SJ 50033.120-1997 半导体分立器件 CS205型砷化钾微波功率场效应晶体管详细规范 SJ50033.120-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/120-- 97
半导体分立器件
CS205型化微波功率
场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type Cs205 GaAsmicrowave power field effect fransistor1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specirication for type Cs2a5 GaAsmicrowave power field effect transistor1范围
SJ50033/120-97
1.1主题内容
本规范规定了CS20S型神化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33-85《半导体分立器件总规范>1.3条的规定，提供的质谢保证等级为普军级、特军级和超特军级。分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4586-94场效应晶体管测试方法GJB33--85半导体分立器件总规范GJB128-86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详缅要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸按GJB33和本规范的规定3.2.1引出端材料和镀层
引出端材料为可伐，引出端表面镀金。3.2.2器件结构
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997.10-01 批准
TYKAOKAca-
SJ50033/120-97
砷化镓N型沟道肖特基势垒栅，全离子注入平面结构，金属陶瓷微带管壳封装。3.2.3外形尺寸
外形尺寸见图1。
最小值
最大值
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
Tc = 25c
图1外形尺寸
注：1)T>25℃时按22.7mW/K线性降额。3.3.2主要电特性（TA=25C）
- 65 ~ 175
CS205A
CS205B
Vrs = 3V,
Ves = oV
Veoarat
Ves = 3V.
Ip = 50mA
SJ 50033/120—97
Ycs -- sv
Vus - oV
最小值
最大值最小值
最大值
3.4电测试要求
最大值
电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5标志
Vh= iV,
Poria)
Ves = 7 10V,
P; = 24dBm(CS205A)
Jp*0.5IssP, =21dBm(CS205B)
tr = 100ms/
t = 10us
最大值
最小值
器件极性标志按图1识别，器件包盒上的标志应符合GIB33的规定。4质量保证规定
4.1抽样和捡验
抽样和检验按GIB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验按 GJB.33和本规范的规定。4.3筛选（仅对GT和GCT级）
最小值
典型值
筛选应按GJB33表2和本规范的规定，其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
(见GJB 33 表 2)
3热冲击
7中问测试
8功率老炼
9最厝测试
Icss<0.5A
4.4质最一致性检验
试验方法
GJB128方法
和试验
除高温为150℃、循环为20次外，其余同试验条件C
按本规范表1的A2分组
Tc = 70 ± 3t. Vps = 8.5V,P = 2.7w按本规范表1的A2分组；
4Irss =初始值的±15% ;
AVcs(=初始值的± 15%
或0.5V,取大者；
Icas < 0.5mA
质量一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A 组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定。4.4.2B组检验
B组捡验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
TYKAOIKAca-
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C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法按本规范相应的表和下列规定。4.5.1测试方法
直流参数测试接GJB4586相应方法或用晶体管图示仪测试，热及微波参数测试按本规范附录的规定方法。
表1A组检验
GB4586
试验或检验
A1分组
外观及机械检查
A2 分组
漏极电流
栅一源截止电压
挪极截止电流
A3分组
高温工作
栅极截止电流
嵌蕴工作
栅一源截止电压
A4分组
1dB增益压端辑出
1dB增益压缩功率
CS205A
CS205B
GJB128
本规范
附录A
Ves=3V
Ip= 50mA
Vcs = - 5V
Vos=0V
TA=125t
Ves = - 5V
Vrs = ov.
Ta = - 55C
VDs = 3V,
Ip = 50mA
Vs = 7 ~ 10V
Jp 0.5Ipss
f= 8GHz,
P, = 24dHm
(CS205A),
P, # 21dBm
(CS205B)
Vestan
Ioss(1)
Icss(2)
Vastuty
极限值
检验或试验
BI分组
可彈性
B2 分组
热冲击(温度循环)
细检漏
粗检漏
最后测试
B3 分组
稳态工作寿命
最后测试
E4 分组
开帽内部目检
（设计核实）
键合强度
B5分组
B6 分组
高温寿命(不工作)
最后测试
检验或试验
C1分组
外形尽寸
C2 分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检查
最后测试
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表2B组检验
GJB128
除高温为150C外，其余同试验条件C1试验条件H
试验条件C
见表 4, 步骤 1、,2 和 3
Te=70+3t, Ves=8V.
