SJ 50033.116-1997 半导体分立器件 2CK29型硅大电流开关二极管详细规范 SJ50033.116-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/116-97
半导体分立器件
2CK29型硅大电流开关二极管
详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 2CK29silicon large current switeh diode1997-06-17发布免费标准bzxz.net
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CK29型硅大电流开关二极管详细规范Semiconductor discrele devicesDetall specification for type 2CK29silicon large current switch diode1范围
1.1、主题容
SJ 50033/116-97
本规范规定了2CK29型硅大电流开关二极管（以下简称器件）的详要求。1.2适用范菌
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
每种器件按GJB33-85(半导休分立器作总规范>1.3的规定，提供的质谢等级为普军、特年和超特军级三个等级，分别用字母GP、GT、GCT表示。2引用文件
GB4023--86半导体分立器件第二部分：整流二极管GB6571一86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GIB33—85
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
GJB 128--86
3要求
3.1详细要求
各项要求应符合GJB33及本规范的规定。3.2设计和结构
器作的设计和结构应符合GJB33和本规范的规定3.2.1引出端材料和涂层
引山端材料应为可伐，引出端表面镀涂层为镀镍层。对引出端材料和涂层另有要求时，在合同或订货单中应明确规定（见6.2)。中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
ITKAONKAca-
3.2.2器件结构
SJ50033/116-97
器件采用硅外延平面结构，芯片表面采加钝化膜保护，芯片与引出端之间采用超声键合。3.2.3外形尺寸
外形尺寸符合本规范图1的规定。代令
中c.@x@z
>正极
管：负极
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
图1：外形图
B2--01B
2CK29A
2CK29B
2CK29C
2CK29D
Te=100℃
ST50033/116--97
Te- 100℃
tp=10ms
注：1)Tc>100℃时,按 67mA/℃线性降额。3.3.2主要电特性（TA=25℃)
Ir= 5A
最大值
2CK29A
20K29B
2CR29C
2CK29D
3.4电测试要求
Vr- Vrwhy
最大值
Vr=VewM
TA=150C
最大值
最大值
电测试应符合GB4023、GB6571及本规范的相应规定。3.5标志
器件的标志应符合GJB33和本规范的规定。3.5.1极性
器件的引出瓣1和2为正级，筒座为负极。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验符合GJB 33 和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验符合 GJB 33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
-65~175
Ve= 12V
F=1MHz
最大值
- 65~175
Iet= 4A. t - 1s
IM=10mA
最大值
筛选按GJB33表2和本规范的规定进行，共渊试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
TKAONKAa-
(见GJB33表2)
3.热冲击
【温度循环】
在细检痛
b粗检游
7.中何电参数和
(4)参数测试
9.最后测试
11.外观及机械检验
4.3.1老炼条件
老炼条件按如下规定：
T. = 100-n c
f=50Hz正弦半波
I。=5A
t =96h
4.4质量一致性检验
GJB128
方法号
SJ50033/116—97
测试或试验
(GT 和 GCT 级)
除高温150℃，循环20次外，其余同试验条件C试验条件H
试条件C
IR1≤1uA或100%初始值，取较大者试验条件B
IR Ve.Iravt.
