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SJ 50033.122-1997

基本信息

标准号: SJ 50033.122-1997

中文名称:半导体分立器件CS3684~CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范

标准类别:电子行业标准(SJ)

标准状态:现行

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相关标签: 半导体 分立 器件 沟道 结型 场效应 晶体管 详细 规范

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SJ 50033.122-1997 半导体分立器件 CS3684~CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范 SJ50033.122-1997 标准下载解压密码:www.bzxz.net

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标准内容

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/122—97
半导体分立器件
CS3684~CS3687型
硅N沟道结型场效应晶体管
详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type CS3684-- CS3687silicon N-channel junction mode field-effect transistors1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS3684~CS3687型
硅N沟道结型场效应晶体管
详细规范
Semiconductor discrete devicesDetait specification for type CS3684 - CS3687silicot N-channel junction mode field-effect transistors1范围
1.1主题内容
SJ 50033/122-97
本规范规定了CS3684一CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。
1.2适用范鼠
本规范适用于器件的研制、生产和采购1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按照GJB33-85(半导体分立器件总规范)1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB 4586-94
GB 7581—87
GJB 33—85
GJB 128—86
3要求
3.1详细要求
场效应晶体管测试方法
半寻体分支器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
TYKAONKAca-
3.2.1引出端材料和镀涂层
SI50033/122—97
引出端材料应为可伐。引理端表面镀涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端涂层要求选择或另有要求时,在合同或订货单中应明确规定(见6.3)。3.2.2器件结构
采用硅N沟道耗尽型结型结构。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸按GR7581中的A4-01B型及如下规定,见图1。代号
引出端极性:1:S(源极)
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
Pu\(Ta=25t)
2-D(极)
3-栅级)
图1外形尺寸图
注:1)T,>25℃时.按2mW/K的速率线性降额。3.3.2主要电特性(TA25t)
B4—心1B
4-C(壳)
55~200
Vesteny
VAV/VE
TY2isl
3.4电测试要求
SJ50033/122-97
测试条件
Vrs=20V
Vix=20V
fp=InA
Vrs = 10V
Ycs= 0
Vs=10V
Vecs=0
Rg=10Mn
RW=6Hz
f=100Hz
Ves=20V
f=1kHz
电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5标志
标志应符合 GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验符合GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验符台GJB33的规定。
CS3684
CS3685
CS3686
CS3687
CS3684
CS3685
CS3686
CS3687
CS3684
CS3685
C53686
CS3687
C53685
CS3686
CS3687
CS3684
CS3685
CS3686
CS3687
极限值
最小值
最大值
4.3筛选(仅对GT和GCT级)
筛选应按GIB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
TKAONKAa-
(GJB 33 表 2)
1内部日检(封帽前)
2高温寿命(L.IPD)
3热冲击
蕴度循环)
4恒定加速度
5密封
6高温反偏
7中间电参数测试
8老炼
(高温反)
最后测试
10密封
a.继检漏
b.粗检漏
11外观及机械检验
4.4质量一致性检验
试验方法
方法号
GIB128
SJ 50033/122-97
Tstg=200t,t≥24h
除低温应为-55℃,循环20饮,(极限值)>10min外,其余同试验条件C。25℃时不要求有规则的停顿。
Y1方向至少196000m/g【20000g)不采用1分钟,100%保持时间的要求。
不要求
不要求
Icss(1)和 Ipss同 A2 分组
[ Yislru间 A4 分组
试验条件 A
Vrs = - 40V, Vrs =0. TA= 150C.t2168h见本规范表1的A2分组;
Afrs≤初始值的±10%
A/Y2sluu初始值的20%
a.试验条件H漏率≤5×103Pa*cm*/sb.试验条件 C
标志清晰,外观无缺损,涤层无锈蚀。质量一致性检验应按 GJB33 的规定进行。4.4.1 A 组检验
A组检验按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验按GJB33和本规范表2规定进行。最后测试和变化(4)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验按GJB33和本规范表3规定进行。最后测试和变化量(4)要求应按本规范表4步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
