SJ 50033.126-1997 半导体分立器件 2DK13型硅肖特基开关整流二极管详细规范 SJ50033.126-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/126—97
半导体分立器件
2DK13型硅肖特基开关整流
二极管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 2DK13 SCHOTTKYailicon switching rectifier diode1997.06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2DK13型硅肖特基开关整流
二极管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 2DK13 SCHOTTKYSilicon switching rectifier diode1范围
1.1主题内容
SJ 50033/126—97
本规范规定了2DK13型硅肖特基开关整流二极管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(平导体分立器件总规范>1.3的规定，提供的质量保证等级为普军，特军和超特军三级，分别用字母GP,GT和GCT表示。2引用文件
GB 4023 - 86
GB 6571 - 86
GB 7581--87
GJB 33 - 85
GJB 128 - 86
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件第2部分整流二极管小功率信号二极管、稳定及基准电压二极管测试方法半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33利本规范的规定。3.2设计和结构
器件的设计和结构应按GJB33和本规范图1的规定。3.2.1引出端材料和涂层
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
TYKAOKAca-
SJ50033/126-97
引出端材料应为柯伐丝，引出端表面镀镍或浸镊。3.2.2器件结构
由二个芯片装配，并和底盘、引出端之间采用高混冶金键合结构。器件2DK14和2DK13C.D.E.F档为结构相似器件，在B组.C组试验中可以相互替代（但B3分组、C6分组除外)。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸成合GB7581的2-01B及如下规定。见图1。G@@
1-正极，2-正板，负极接外丧
图外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2DK13C
2DK13I)
2DK13E
21K13F
B2-01B
55 -- 150
- 55 - 175
3.3.2主要电特性(T=25T)
2DK13C
2DK13D
2DK13E
2DK13F
最大值
3.4电测试要求
Im= 1A
SJ50033/126--97
IFm = 5A / VR= VRwA Vr=0.8Yrw(pk)
T,= -55 F=25℃
最大值
最大值
最大值
电测试应符合GB6571及本规范的规定。3.5标志
标志应符合 GJB 33 和本规范的规定。A
质量保证规定
4.1抽样和检验
T,=12st
最大道
IR= 50s
最大值
f=1MHz
最大值
最大值
期样和检验应按GJB33和本规范的规定，当批小于500时，抽样采用小批量的LTPD抽样和固定拍样相结合的抽样方案。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GIB 33 的规定。
4.3筛选（适用于GT和GCT级）
筛选应符合GJB33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行。超过本规范表1极限值的器件应剔除。筛选
（见GIB33表2)
1.内部目检
2.高温寿命
3.热冲击（温度循环）
4.恒定加速度
6.高温反偏
7.中间电参数测试
试验方法
(GJB 128)
溅试或试验
试验条件：175℃
试验条件：-55~150℃循环20次
9800m/z（10000g）20g160g
VR=0.7Vrwm Ta-125C(GT)fo=0t=48hTA= 150C(GCT)
1x2条件见3.3.2
质量保证
TTKAONKAa-
(见 GIB 33 表 2)
8.电老炼
9.最后测试
10.密封
11.脉冲反向能量试验
12.特性曲线检查
13.外观及机械捡验
4.4 质量一致性检验
试验方法
(GJB 128)
SJ 50033/12697
测试或试验
T=60-C.f=50Hz
Io=5A,正半周导通角大于170°
VR=0.8VxwM.负半周导通角大于150= 96hwwW.bzxz.Net
AInMl=初始值的100%或0.8mA,取较大者VFm = 100mV
试验条件 C
试验条件H漏率≤5×10~2Pa.cm/s试验方法见4.5.2
打标志之后进行,见录 A
质量一致性检验应符合 GIB 33和本规范的规定。4.4. 1 A 组检验
A组捡验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4. 4.2 B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符台相应的表和下述的规定。4.5.1图示仪法测VrM
Vry的测量见附件B的规宠。
4. 5, 2脉冲反问能检验
质量保证
GT、GCT
GT,GCT
GT,GCT
GT,GCT
脉冲反向能量试验应按图2所示电路实施，利用电感线圖的反向电动势，向肖特基二极管注人脉冲反向能量，其数值和脉冲波形见图2及试验程序。4.5.3特性曲线检查
特性曲线的检查应符合附录 C的规定。4.5.4热
热粗测量按 GB 4023 中 2.2.3 方法执行,所加功率引起壳温变化范围控制在 20~70℃范围内，并能用热电偶测量执行下列试验条件。加热电流：Iy=5AtH=50s
测壁电流：m=10mA
4.5.5检验条件:除非 GJB128 和本规范另有规定,所有试验和检验温度均为 TA=25=3C。4
入脉速
输入脉冲：脉冲t,=2m
占空比1:1
脉宽幅度：1-3V
脉冲个数：10个
S:脉冲输入开关
Vcc电源10V可调
试验程,序，
SJ 50033/126—97
DUT板测肖特基二极管
L:ImH电感
R,=0.1n Iw
Rin=500 Iw
R1,R2三极算基极分正电阻
轮雷脉冲
T：大功率三极管耐压500V以上
