s
见表 4 步骤 1 相 3
加速度19600m/g(2000g)
见表 4 步骤 1 和 3
Tc=70+5℃
Y(E=20V
见表4步翼2和4
VLE=2V
Ic= 200mA
R(ahi-
极银值
最小最大
TTKAONKAca-
集电极－基极
载压电流
3DA89L
巢电极基极
截止电流
3DA489
正向屯流传输比
3DA89L
正向电流传输比
的变化量
S1 50033/103-96
表 4 B组和 C组最后测试
GB4587
发射极－基极开路
Va=40V
VcR -65V
发射极－基极开路
Yan-40y
Yt= 65V
Ie-300imA
Va= sV
1r= 300mA
注：1)本测试超过A组极限值的器件不应接受。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贴存要求
贮存要求应按GJB33的规。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计用和现有的后勤保障压。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：t．本规范的名称及编号：
h。 等级(见 1.3.1);
c．数量：
d需要时,其他要求。
极雅慎
初始直的±25%wwW.bzxz.Net
6.3对引出端材料和涂层以及产品质量不平有待殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。
6.4如需要时，典型特性曲线等可在合同或讨货单中规定。6.5直流安全工作区见图2。
SI50033/103-96
3DA89B
3DA89C
3DA89L
34567891014
202530405060
集汽极一发射极电压Vce(V)
图23DA89的直流安全工作区
TrKAONKAca-
SE50033/103—96
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的国的是为了在规定的条件下，确定品体管的击穿电压是否大于规定的最低被限A2测试电路
集电极一发射极击穿电压测试电路A1
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表菌数作闪空流表压降的校正。A3测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流连晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压达到规定的測试电流。如果在规定的测试也流下所加的电压大于V(sRicEn的最低极限，晶体管为合格。附加说明：
本规范市中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国华品电子集团公司负责起草。本规范主要起草人：谢佩盖、诸培贤、钱锡初。计划项目代号：341010。
YIKAONIKAca-
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SJ 50033/103—96
半导体分立器件
3DA89型高频功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 3DA89high-frequency power transistor1996-08-30发布
1997.01-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DA89型高频功率晶体管
详细规范
Semiconduclor discrele devicesDetall speriricatiun fnr type 3DAB9high-frequency puwer iransistor1范围
SJ50033/103-96
1.1主题内容
本规范规定了3DA89B.C、L型NPN硅高预功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质垦保证等级进行分类。1.3.1件的等级
按GIJB33半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军级，用字母GP 表示。
2引用文件
1双披型品体管
GB 4587.. -94
GJB33—85
半导体分立舒件总规范
GIB128-B6半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
谷项要求应按GJB33和本规范的规定3.2设计、结构和外形尺寸
器的议计结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出噗材料座为可镍带，引出端表面应镀金。中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1997-01-01实施
TKAONKAca
3.2.2器件结构
采用外延平面型结构。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合1的规定。
3.3最大额定值和主要电待性
3.3.1最大额定值
3DA89B
3DA89C
3DA89 L
I=25±5t
SJ 50033/103-96
注:1)T,>25T时,按 71.4mW/C的速率线性地降额。3.3.2主要电特性（T=25)
yrexus
- 55~ 175
极限值
3DA89 B
3DA89 C
3DA89L
极限個
2DA89 B
3DA89C
Vee=sv
Ic=300mA
最小直
Voe = 20V
最大值
3.4电测试要求
SJ 50033/103-96
V(BRICF)
Vaajaio
,=300mA (B.C),=ImA/(B.C)Ic=1mAe=60mA
最大值
VeE-28V
fa=iGIz
最小值
(L)Ic=10mA / (L)I,-10mA
最小镇
最小值
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
器件的标志应按GB33的规定。
4质量保证规定
抽样和检验
拖样和检验应按GTB33和本规范的规定：4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GJB33的规定。
最小值
V(ER)EBO
Ir-1mA
最小值
Yer=28V
最小镇
(B.C) Vea - 40V
(L) Vcg = 65V
最大值
VrF - 28V
f。=1GHz
最小值
Vee= 20V
Te-200mA
最大值
4.3筛选
筛选应按G)B33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行.超过本规范表1极限值的器件应予影除。
见GJB33的表2
3热坤击
温度循环
4慎定加速度
测试和试验
试验条件：循环20次
- 55C 150
加速度19600m/g
TTKAONKAca-
见 GJB 33 的表 2
5密封
7中间参数测试
8功率老炼
9最后测试
4.4质量一致性检验
SJ50033/103-96
测式和试验
粗检,试验条件 心
漏率≤1000mPa c/：
IBO和PE
功率老炼条件下：
I=70±$t
Vcr 20V
Pu≥8w
按木规范表 1 的 42 分矩
A[cror≤初始值的 00%或
取其较大者：2/≤±20%
质量一致生检验应按GIB33的规定进行。4.4.1 A组检验
A组检验应按GTB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检险
B组捡验应按 GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(4)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3 C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4)要求应按本规范表4的步骤逆行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法按本现范相应的表和下列规定4.5.1脉冲测试
脉测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表 1 A组检验
捡验或试验
A1分组
外观及机试验
A2分组
集电极·基极击穿电压
3DA89L
集电极-发射极穿主压
3DA89 B,C
GJB12B
GB4587
见图1
2.9.2.1发機-基极升路
Tc=lmA
Te-lOmA
附录A
发射极－基吸开路
LTPD符
VBRJCBO
极限值
垃获或试验
3DA89 L
发射极一基极
击穿电压
3DA89 B、C
3DA89L
美电极一披
截止电液
3DA89 B,C
3DA89 L
集电极一发射极
避止电流
策电极一发射极
饱和电压
正向电流传输比
3DA9 B,C
3DA89 L
A3分组
高温工作
集电极-基极截止电流
3DA69 B.C
3DA89 L
低温工作
正可电流传输比
A4分组
输出功率
3DA89B
3DAR9 C.1.
