SJ 50033.105-1996 半导体分立器件3DK404型功率开关晶体管详细规范 SJ50033.105-1996 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/105-96
半导体分立器件
3DK404型功率开关晶体管
详细规范
SemiconductordiscretedevicesDetail specification for type3DK404 power switching transistor1996-08-30发布
中华人民共和国电子工业部
1997-01-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK404型功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type3DK404powerswitchingtransistor1范围
1.1主题内容
SJ50033/105-96
本规范规定了3DK404型功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33（半导体分立器件总规范>1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
双极型品体管
GB4587--94
GB7581—87
GJB33—85
GJB128-86
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1937-01-01实施
SI50033/105-96
引出端材料应为可伐，引出端表面应为锡层或镍层。3.2.2器件的结构
采用三重扩散平面结构。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581的B2-01B型（见图1)。@o.5@x@z
1基极
2发射极
集电极接外壳
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DK404B
3DK404C
3DK404D
Te=25c
注：1)Tc>25℃时，按0.1W/℃的速率线性地降额。3.3.2主要电特性（TA=25℃）
B2-01B
-55~175
3DK404B
3DK404C
3DK404D
Va=10V
最小值
3.4电测试要求
SJ50033/105-96
VREant
最大值
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GJB33和本规范的规定。4
质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
Im=-Im=0.2A
最大值
R(a)-e
Vce=10V
最大值
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
（见GJ33的表2）
3.热冲击
(温度循环）
7.中间电参数测试
8.功率老炼
9.最后测侧试
4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1A组检验
测试或试验
温度：-55~150℃
次数：20
Icror和hFFi
功牵老炼条件如下：
T,-162.5±12.5℃
VeE=30V
按本规范表1的A2分组
△IcBO1≤初始值的100%或100μA，取较大者。
△hFF初始值的±20%
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。3
4.4.2B组检验
SJ50033/105-96
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定进行。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1.A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极-发射极
击穿电压
3DK404B
3DK404C
3DK404D
发射极-基极
击穿电压
集电极-基极
截止电流
集电极-发射极
截止电流
集电极-发射极
饱和电压
基极-发射极
饱和电压
正向电流传输比
A3分组
高温工作
集电极基极
截止电流
低温工作
正向电流传输比
GJB128
本规范
附录A
2、9、2、2
GB4587
发射极-基极开路
Ic=ImA
集电极-基极开路
Ig=ImA
发射极-基极开路
VcB=Vco
发射极-基极开路
Vap=0.5VVcFo
脉冲法(见451)
Vop=10V
脉冲法（见451)
Ta=125±5C
发射极一基极开路
VcB=0.7VcHO
TA=-55℃
Vor=10V
脉冲法（见451)
V(HR)CEO
V(HR)EHO
极限值
检验或试验
A4分组
输出电容
开通时间
存储时间
下降时间
AS分组
安全工作区
（直流）
试验1
试验2
试验3
3DK404B
3DK404C
3DK404D
最后测试
检验或试验
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可焊性
标志耐久性
B2分组
热冲击
（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试
SJ50033/105-96
续表1
GB4587
Vc=10v
f=1MHz
Ig=-Ig=0.2A
Im=-I=0.2A
IR=-Im=0.2A
T。=25c
VaF=15V
VuF=30V
VcF=400V
Vce=500V
1。=3.0mA
VeF=600V
1。=2.0mA
见表4步骤1和3
表2B组检验
GJB128
低温：55℃
其余为试验条件F-1
试验条件H
试验条件C
见表4步骤1和3
极限值
B3分组
检验或试验
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
（仅对GCT级）
开帽内部目检
（设计核实）
键合强度
B6分组
高温寿命
(非工作状态)
最后测试
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
(玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
SJ50033/105-96
线表2
GJB128
T=162.5±12.5C
Vce=30V
见表4步骤2和4
试验条件A
TA=175℃
见表4步骤2和4
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件B
试验条件A
受试端数：2
加力：20N
试验条件H
试验条件C
见表4步骤1和3
按总规范
按总规范
按总规范
见表4步骤1和3
每批一个
器件/
0失效
20(c=0)
极限值
检验或试验
C4分组
(仅供海用）
盐气（浸蚀）
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
C8分组
GB4587
检验或试验
集电极-基极
截止电流
集电极-基极
截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
变化量
SJ50033/105-96
续表3
GJB128
T=162.5±125C
Vcp=30V
见表4步骤2和4
VcP=10V
25℃≤T75℃
入=10
表4A、B和C组最后测试
GB4587
发射极-基极开路
VeR=VCRO
发射极-基极开路
VcB=VcBO
Vor=10V
脉冲法（见451）
VcF=10V
脉冲法（见451)
注：1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
Aheet)
极限值
极限值
初始值的
±025%
6.1预定用途
SJ50033/105-96
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有后勤保障用。6.2订货要求
合同或订货单应规定下列内容：一本规范的名称和编号；
一等级（见1.3.1)；
数量；
需要时，其它要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，在合同或订货单中规定（见3.2.1）。6.4如需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。6.5直流安全工作区（见图2）。I(A)
Tc=25℃
3DK404B
3DK404B一D直流安全工作区
3DK404C
3DK404D
400..600Vce(V)
A1目的
SJ50033/105-96
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定品体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2
测试电路
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图A1集电极-发射极击穿电压测试电路A3测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流过品体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRCEo的最低极限.晶体管为合格。本测试方法用于表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
环境温度TA；
测试电流Ic。
附加说明：
SJ50033/105-96
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第八七三厂负责起草。本规范主要起草人：邱芬飞、倪天发。计划项目代号：B41008。
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