SJ 50033.111-1996 半导体光电子器件GT16型硅NPN光电晶体管详细规范 SJ50033.111-1996 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/111-96
半导体光电子器件
GT16型硅NPN光电晶体管
详细规范
Semiconductor optoelectronic devicesDelail specification for type GT16Si.NPN phototransistor
1996-08-30发布
1997-01-01实施
中华人民共和国电子工业部
中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器件
GT16型硅NPN光电晶体管详细规范Semiconductor optoelectronic devicesDelail specification for typeGT16Si.NPN phototransistor
1范围
1.1主题内容
SJ50033/111-96
本规范规定了军用GT16型硅NPN光电晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
1.3.1器件型号
器件分为GT16A型和GT16B型。
1.3.2器件等级
按GJB33(半导体分立器件总规范》的规定，提供的质量保证等级为普军级（GP)和特军级(GT)二级。
2引用文件
GB11499—89
GJB33-85
GJB128-86
SJ2214-82
《半导体分立器件文字符号》
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
半导体光敏管测试方法
半导体分立器件和集成电路
SJ/Z9014.2-87
第5部分：光电子器件
3要求
3.1详细要求
各条要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1997-01-01实施
SI50033/111--96
器件的设计、结构应按GJB33和3.5.1、3.5.3、3.5.5和3.5.7以及本规范的规定。管芯结构的NPN型。外形尺寸符合本规范图1的规定。3.2.1芯片材料
芯片材料为桂。
3.2.2外形尺寸及引出端识别（见图1）H
尺寸符号
3.2.3封装形式
单位：mm
尺寸符号
外形尺寸
玻璃透镜/金属同轴式空腔封装（见图1)。3.3引出端材料及涂层
集电极为无氧铜，发射极为可伐，也可按用户要求引出端材料全部为可伐（见6.2)，涂层为镀金。
3.4最大额定值和主要光电特性
3.4.1最大额定值（见表1）
注：1)耗散功率在25~125c间按0.5mW/C线性降额。Temb
-55~125
3.4.2主要光电特性（见表2)（Tamb=25℃，除非另有规定）2
-55~125
光电流
暗电流
暗电流
集电极-发射极
击穿电压
发射极-集电极
击穿电压
集电极-发射极
饱和电压
上升时间
下降时间
Iceo(1)
IcEo(2)
V(RR)CEO
V(RR)ECO
VCE mn)
SJ50033/111-96
Vce=10VEv=1000Lx1)
Vc=10V,Ev=0
Vce=10V.Ev=0,Tmb=125℃
Ic=100A,Ev=0
Ig100μA,Ev=0
IcrH)=0.5mA,Ev=1000Lx
Vce=10V,IcH)=1.0mA,Rg=1kn
Vce=10V,IcH)=1.0mA,R,=1ko
注：光照度由色温T=2855.6K的钨丝灯提供。3.5标志
省略GJB33中关于器件上的标志，其余按GJB33的规定。质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.1.1表4A1分组进行检验和试验的器件可以用于A2、A3、A4分组的检验和试验，通过A组各分组检验和试验的器件，可以作为检验和试验抽样的母体，鉴定试验总样品量（指通过A组检验批的数量)至少应等于抽样数量的1.5倍。4.1.2表5B1分组的检验可采用光电特性不符合3.4.2条要求的器件。4.1.3在做C组检验中的寿命试验时，制造厂有权选择已经过340h的B组寿命试验的样品再进行660h的试验，以满足C组寿命试验1000h的要求。4.1.4表6C1分组进行检验的器件可以用于C2分组的检验和试验。4.2筛选（仅对GT级）
筛选的步骤和条件应按GJB33和本规范表3的规定。3
检验和试验
内部目检
(封帽前）
高温寿命
（不工作）
热冲击
(温度循环）
恒定加速度
a.细检漏
b.粗检漏
高温反偏
中间光电参数
光电流
暗电流
电老化
电后测试
（老化后96h内
完成）
光电流变化量
暗电流变化量
密封(不要求）
外观及机械检验
SJ50033/111-—96
表3筛选的步骤和条件（仅对GT级）GJB128
SJ2214.10
SJ2214.10
放大20倍检验
除最高温度
125℃，循环10次外，其余
按试验条件A
Y1方向，196000m/g
a.试验条件H最大漏率
=5mPa.cm/s
b.试验条件C,氟油，
125℃
试验条件A
Tmb=125C,Vce=10V,
Vce=10V,免费标准bzxz.net
Ev=10001x
