SJ 50033.119-1997 半导体分立器件 CS204型砷化钾微波功率场效应晶体管详细规范 SJ50033.119-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/119—97
半导体分立器件
CS204型砷化镓微波功率
场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type Cs204 GaAsmicrowave power field effect transistor1997-06-17 发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specfication for type CS204 GaAsmierowave power Ileld effeci Transistor1范围
SJ 50033/119-97
1.1 主题内容　
本规范规定了CS204型砷化嫁微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制，生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33~85（半导体分立器件总规范》1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级。分别用字母 GP、GT 和 GCT 表示。2引用文件
GB4586—94场效应晶体管测试方法GJB33—85半导体分立器件总规范GIB128-86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按 GJB 33 和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸接GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和镀层
引出端材料为可伐，引出端表面镀金。3.2.2器件结构
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01批准
TYKAOKAca-
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化嫁N型沟道肖特蒸势垒栅，全离子注人平面结构，金属陶瓷微帮管壳封装。3.2.3外形尺寸
外形尺寸见图 1。
最小值
最大值
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
Te25℃
图1外形尺寸
注：1)T：>25℃时按4.76mW/K线性降额。Ip
- 65 ~ 175
极限值
CS204A
CS204B
主要电特性（T。=25C）
Vpg = 3V.
Ves=ov
最小值
最大值
3.4电测试要求
Vos=3V,
Ip = 50mA
最小值
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Ves =-
Vrs=ov
最大值
最大值
电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5标志
Rrmj -c
I-1mA,
Vh=1V,
=100mg
1m=10ms
最大值
Gp(lab
Vps =7- 10V.
P, = 24dBm(CS204A)
I, 0. 31p P, = 9dBm(CS204B)f = 8GHz
最小值
最小值
器件极性标志按图1识别，器件包装盒上的标志应符合GJB33的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验按GJB 33和本规范的规定。4.3筛选（仅对GT和GCT级）
典型值
筛选应按GJB33裘2和本规范的规定，其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
(见 GJB 33 表 2)
3热冲击
7中间测试
8功率老炼
9最后测试
4.4质量-致性检验
试验方法
GJB128方法
测试和试验
除高温为150℃、循环为20次外，其余同试验条件 C
按本规范表 1 的 A2 分组
TA*25 ±3C.Vps =8.5V.P= 0.6W按本规范表1的A2分组；
AInsg=初始值的±15%；
4Vcsr=初始值的±15%
或0.5V,取大者
Ics5 < 0. 1mA
质量一致性检验应按 GJB33的规定。4.4.1A组捡验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。3
TTKAONKAa-
4.4.3C组检验
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C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法按本规范相应的表和下列规定。4.5.1测试方法
直滇参数测试按GJB4586相应方法或用晶体管图示仪测试，热阻及微波参数测试按本规范附录的规定方法。
表 1 A组检验
GB4586
试验或检验
A1分组
外观及机械检查
A2分组
凝极电流
梅一源截止电压
栅极截止电流
A3分组
高瘟工作
概极费止电流
低温工作
栅－源截止电压
A4分组
1dB墙益压缩输出
1dB增益压缩功率
CS204A
CS204B
GJB128
本规范
附录 A
Vrs = 3V,
Vas = ov
Vrs = 3V
In=10mA
Ves=-sV
Vrs = oV
Ta=125C
Ves #-5V
Vrs = ov,
TA=- 55C
Vrs = 3V,
Ip = 10mA
Vps = 7 ~～ 10V
Ip as 0. SLpss
f - BGHz,
P; = 12dBm
(CS204A),
P, = dBm
(CS204B)
Icss(1)
Icss(2)
Ycsten
Paidey
极限值
检验或试验
BI分组
可焊性
B2 分组
热冲击(温度循环)
细检漏
粗检漏
最后测试
B3 分组
稳态工作寿命
最后测试
B4 分组
开内部目检
(设计核实）
键合强度
B5分组
B6 分组
高锰寿布(不工作）
最后测试
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
细检漏
粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检查
最后测试
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表 2 B组检验
GJB128
除高温为150℃外，其余同试验条件CI试验条件H
试验条件 C
见表 4, 步骤 1,2 和 3
TA =25±3, Vng=8V.
Pu=0, 5W, t = 340h
见表 4,步骤 1,2 和 4
本规范附录见表4.步骤5
TA= 175C,t=340h
见表 4, 步骤 1、2 和 4
表 3 C组检验
GJB128
按图1要求检验
试验条件A
试验条件E
加力:0.83±0.09N
试验条件H
试验条件C
省略预处理，4个循环，前两个
循环进行步骤7
见表 4. 步骤 1,2 和 3
个器件/
0失效
20(C=0)
TTKAONKAa-
检验或试验
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
湖气(适眉时）
CS分组（不适用）
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
开极电流变化查
撕一源截止
电压变化量
翻极截迁电流
橱极截止电筑
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续表3
CJB128
见表 4, 步骤 1、2 和 3
Te=25±3C,Vng=8
P. = 0.5w,t = 1000h
见表4,步骤1、2和4
表4B组和C组检验的瑕后测试
本规范
附录B
Vps = 3V,
Vcs=gv
Vng=3V,
Ip=10mA
Vas- - sV,
Ves=ovwww.bzxz.net
Ves= - 5V,
Vrs= 0V
Im-- lmA.
