SJ 50033.123-1997 半导体分立器件 PIN62317型硅PIN大功率二极管详细规范 SJ50033.123-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/123-97
半导体分立器件PIN62317型
硅PIN大功率二极管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for silicanpower PIN diodes for type PIN623171997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件PIN62317型
硅PIN大功率二极管详细规范
Seniconductor discrete deviceDetail specification for silicanpower PIN diodes for type PIN623171范围
1. 1主题内容
SI 50033/123--97
本规范规定了PIN62317型硅PIN大功率二极管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质盘保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33-85《半导体分立器件总规范》第1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级、超特军级，分别用字母GP、GT、GCT表示。2引用文件
GB6570—86微波二极管测试方法GJB33—85半导体分立器件总规范GJB128—86半导体分立器件试验方法GJBI557--92半导体分立器件微波二极管外形尺寸3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料为可战。引出端表面层应为镀金层。3.2.2器件结构
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
YIKAONKAca-
高阻单晶双扩散台面PIN结构。
3.2.3外形尺寸
SJ50033/123-97
外形尺寸应符合 GJB 1557 中 W14-02 的翌求,见图 1。4D
图 1 外形尺寸
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
PIN62317A
P1N62317B
- 55 ~-125
- 55~125
- 65 ~175
- 65 ~175
3.3.2主要电特性(TA=25℃）
P1N62317A
PIN62317B
3.4电测试要求
f= 10kHz
Ig=100mA
最大值
SJ 50033/123-97
Ip=100mA Ir=10mA|F=500nAF=
Vg= 100V
f-IMHz
殿大值
电测试应符合GB6570及本规范的规定。3.5标志
3.5.1标志应符合GJB 33和本规范的规定。在器件瓷管中部打印下列标志
8，器件型号
b．产品保证等极
c，检验批识别代码
4质最保证规定
4. 1抽样和检验按 GJB 33 的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验按GJB 33的规定。
4.3筛选(仅对 GT 和 GCT级)
In=100mA脉宽10ms
典型值
典型值典型值
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
(见 GJB 33表2)
2高寿命
3热冲击
4恒加速度
s密封
6高温茂偏
7中间测试
8电老化
9最后测试
4.4 质量一致性检验
试验方法
GJB128
175℃24h
除高温150℃、循环20次外，其余同试验条件C196000m/g(20000g)xy两个方向各1mina.检试验条件H率5×10-2Pa'cm/sb, 粗检漏试验条件 C
150℃48h额定值Vm的80%
85t f=50Hz IFM=50mA
VRM= 80% VeR) 96h
4rp/r/≤15%
其他参数:按本规范表 1 的 A2 和 A4 分组3
TYKAOIKAca-
S50033/123-97
质量一致性检验应按GIB33的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4,4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行4.4.3C组检验
C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应表的规定。4.5.1对外观及机械捡验，制造厂应以文件方式对检验项目、所需设备、失效标准加以规定。表1A组检验Www.bzxZ.net
检验或试验
Al分组
外观及机检验
A2分组
总电容
P1N62317A
PIN62317B
反向击穿电压
PIN62317A
PIN62317B
正向微分电阻
P[N62317A
PIN62317B
正向电压
A3分组
反向击穿电压
(高温下）
PIN62317A
PN62317B
正向电压
(低温下）
A4分组
反向恢复时间
GJB128
GB6570
条件见 4.5.1
Va-100V
f=1MHz
In10μA
Ip=100mA
f= 10kHz
Ip=100mA
TA=125T
TA=-SSC
Ig=100mA
Ig=10mA
Ir=100mA
极限值
最小值最大值
检验或试验
B1 分组
标志的疏久性
B2分组
热冲击(温度循环)
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
B6分组
高温寿命（不工作）
最后测试
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(裘璃应力）
引出端疆度（扭力矩）
瓣录A
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变赖振动
恒定加速度
最后测试
SJ 50033/123—97
表 2 B组检验
GJB128
除高温150C外，其余同试验条件C~1且细检漏试验条件 H5×10-2Pa*cm/sb粗检漏试验条件 C
按表4步骤1.3
TA=85c
f=50Hz
IFM=100mA
Vr=80% V(n)
按表 4 步骤 2:4.,5
Ta=175C
按表4步骤2、4、5
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件 A
60mNm加力时向5g
E.细检漏
试验条件H
率5×10~2Pa*cm/s
试验条件C
b.粗检漏
10个循环、省路初始条件
条件见4.5.1
按表4步骤1,3
14700m/s（1500g）在X，Y方向各5次196m/s(20g)100-2000Hz
X、Y方向各4个循环
196000m/s(20000g)
在X、Y方向上各Imin
按表 4步骤1、3
TTKAONKAa-
检验或试验
CA分姐
气(要求时)
CS分组
诞气压(要求时)
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
反向击穿电压
PIN62317A
PIN62317B
反向击穿电压
PIN62317A
PIN62317B
正向微分电阻
PIN62317A
PIN62317B
SJ50033/123-97
续表3
GJB128
试验条件 C
T-85℃
F=50Hz IpM=100mA
Vx-80%VeR）
按表 4步骤 2、4,5
表 4 B 组和 C 组的最后测试
GB6570
正向微分电匾变化量
总电容变化盘
5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB 33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GIB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
1g=100mA
f=10kHz
g=100mA f=10kHz
f=IMHz
VR=100V
极限值
X = 10
最小值最大值
≤初始值的 20%pF
SJ 50033/123-97
符合本规范的器件作雷达收发开发和通讯机的大功率开关、衰减，供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。
6.2订货资料
合间或订货单应规定下列内容：a。本规范的名称和编号；
b.等极(见1,3.1);
e.数量：
d。需要时,其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定，7
TTTKAONKAca-
A1目的
SJ50033/123-97
附录A
扭力矩试验方法
（补充件）
本试验是为了检验器件引出端和瓷管之间的抗扭力矩能力。A2设备
扭力短试验需要专用来具，定器件的一端并在另一端悬挂施加力矩的重物，A3步骤
对正微波二极管轴线上加扭力矩，他瓷管与装封处承受扭力矩，其力矩为绕二极管轴线方向，且平稳无跳动。扭力矩60mN·m。作用时间5s。解除力矩后用10借放大镜检验，发现断裂、松动或电极与瓷管之间相对移动,认为是器件不合格。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第九七○厂负贵起草。本规范主要起草人：沈继昌、李志元、刘辉。计划项目代号：B51018
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。