AR1mA或100%初始值，取较大者
见附录A
质量一致性检验应按GJB33和本规范的规定进行，由A组、B组和C组检验和试验组成。4.4.1A组检验
A组检验按GJB33和本规范表1规定进行。4.4.2B组拉验
B组检验按GIR33和本规范表2规定逃行。4.4.3C纽检验
C组检验按 GJB 33和本规范表 3规定进行。4.4.4 B组和 C组吡测试
B组和C纽电测试按GJB33和本规范表4规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应接本规范应的表和下列规定进行。4.5.1脉冲测试
脉冲测试条件按如下规定：
脉宽 t,=500μs ±20% ;
占空比：0.10%~0.15%。
4.5.2反向恢复时间测试
SJ 50033/116-97
反向恢复时间测试按如下规定进行。Ip=0.5A,IR.m=1.0A,i.=D.25A；反向恢复时间（tm)是从电流为零的瞬问到反向电流减小到0.25A的时刻之间的时问问隔(见图2所示)。了車
4.5.3浪电流测试
图 2 ±,测试波形
浪电流测试按如下规定进行。
IFSM = 100A, Tc≤100℃
t，=10m5正弦半波
1min1次脉冲,加6次。
表A组检验
检验或试验
AI分组
外观及机检验
A2分组
正向电压
方法号
GIB 128
GB4023
见附录 A
极限值
最小值最大值
TKAOIKAca-
检验或试验
反向电流
A3分组
高工作
反向电流
A4分红
反闯恢发吋间
总电容
A6分组
浪器电流
最后测试，
检验惑试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
[分组
热冲击
(溢度循环）
在细检漏
b粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
方法号
GB6571
方法号
SJ 50033/116-97
续表1
GB4023
（棘冲法）
VR= VRWM
(直流法）
TA=150±2℃
Vx= VrwM
(直流法）
V= 12V
f=1MHz
同A2分组
表2B组检验
GJB128
除高温150℃外，
其余同试验条件C-1
试条作H
试验条件℃
见表4步骤 1 和 2
T。= 100%,c
I。= SA, F= 50Hz
正弦半波，r=340h
见表 4步骤3和 4
极限值
最小值最大值
被限值
最小值
最大值
检验或试验
B4 分组
开帽内部观检
(设计验证)
疑合强度
B5 分组
B6分组
商益寿命
（不工作）
般后测试：
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
(玻璃应力)
引出端强度
a细检据
b粗检漏
综合温度/
湿度周期试验
外观及机械
最后测试：
CS 分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
方法号
GB4023
SJ50033/116--97
续表2
GJB128
试验条件A
[H= 4A, IM= 10mA,
TA=175±5C
1=340h
见4步骤3和4
每批一
个器件
70 失效
20(C=0x
表3C组周期检验（所有质量等级）GJB128
方法号
见图1
试验条件B
试验条件A：加力=20N，
t= 15 ±s
试验条件H
试验条件C
省略预处理
见附录A
见表4步骤1和2
14700m/s2
接规定
98000m/s2
见表4步骤1和2
LTPD符
极限值
最小值最大值
极限值
最小值最大值
TTKAONKAa-
(仗对海用）
CS 分组
低气压
试验期间测试
反向电流
C6 分组
稳态工作筹命
最后测试：
正向电压
反向电流
正向电压
变化趣
反问电流
变化量
方法号
GB4023
SJ50033/116—97
续表3
GJB128
按规定
压力时间测试电压
1x0Pa60sVR=VrwM
Te=100品
Io-5A.f=50Hz正弦半波
1=1000h
见表 4 步骤 3 和 4
表4B组和C组电测试
GB4023
测试方法
Ir= 5A
(咏冲法)
Vr- VawM
(直流法）
【豚冲法）
Vr= VrwM
(直流法）
注：1)本测试中超过 A组检验极限值的器伴不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装娶求符合GJB33的规定。
5.2此存要求
贮存要求应按 GJB 33的规定。
5.3运输要求
LTPD符
极限值
最小值最大值
极限值
最小值
最大值
1uA或100%初始值。
取较大者
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
SJ 50033/116-97
符合本规范的器件供新设备设计使拥和供现有设备的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单中应有下列内容：a，本规范的名称和编号；
b。等级(见1.3.1);
c.数量；
d，需要时.其它要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时,见3.2.1。6.4如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。9
KAONKAca-
SJ 50033/116-—97
附录A
外观及机械捡验要求
(补充件）
A1用5倍双目立体显微镜或放大镜检查。A2外观尺寸符合本规范图1的规定。A3玻璃与金履密封处按GJB128中2074方法3.2.4.5规定进行。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由哈尔滨晶体管厂负贵起草。本规范起草人：吕秀昭、董邑龙、邹秋芝。计划项目代号：B51046。
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