功率增益
3DA69B
3DA89 C,L
A5分组
安全T作文（直流）
试递1
S 50033/103—96
续表1
GB 4587
Fc=1UmA
夷电极－基极
fe=ImA
发金极－基极
VcR-40V
Vca-65V
发射极一基极
Vce=20V
f = 300mA
Iμ=60mA
Ta-125=5C
发射圾一基般严路
.Vea=30v
Vea-45v
Ia= - 55℃
VcF = SV Ic = 300mA
VeE=28V
P-1Wfo-IGiz
Vee=28V
P. = 2W fo= IGHz
Vee=28V
P,=- IW fo- 1GHz
Vus=28V
P,= 2W fG= 1GHz
Te=25r
1=1%单次
VeE= 14V
VBRIEBO
VcE mt
极限值
TTKAONKACa-
试验 2
试验 3
检验或试验
3DA89 B.C
3DA891
最后测试
检验或试验
BI分组
标志剩久性
热神街(温度循环）
粗检漏
最后测试
133 分组
稳态工作寿命
最后测试
高温寿命(非工作状态)
最后测试
SJ50033/103-96
续表1
GB4587
Vee=25V
Ie= 0.43A
Vee = 30V
Vu:-40V
见表4步骤1利3
表2B组检验
GJB 128
受试引出辩数4
低温-55c
试验条伴 F-1
试验条 C
静率 HU0mPaem/s
见表 4步骤1 和 3
Te=70±5c
见表 4 步薪 2 和 4
TA-175℃
见表 4 步骤 2 和 4
极联值
鼠小最大
给验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
引出蹦强度
粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外戏及机械试验
最后测试
C3分组
变频派动
恒定地速度
最后测试
C4 分组
盐气仅供游用)
6分组
稳态工作券命
最后测试
C8分组
GB 4587—85
SI50033/103—96
表3心组检验
CJB128
见图1
试验条件 A
受试引出端数：4
外力5N
时间：103
试验蒸件C
漏率≤1000mPacm/s
见表 4 步骤 1 相 3
加速度19600m/g(2000g)
见表 4 步骤 1 和 3
Tc=70+5℃
Y(E=20V
见表4步翼2和4
VLE=2V
Ic= 200mA
R(ahi-
极银值
最小最大
TTKAONKAca-
集电极－基极
载压电流
3DA89L
巢电极基极
截止电流
3DA489
正向屯流传输比
3DA89L
正向电流传输比
的变化量
S1 50033/103-96
表 4 B组和 C组最后测试
GB4587
发射极－基极开路
Va=40V
VcR -65V
发射极－基极开路
Yan-40y
Yt= 65V
Ie-300imA
Va= sV
1r= 300mA
注：1)本测试超过A组极限值的器件不应接受。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贴存要求
贮存要求应按GJB33的规。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计用和现有的后勤保障压。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：t．本规范的名称及编号：
h。 等级(见 1.3.1);
c．数量：
d需要时,其他要求。
极雅慎
初始直的±25%wwW.bzxz.Net
6.3对引出端材料和涂层以及产品质量不平有待殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。
6.4如需要时，典型特性曲线等可在合同或讨货单中规定。6.5直流安全工作区见图2。
SI50033/103-96
3DA89B
3DA89C
3DA89L
34567891014
202530405060
集汽极一发射极电压Vce(V)
图23DA89的直流安全工作区
TrKAONKAca-
SE50033/103—96
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的国的是为了在规定的条件下，确定品体管的击穿电压是否大于规定的最低被限A2测试电路
集电极一发射极击穿电压测试电路A1
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表菌数作闪空流表压降的校正。A3测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流连晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压达到规定的測试电流。如果在规定的测试也流下所加的电压大于V(sRicEn的最低极限，晶体管为合格。附加说明：
本规范市中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国华品电子集团公司负责起草。本规范主要起草人：谢佩盖、诸培贤、钱锡初。计划项目代号：341010。
YIKAONIKAca-
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