VcE=10V,Ev=0
试验条件B
Vce-10V.t=168h
Vc=10V.Ev=10001x
V=10V.Ey=0
AlcrH)
1.0IVD或
以大的为准
外观无缺损
无明显锈蚀
4.3鉴定检验
SJ50033/111—96
鉴定检验按GIB33和本规范表4、表5和表6的规定。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应包括A组（见表4）、B组（见表5）和C组（见表6)中规定的检验和试验，以及下面的规定。
4.4.1C组检验应在初始批时开始进行，然后在生产过程中每隔6个月进行一次。4.4.2如果合同中已作规定（见6.2），制造厂应将质量一致性检验数据连同产品一起提供。4.5检验和试验方法
检验和试验方法按表4、表5、表6和表7的规定，并对稳态工作寿命的试验条件作如下规定：
器件处于额定功率为50mW，VcE=10V的条件下。表4A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
光电流
暗电流
集电极一发射极
击穿电压
发射极一集电极
击穿电压
集电极一发射极
饱和电压
A3分组
暗电流
A4分组
开关时间
上升时间
下降时间
V(RR)CEO
VBRECO
VcE set
IcEx2)
GJB128
SJ2214.10
附录A
Tms=25c
Vce=10V,Ev=1000lx
VcE=10V,Ey=0
Ic=100μA,Ev=0
1=100μA,Ev=0
Ic(H)-0.5mA
Ey=1000lx
VcE=10V,Ev=-0
Tmb=125℃
Vc=10V,Icrm=1.0mA
Ri=1ka
极限值
外观无缺损
无明显锈蚀
检验或试验
BI分组
可焊性
B2分组
热冲击
（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
开帽内部观检
(设计验证)
键合强度
B5分组
(不适用）
B6分组
高温寿命
(不工作）
最后测试
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
（玻璃应力）
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
方法号
方法号
SJ50033/111—96
表5B组检验
GJB128
除最高温度125℃，（极限值）≥10min外，其余按试验条件A—1
a.试验条件H，最大漏率=5mPa.cm/sb.试验条件C,氟油，125℃
表7步骤1
Pm=50mW.Vce=10V,t=340h
表7步骤2
采用封帽前的样品
采用封帽前的样品，强度23mN
Tag=125C,t=340h
表7步骤2
表6C组检验
GJB128
按本规范图1
试验条件A
a.试验条件H.最大漏率=5mPa.cm*/sb.试验条件C,氟油，125c
省略初始条件
外观无缺损，无明显锈蚀
LTPD或n(e)
检验或试验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
（不适用）
C5分组
（不适用）
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
光电流
暗电流
光电流
暗电流
方法号
SJ50033/111—96
续表6
GJB128
表7步骤1
不工作，按14700m/s.0.5ms在Y方向上冲击5次
Y，方向，196000m/s2，1min
表7步骤1
Pat=50mW.VcE=10V,t=1000h
表7步骤2
SJ2214.10
SJ2214.10
B组和C组的测试
VcE-10V,Ey=10001x)
Vcr=10V,Ev=0
Vce=10V,Ev=10001x
VcE=10VEv=0
注：1)光照度由色温T=2855.6K的钨丝灯提供。2)对本试验超过A组极限值的器件不能向用户提供。5包装
包装应按GJB33的规定。
6说明事项
预定用途
入=10
极限值
SJ50033/111---96
可在各种精细组装的军用和民用光电部件和设备中作光电接收器件。6.2
2订货文件内容
a.本规范的名称与编号；
b.器件型号和等级；
数量；
d.检验数据（见4.4.2)；
引出端材料（见3.3)；
f.其它。
定义和符号
本规范使用的定义和符号应按GJB33、GB11499、SJ/Z9014.2和下列规定：TVD：单个器件的初始值。
IcEo(1)：常温下的集电极－发射极暗电流。IcEo(2)：高温下的集电极一发射极暗电流。-8
SJ50033/111--96
附录A
发射极一集电极击穿电压V(BR)ECo的测定（补充件）
本附录的目的是为了在规定反向电流的条件下，确定器件的击穿电压。A2电原理图
遮光罩
A3测试步骤
接入被测器件后，调节恒流源，增大Veco，使Ie达到规定值，电压表上的读数即为所测击穿电压V(ER)ECOO
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由长春市半导体厂负贡起草。本规范主要起草人：盛国祥、孙秉盛、陈计划项目代号：B41012。
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