A：电流表
1.调节基极分压电阻，便兰极管T工作电流达到1A。2.关闭S输入脉冲信号，脉冲值号个数为10个。3.观察脉冲输波形,应符合要求。4.检测被测肖特基二极管VEM和[应符合要求。图2脉冲反向能量试验电路
表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外观设机
械检验
A2分组
正向电压
2DK13C
2DK1313
20K13E
2DK13F
2DK13C
2DK13E
2DR13F
反向电流
GJB 128 中
和附录 A
本规范
随录B
GB6571
IM= SA(pk)
图示仪法
Ipm=1A(pk)
图示仪法
Vr Vrwa
极限值
最大值
最小值
TKAONKAa-
检验或试验
A3分组
高温工作
反向电流
2DK13C
2DK13D
2DK13E
2DK13F
低邀工作
正向电压
2DK13C
21K13D
2DK13E
2DK13F
反向电流
A4分组
脉冲反向
能量试验
反向恢复
A6分组
浪消电流
2DK13C
2DK13D
2DKI3F
2DK13F
最后测试：
本规范
附录B
本规范
GB4023
SJ50033/12697
续表 1 A组检验
GB6571
TA=125C
Vr= VRwm×0.8
T.= -55t
图示仅法
Ig= 5A(pk)
Vx=VRWM×0.8
10个脉冲宽度2us
Vr= Vo
f=1MHz
时间间隔为Imin
脉宽为10ms
脉冲浪涌10次
IFSM=100A
IFsM=100A
IFSM-100A
1FSM-100A
见表4步骤|和2
LTPDｉ符号
极限值
最小值最大值
检验或试验
BI分组
可焊性
标志的耐久性
B2 分组
热冲击(温度循环)
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试
B33分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4 分组
开帽内部耳检
键合强度
芯片剪切强度
(适用时）
BS 分组
B6 分组
高温隶命
(非工作状态）
最后测试：
GB4023
S/ 50033/126-97
表2B组检验
GJB 128
焊接停留时间5±1s，=235±5
除筛温为-55T外,其余同试验条性 F-I试验条件 H 5× 10-7Pa.ctn'/g试验条件 C
见表4步骤1 和 2
Te=60ti
F=50Hz
IB =5A,正半周导通角大于 170″Vr=0.8VrwM,负半周导通角大于150°见表4步骤1和 2
目检标准按鉴定设计
试验条件C键合力≥3000mN
(内引线铜片)至少三个器件
Iμ=4A IH= S0s IN=10mA
Rtm-15K/W
Ta=175t =340h
见表4步骤1 和2
n=1 =0
n=6 c=0
n=6 c-0
小批量质量
一致性检验
6(C=0)
6(C=0)
12(C=0)
1(C=0)
6(C= 0)
6(C=0)
8(C= 0)
12(C=0)
TKAONKAa-
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
盐气(适用时)
C6分组1)
稳态工作寿命
最后测试：
见照！
SJ50033/126—97
表 3 C组检验
GJB128
试验条件A.0℃~100℃，循环5次试验条件A,W=25N1=15s
同分组
同 B2分组
免做预处理，循环10次
同A1分组
见表 4步骤1 和 2
非工作状态，按14700m/g
0.5mg.在X、Y，、Z三个方向各冲击5次非工作状态在X，、Y，、Z，每个方向各1min98000m/s2
见表 4 步骤 1 和 2
f=50Hz t=1000h
Ia=5A,正半周导通角大于170
Vr=0.8Vrwm(jk),负半周导通角大于150见表 4 步骤 1 和 2
小批量质遣
一致性检验
6(c=0)
6(C-0)
6(C =0)
6(C=0)
12(C=0)
检验或试验
正向电压
2DK13C
2DK13D
2DK13E
2DKI3F
2nK13C
2DK13D
2DK13F
反向电流
5交货准备
5.1包装要求
SJ50033/126-97
表 4A组、R组和 C组电测试
GB6571
本规范
附录 B
IpM=SA(pk)
图示仪法
IFm=IA(pk)
图示仪法
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
购存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
VR= VRwM
6.1对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定。6.2订货资料
a，本规范的名称和编号
b．等级(见1.3.1)
d．需要时其它要求。
极限值
最小值
最大值
TYKAOIKAca-
SI50033/126-97
附录A
晶体管的外观及机械检验
(补充件)
在正常照明和正常视力茶件下，进行外部目检，检查项目如\下：标志的清晰度：型号、商标、检验批代码、质量等级标志；at
b：引出端识别；
C，机械缺陷、外观：不得出现引线断裂、玻璃绝缘珠炸裂、空、缺损及外壳缺损、管帽变形等现象。
附录B
图示仪法测VyM
（补充件）
B1测试目的
在规定的条件下，用图示仪测试二极管的正向电压瞬时值。2电源理图
被测二极管
R，图示仪Y辅取样电阻
R2:图示仪X轴取样电租
图B1正向电乐测试电路
B3测量要求
B3.1将图示仪正向扫描电压施加到一极管阳极上，并将Y轴电流限制在详细规范的1：额定值内，观测图示仪扭描波形测出正向压降VB3.2将测试系统的正极和负极短路，测出整个测试系统在规定电流I：条件下，申联电阻上降V串。
B3.3按下式计算肖特基二极管的正向电压降IFVFM= Vp- V
SJ 50033/12697
\v,:0.1V/度
图B2肖特基二极管
Ir-VrM特性曲线
附录C
特性曲线检验
（补充件）
反向特性曲线显示和检查采用y轴，10mA/格，x轴10V/格作为电流电压选择，调节扫描电压使击穿电流达到40一60mA，观察扫波形。不得出现曲线抖动，螺变，双线，周期性的充放电，典线间断，不连续扫描拐角段噪声和击穿穿通。试验持续时间至少为5s。本试验是筛选后图示仪检验最后一个项目，必须100%进行。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由济南半导体元件实验所负资起草。本规范主要起草人荣志光、贾蕙。计划项目代号：B51055。
KAONKAca-
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