Px=2.4W,t=340h
见表 4, 步骤 1、2 和 4
本规范录 E见表 4, 步骤 5
Ia= 175c,t = 340h
见表4，步骤1、2和4
表 3C组检验
GJB128
按图1要求控验
试验条件Abzxz.net
试验条件E
加力：0.83±0.09
试验条件H
试验条件℃
脊略预处理，4个循环,前两个
循环进行步骤7
见表 4, 步骤 1、2 和 3
每批一
个器件/
0失效
20(C=0)
TTKAONKAa-
检验或试验
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4 分组
盐气（适用时）
C5 分组(不适用）
B6 分组
稳态工作寿命
最后測试
爆极电流变化量
栅一源截止
电压变化量
极极截止电流
栅极截比电流
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续表3
GJB128
见表4,步1、2和3
Te=73±3c.Vus=8V
Ptt=2.4W,t=1000b
见表 4, 步骤 1、2 和 4
表4B组和 C级检验的最后测试
GB4586
本规范
附录B
Vrs3V,
Vcs = 0V
V- 3V,
Ip=50mA
Ves- -5V,
Vrs=oV
Vas= 5V,
Vrs=0V
IM=lma,
Vh= 1V,
tH=100mg,
t=10m3，
注;1)本测试超过 A 组检验极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB 33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GIB 33的规定。
5.3运输要求
gss(3)
Rtn)te
极限值
最小值最大值
初始值的
±30%1)
初始值的
±30%1)
运输要求应按GJB 33的规定。
6说明事项
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6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和现有设备的后保障用。6.2订货资料
6.2.1合同或订货单应规定下列内容：a）本规范的名称和编号；
b）等级(见1.3.1);
c）数量；
d）需要时,其它要求。
6.2.2对引出端材料和镀层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。6.2.3如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3型号对照
本产品企业原用型号为C939。
KAONKAca-
Al目的
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附录A
场效应晶体管的1分贝增益压缩输出功率、1分贝增益压缩功率增益和功率附加效率的测试方法(补充件)
在规定的条件下测量场效应品体管的1分贝增益压缩输出功率 Po1H)、1分贝增益压缩功率增益Grdn)和功率附加效率adaA2測试框图
锁率计
衰减器
RF信号
发生器
鹅合器
披事计1
输人阻抗
匹配网络
瓣出懂抗
匹配网络
图A1场效应晶体管1分贝增益压缩输出功率Po1dn)、定
衰减器
功章计2
1分贝增益压缩功率增益Gre(dB)和功率附加效率7ad测试框图A3测试原理
见图Al,被测器件的输人功率P;(dBm)和输出功率P。(dBm),由下述关系式导出：P,=P-LI
P。- Pi+ Li
式中:L,和 L2—分别是从A点到B点及C点到D点的电路损耗,dB;Pi——功率计 1 指示功率,dBm;P2-功率计 2 指示功率,dBm
油(A1)式和(A2)式导出功率增益Gp(dB)：Gp- P。- P:
功率附加效益：
式中;Po—输出功率;W;
P:输入功率;W。
A4电路说明和要求
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ad-Vps× Ip
隔离器的作用是使加到被测器件上的功率在其输人端抗失配时保持恒定。被测器件題装在散热良好的测试夹具中。电路损耗I，和L应预先测得，测量L1和L?时，应预先调节输人和输出阻抗匹配网络。
A5测试步骤
将射频信号源的频率调到规定值：将栅一源电压Vcs加到接近摄一源截止电压Vcs(orn的数值；将漏-源电压Vrs调到规定值；
改变 Vcs,使漏极电流 Ip~0.5Irss 把略低于规定值的输入功率加到被测器件上；调节输入和输出阻抗匹配网络，使功率计指示P，为坡大值：将输入功率加大到规定值，最后调节阻抗匹远配网络；改变输入功率，使功率增益Gr等于线性增益GLin，GLn是在输出功率变化圾等于输入功率变化量的区域内测得的功率增益：增加输入功率，直到功率增益下降到比G低1分贝，此时测得的输出功率地为1分贝增益压缩输出功率Porde);
1分贝增益压缩功率增益G(de)=GLia—1在规定的输人功率下测量输出功率，并测量对应的漏一源电压和滑极电流，按（A4）式计算功率附加效率。
TTTKAONTKAca
B1自的
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附录B
场效应晶体管热阻的测试方法
(补充件）
测量场效应晶体管在规定条件下沟道至管壳的热阻R(hi-c。B2电路图
图B1热随测试电路图
B3测试原理
以漏极开路，施加固定的栅正向电流1c时的栅一源正向电压VGsF作为测量场效应晶体管沟道温度的敏感参数。
B3.1确定校准曲线VGsF=f(T),见图B2,该曲线上T,TA,直线的斜率是栅-源正向电压的温度系数：
图B2计算。用校准曲线
SJ50033/120—97
B3.2将一个固定的功耗加在被测器件上,待热平衡后，测量栅一源正向电压的变化4VcsP，则热阻由下式计算求得：
Rethi-e
B4测试步骤
B4.1 测量 α
@xVns×Ip
将被测器件放在烘箱黑，按图B1所示与电路连按，开关断开；调节VcG使概源正向电流为规定值IM，整个测量过程中IM应保持恒定：(B32)
建立标准曲线VGse*f(Tj),见图B2。烘箱的温度对应 Tj,记下每一温度下的栅一源正向电压：
根据测量值面出直线，按(B1)式算出直线的斜率α。B4.2测盘 R(rb)i-
VGaF(O
图B3热阻测试的波形
被测器件连接于图B1所示电路中，测量过程中应保持管壳温度不变。t二t,期间，开关断开；施加规定的测量电流IM，测量橱一源正向电压VcsF()t=t期间，开关闭合：维持测量电流「M，施加规定的-源加热电压V，测量极加热电流IH加热脉冲宽度为tHi
t=t2期间，开关断开；测量栅-源正向电压VesF(n，确定在加热功率脉冲的终点与VcsF(约测量的完成之间的时间延退Mb见图B4)；根据测量值,计算热阻 Rc)i-e：I Ves(n - VGsF(n!
Rtthlj-e
&×VsIp
KAOKAca-
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