SJ50033/122-97
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定进行。表 1A组检验
GB4586
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
榭-源击穿电压
栅极截止电流
零栅压漏极电流
CS3684
CS3685
C53686
CS3687
GJB128
本规范附录AVps=0
a=-1μA
栅-源截止电压W,s
CS3684
CS3685
CS3686
CS3687
静态漏-源
通态电阻
CS3684
CS3685
CS3686
CS3687
A3 分组
高温工作
栅极截止电流
A4分组
小信号共源短路
正向传输跨导
Vaa= -30V
Virs=20V
脉冲法
(见4,5,1)
Vps=20V
Ip-InA
In=1mA
Vcs =- 30V
Vpg20V
Vcs=F=1kH
脉神法
(见4.5.1)
VaER)OS
Icsst1)
Vestafn
rnsi un?
Icsstz)
极限值
最小值
标志清晰,外观
无缺摄,涂层无
锈蚀。
TTKAONKAa-
检验或试验
CS3684
CS3685
CS3686
CS3687
小信号共源短路
输出跨导
CS3684
CS3685
C53686
CS3687
小信号共源短路
输入电容
小信号共源短路
反尴电容
噪声电压
共源点噪声系数I,12
A5和A6分组
不适用
A7分组
低温工作
小信号共源短路Y,10
正向传输跨导
CS3684
CS3685
CS3686
CS3687
SJ50033/122-97
GB4586
Vrs=20V
Ves-( f= IkHz
Vrs - 20, Vcs = 0
f=1kHz
Vrs = 20, Vcs = 0
f=1kHz
Vrs = 10, Ves= 0
f=20Hz
Vrs = 10V, Vcs = t
Rg=10Mn
BW=6Hz
f=100Hz
Ta=-s5r
Vrs = 20V, Vcs = 0
f=1kHz
脉种法
(见4.5.1)
FYaaslu
最小值最大值
检验或试验
BI分组
可焊性
标志耐久性
B2 分组
热冲击
温度循环)
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试
B3 分组
稳态工作寿命
(高温反偏)
最后測试
B4 分组
开帽内部月检
(设计核实)
键合强度
B5 分组
不适用
B6 分组
高温寿命(不工作
最后测试
SJ50033/122-97
表 2 B组检验
GJB128
受试引出数:4
除低温应为-55亡外,其余间试验条件c-1。
乱条件 H,最大漏率为
5× 10-3 Pe*cm'/sc
b.试验条件 C
见表 4, 步骤 1,3 和 4
Vas - 40V, Vis = 0
T=1501=340h
见表 4, 步骤 2、3,4 和 5
目检标准按监定时的设计
试验象件 A,每个器件所有
的内引线分别进行拉力试验。
T,=200℃t=340h
见表 4,步骤 2 和 5
每批一个器件/0失效
20(c= 0)
TTKAONKAa-
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2 分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3 分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
盐气(适用时)
CS分组不适用
C6分组
稳态工作将命
(高温反偏)
最后测试
栅极数止电流
栅极截止电流
零栅压漏极电流
CS3684
CS3685
SJ50033/122-97
表3C组检验下载标准就来标准下载网
GJB128
见图1
试验条件 A
试验条件E
a.试验条件H.最大漏率为5×10-*Pa*cm*/9gb.试验条件 C
省略预处理条件
标志清晰,外观无缺损,涂层无铸蚀。见表 4,步骤 1,3 和 4
不工作,按 14700m/g(1500g)0. 51ms在 X,Y,每个方向上冲击5次
方疯:X,Y,J速度:196000m/3(20000g)t≥lmin
见表4,步桑1、3和4
Ves = - 40V, Vns - 0
TA-150℃=1000h
见表4. 步燥2.3、4和5
表 4 B组和 C组的最后测试
GB4586
Ves=-30V
Vrs = 0
Vcs= ~30V
Vis=20V
less1)
极限值
最小值
最大值
CS3686
CS3687
小信号共源短路
正向传输跨导
CS3684
CS3685
CS3686
CS3687
小信号共源短路
正向传摘跨导
SJ 50033/122-97
续表4
GB4586
Ves = 20V
f=1kHz
Vrs=20V
Ves =o
y=1kHz
Yzus an)
Afr2s1
注:1)对本试验超过A组极限值的器件,不得间用户提供。5交货准备
5.1包装要求
包装要求符合 GJB33的规定。
5.2贮存要求
存要求应按GJB 33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合间或订货单应有下列内容:
本规范的名称和编号:
b.等级(见1.3.1);
c.数量:
d.需要时,其他要求。
极限值
最小值
最大值
≤初始值的25%
6.3对引出端镀涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定(见3.2.1),如使归单位需要时,典型待性曲线等可在合间或订货单中规定。9
TYKAOIKAca-
A1目的
SJ 50033/122—97
附录A
栅-源击穿电压的测试方法
(补充件)
在规定条件下测试场效应管的栅一源击穿电压。A2电路图(见图A1)
A3要遵守的注意事项
A3.1--般注意事项(见GB4586第I章的1.2条);A3.2电压表Vs为高阻电压表。
A4测量步骤
把溺极和源极短路,从零开始逐渐调节栅一源电压V使栅极电流「。为规定值。从电压表 Vcs 上测得 V(BR)GSs。
A5规定紊件
环境湿度Tamb=25℃:
栅极电源IGIuA。
附加说明:
SJ50033/122-97
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第七四六厂起草。本规范主要起草人:玉珍、徐锦仙。计划项目代号:B51007。
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