SJ 50033.105-1996 半导体分立器件3DK404型功率开关晶体管详细规范 SJ50033.105-1996 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/105-96
半导体分立器件
3DK404型功率开关晶体管
详细规范
SemiconductordiscretedevicesDetail specification for type3DK404 power switching transistor1996-08-30发布
中华人民共和国电子工业部
1997-01-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK404型功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type3DK404powerswitchingtransistor1范围
1.1主题内容
SJ50033/105-96
本规范规定了3DK404型功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33（半导体分立器件总规范>1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
双极型品体管
GB4587--94
GB7581—87
GJB33—85
GJB128-86
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1937-01-01实施
SI50033/105-96
引出端材料应为可伐，引出端表面应为锡层或镍层。3.2.2器件的结构
采用三重扩散平面结构。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581的B2-01B型（见图1)。@o.5@x@z
1基极
2发射极
集电极接外壳
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DK404B
3DK404C
3DK404D
Te=25c
注：1)Tc>25℃时，按0.1W/℃的速率线性地降额。3.3.2主要电特性（TA=25℃）
B2-01B
-55~175
3DK404B
3DK404C
3DK404D
Va=10V
最小值
3.4电测试要求
SJ50033/105-96
VREant
最大值
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GJB33和本规范的规定。4
质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
Im=-Im=0.2A
最大值
R(a)-e
Vce=10V
最大值
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
（见GJ33的表2）
3.热冲击
(温度循环）
7.中间电参数测试
8.功率老炼
9.最后测侧试
4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1A组检验
测试或试验
温度：-55~150℃
次数：20
Icror和hFFi
功牵老炼条件如下：
T,-162.5±12.5℃
VeE=30V
按本规范表1的A2分组
△IcBO1≤初始值的100%或100μA，取较大者。
△hFF初始值的±20%
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。3
4.4.2B组检验
SJ50033/105-96
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定进行。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1.A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极-发射极
击穿电压
3DK404B
3DK404C
3DK404D
发射极-基极
击穿电压
集电极-基极
截止电流
集电极-发射极
截止电流
集电极-发射极
饱和电压
基极-发射极
饱和电压
正向电流传输比
A3分组
高温工作
集电极基极
截止电流
低温工作
正向电流传输比
GJB128
本规范
附录A
2、9、2、2
GB4587
发射极-基极开路
Ic=ImA
集电极-基极开路
Ig=ImA
发射极-基极开路
VcB=Vco
发射极-基极开路
Vap=0.5VVcFo
脉冲法(见451)
Vop=10V
脉冲法（见451)
Ta=125±5C
发射极一基极开路
VcB=0.7VcHO
TA=-55℃
Vor=10V
脉冲法（见451)
V(HR)CEO
V(HR)EHO
极限值
检验或试验
A4分组
输出电容
开通时间
存储时间
下降时间wwW.bzxz.Net
AS分组
安全工作区
（直流）
试验1
试验2
试验3
3DK404B
3DK404C
3DK404D
最后测试
检验或试验
BI分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
热冲击
（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试
SJ50033/105-96
续表1
GB4587
Vc=10v
f=1MHz
Ig=-Ig=0.2A
Im=-I=0.2A
IR=-Im=0.2A
T。=25c
VaF=15V
VuF=30V
VcF=400V
Vce=500V
1。=3.0mA
VeF=600V
1。=2.0mA
见表4步骤1和3
表2B组检验
GJB128
低温：55℃
其余为试验条件F-1
试验条件H
试验条件C
见表4步骤1和3
极限值
B3分组
检验或试验
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
（仅对GCT级）
开帽内部目检
（设计核实）
键合强度
B6分组
高温寿命
(非工作状态)
最后测试
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
(玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
SJ50033/105-96
线表2
GJB128
T=162.5±12.5C
Vce=30V
见表4步骤2和4
试验条件A
TA=175℃
见表4步骤2和4
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件B
试验条件A
受试端数：2
加力：20N
试验条件H
试验条件C
见表4步骤1和3
按总规范
按总规范
按总规范
见表4步骤1和3
每批一个
器件/
0失效
20(c=0)
极限值
检验或试验
C4分组
(仅供海用）
盐气（浸蚀）
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
C8分组
GB4587
检验或试验
集电极-基极
截止电流
集电极-基极
截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
变化量
SJ50033/105-96
续表3
GJB128
T=162.5±125C
Vcp=30V
见表4步骤2和4
VcP=10V
25℃≤T75℃
入=10
表4A、B和C组最后测试
GB4587
发射极-基极开路
VeR=VCRO
发射极-基极开路
VcB=VcBO
Vor=10V
脉冲法（见451）
VcF=10V
脉冲法（见451)
注：1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
Aheet)
极限值
极限值
初始值的
±025%
6.1预定用途
SJ50033/105-96
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有后勤保障用。6.2订货要求
合同或订货单应规定下列内容：一本规范的名称和编号；
一等级（见1.3.1)；
数量；
需要时，其它要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，在合同或订货单中规定（见3.2.1）。6.4如需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。6.5直流安全工作区（见图2）。I(A)
Tc=25℃
3DK404B
3DK404B一D直流安全工作区
3DK404C
3DK404D
400..600Vce(V)
A1目的
SJ50033/105-96
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定品体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2
测试电路
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图A1集电极-发射极击穿电压测试电路A3测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流过品体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRCEo的最低极限.晶体管为合格。本测试方法用于表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
环境温度TA；
测试电流Ic。
附加说明：
SJ50033/105-96
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第八七三厂负责起草。本规范主要起草人：邱芬飞、倪天发。计划项目代号：B41008。
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