SJ 50033.125-1997 半导体分立器件 PIN11～15型硅PIN二极管详细规范 SJ50033.125-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/125-97
半导体分立器件PIN11～15型
硅PIN二极管详细规范
Semicondutor discrete deviceDetail specification for siliconPIN diodes for type PIN11- 151997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件PIN11~15型
硅PIN二极管详细规范
Semicondutor diserele deviceDetail specification for siliconPIN diodes for type PIN11-15范围
1.1主题内容
SJ 50033/125-97
本规范规定了PIN11～15型硅PIN二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范报据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33-85半导体分立器件总规范》第1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级、超特军级，分别用字母 GP、GT、GCT表示。2引用文件
GB6570—86微波二极管测试方法GJB33--85半导体分立器件总规范GJB128-86半导体分立器件试验方法GJB1557—92半导体分立器件微波二极管外形尺寸3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按 GJB 33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂
引出端材料为可伐。引出端表面层应为镀金层。3.2.2器件结构
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
ITKAONKAca-
高阻单晶双扩散台面PIN结构。
3.2.3外形尺寸
SJ50033/125-97
外形尺寸应符合 GJR1557中W4-01的要求,见图1。E
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3.3.2主要电特性（TA=25C)
- 55 --125
65-175
≤10A
虽大做
3.4电测试要求
J=10kHz
I-100mA
最大催
SJ50033/125-97
Va= 50V
f= IMHz
最火值
Ip= 100mA
最小值
电测试应符合GB6S70及本规范的规定。3.5标志
3.5.1标志应符合 GJB33和本规范的规定。在器件瓷管中部打印下列标志
a，器件型号；
b．产品保证等极：
c。检验批识别代码。
4质量保证规定
4.1抽样和检验按GJB33的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验按 GJB 33 的规定。
4.3筛选(仅对 GT和GCT级）
敢大值
Ip=10mA
[x=100mA
最小種
最大值
Ig= 500mA
脉宽10mg
典型值
典型值
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
（见GH33表2
2高温寿命
3热冲击
4恒定加速度
5密封
6高温反偏
7中问测试
8电老化
9最后测试
试验方法
GJB128
175℃24h
踪高温150℃、循环20次外，其余同试验条件C196000m/s(20000g)xy两个方向各1mina.细检漏试验条件H痛率5×10-2Pacm/gb.粗检凝试验条件 C
15048h额定值Vam的80%
85J=50HzIm=50mA
VRM = 80 % V(BR)
[Arp/r:/≤15%
其他参数：按本规范表1的A2和A4分组3
TKAONKAa-
4.4质量一致性检验
SJ50033/125-97
质量一致性检验应按 GJB 33的规定4.4.1A组检验
A 组检验应接 GIB 33 和本规范表 1 的规定进行,4.4.2B组检验
B 组检验应按 GJB 33 和本规范表 2 的规定进行4.4.3C组检验
C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应表的规定。4.5.1对外观及机械检验，制造厂应以文件方式对检验项口、所需设备、失效标准加以规定。表 1 A组检验
检验或试验
Al分组
外观及机被捡验
A2分组
总电容
反向击穿电压
正向微分电阻
正向电压
A3分组
反向击穿电压
（高温下）
正向电压
（低温下）
A4 分组
反向恢克时间
GJB128
GB6570
条件见4.5.1
VR-50V
f=1MHz
In10μA
Ip=100mA
=10kHz
Ip= 100mA
TA=125C
TA= -S5C
Jr=100mA
y=10mA
In=100mA
极限值
最小值
最火值
检验或试验
B1分组
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
最后测试
B3分组
稳态工作寿命Www.bzxZ.net
最后測试
B6分组
高温将命(不工作）
最后测试
检验或试验
ct分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度(弯力矩）
附录A
综合温度/湿度周期试验
外观现技机械检验
最后測试
C3分组
变频振动
恒定如速度
最后测试
C4分组
盐气(要求时)
SJ50033/125—97
表2R组检验
GJB128
除高150C外，其余同试验条件C-1a 组检漏 试验条件 H5×10-2Pa*cm/sb粗检漏试验条件C
按表4步骤1、3
TA=85℃
f-50Hz
Ira=50mA
Vr- 80% VeER)
按表 4步骤2、4、5
TA=175C
按表4步骤2、4、5
表3C组检验
GJB128
见图！
试验条件A
60mN·m加力时间 1ls
1.细检凝
试验条非H
混率 5×10-2Pa*cm/s
b.粗检据试验条件C
10个循环、省咯初切始条件
条件见4.5.1
表 4步骤1,3
14700m/s（1500g）在x,Y方向各5次196m/s (20g)100~ 2000Hz
X,Y方向各 4 个循环
196000m/ (20000g)
在 X,Y方湾上名 1mia
按表4步骤1.3
TTKAONKAa
检验或试验
Ck分组
外形尺寸
C5分组
低气压(要求时)
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
反向击穿电医
反向击穿电压
正向微分电阻
正向微分电阻
变化量
总电容变化量
5交货准备
5.1包装要求
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续表3
GJB128
见图1
试验条件 C
f= 50Hz Irm=50mA
Vr= 80 % V(BR)
按裴4步骤2、4、5
表 4 B组和 C组的最后测试
GB6570
但装要求应按GJB 33的规定。
5.2贮存要求
I≤0μA
I,=100mA
f= 10Hz
Ip=100mA
f=10kHa
f=1MHz
Vr=50V
极限馆
最小值最大值
些存要求应按GJB 33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按 GJB 33 的规定。6说明事项
预定用途
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符合本规范的器件在C波段以下作开关、限幅、电调衰减和移相等，供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。
6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a。本规范的名称和编号；
b.等极(见1.3.1)；
数量：
d．要时,其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性函线等可在合同或订货单中规定。7
TTTKAONKAca-
Al目的
SI50033/125-97
附录A
弯力矩试验方法
(补充件）
本试验是为了检验器件引出端和瓷管之问的抗弯力矩能力。A2设备
弯力矩试验需要固定器件的一端，并在另一端恩挂施加弯力矩重物的专用夹具。A3步骤
将器件的一端固定在支持器上，在另一端沿与轴线垂直方向上加60mN·m的弯力矩，在10s时间内旋转三周后立即解除弯力矩，用10倍放大镜检验，发现断裂、松动或电极与瓷管之间相对移动，认为是器件不合格。附加说明：
本规范由中国电子技术标雅化研究斯归日。本规范由国营第九七O厂负资起草。本规范主要起草人：沈继昌、李宁、刘辉。计划项目代号：B51017
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