Th=100ms，
I mn= 10ys,
：1)本测试超过A组检验极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2存要求
贮存要求应按GJB 33的规定。
5.3运输要求
AVastun
(css(1)
less（3)
Rrihil-e
极限值
最小值最大值
初始值的
±30%）
初始值的
±30%1)
运输要求应按GIB33的规定。
说明事项
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6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和现有设备的后勤保障用。6.2订货资料
6.2.1合同或订货单应规定下列内容：a）本规范的名称和编号；
b)等级(见1.3.1)；
c）数量：
d）需要时，其它要求。
6.2.2对引出端材料和镀层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。6.2.3如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3型号对照
本产品企业原用型号为WC93。
KAONKAca-
A1目的
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附录A
场效应晶体管的1分贝增益压缩输出功率，1分贝增益压缩功率增益和功率附加效率的测试方法（补充件）
在规定的条件下测盘场效应晶体管的1分页增益压缩输出功率Par1d)1分贝增益压缩功率增益Grde)和功率附加效率neddoA2测试框图
额率计
激减馨
RF信号
发生器
耦合器
或率计1
输入阻抗
匹配网络
辅入阻抗
匹配网络
图A1场效应晶体管1分贝增益压缩输出功率Pa1aB)、1分贝增益压缩功率增益Gp(laB)和功率附加效率Tnda测试框图A3测试原理
衰减器
功率计2
见图 A1,被测器件的输人功率 P(dBm)和输出功率 P,(dBm),由下述关系式导出:P:= P, ~ LI
P.= Pz+ Lz
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式中：L，和L2—-分别是从A点到B点及C点到D点的电路损耗.dB；Pi-—功率计 1 指示功率,dBmi
P2—功率计2指示功率，dBm
由(A1)式和(A2)式导出功率增益G(dB)：Gμ= Pα- P
功率附加效率：
Nada=Vus×Ip
式中：P—输出功率；W；
P;输功率;W。
44电路说明和要求
隔离器的作用是使加到被测器件上的功率在其输入端阻抗失配时保持恒定。被测器件要装在散热良好的测试夹具中。电路损耗1和L应预先测得，测量L,和L，时，应预先调节输入和输出阻抗匹配网络。
A5测试步骤
将射频信号源的频率调到规定值；将撕一源电压Vca加到接近挪-源截止电压Vcs(动的数值；将一源电压 Vs调到规定值;
改变Vcs使溺极电流In~0.5Ipss;把略低于规定值的输入功率加到被测器件上；调节输入和输出阻抗匹配网络，使功率计指示P，为最大值：将输入功率加大到规笼值，最后调节阻抗匹配网络；改变输入功率，使功率增益G等于线性增益GLin，GLl是在输出功率变化量等于输入功率变化量的区域内測得的功率增益：增加输入功率，直到功率增益下降到比Gim低1分贝，此时測得的输出功率即为1分贝增益压缩输出功率Po(lab)3
1分贝增益压缩功率增益 G(tdu)=Gn-1在规定的输入功率下测量输出功率，并测量对应的漏－源电压和极电流，按（A4）式计算功率附加效率。
ITKAONKAca-
B1目的
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附录B
场效应晶体管热阻的测试方法
(补充件）
测盘场效应晶体管在规定条件下沟道至管壳的热阻 R(cnb)-coB2电路图
B3测试原理
图B1热阻测试电路图
以极开路,施加固定的概正向电流IG时的栅一源正向电压VGsr作为测量场效应晶体管沟道温度的敏感参数。
B3.1确定校准曲线Vcsr=f(T,),见图B2,该曲线上 T;=TA,直线的斜率是栅一源正向电压的温度系数：
图2计算用校准曲线
B3.2将一个国定的功耗加在被测器件上，待热平衡后，测量栅一源正向电压的变化4VcsF，则热阻由下式计算求得：
— 10
B4测试步骤
.1测量α
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R(l)j-e=ax Vps × Ip
将被测器件放在烘箱里，按图B1所示与电路连接，开关断开；(B2)
调节VGG.使栅源正间电流为规定值IM，整个测量过程中IM应保持恒定；建立标准幽线Vcsr=f(T),见图E2。烘箱的温度对应T，记下每温度下的栅-源正向电压；
根据测量值画出直线，按(B1)式算出直线的斜率a。B4.2测量 R rth)i-c
Veasno
图B3热测试的波形
被测器件连接于图B1所示路中，测最过程中应保持管壳温度不变。t=t期间，并关断开；施加规定的测量电流IM，測量栅一源正向电压VGsSH(1);t=t2期间，开关闭合：维持测盘电流「a，施加规定的漏-源加热电压V测量漏极加热电流Iui加热脉冲宽度为t
t=t2期间，开关断开；测量棚-源正向电压Vsr)，确定在加热功率脉冲的终点与VcsF(n测量的完成之间的时间延迟tMp(见图B4);根据测量值,计算热阻R(th)i-eiRtbji-e
I VGsFt - VesF(1
α× Vis× Ip
KAOKAca-
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