SJ 50033.127-1997
基本信息
标准号： SJ 50033.127-1997
中文名称：半导体分立器件 2DK14型硅肖特基开关整流二极管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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相关标签： 半导体 分立 器件 开关 整流 二极管 详细 规范
标准分类号
关联标准
出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50033.127-1997 半导体分立器件 2DK14型硅肖特基开关整流二极管详细规范
SJ50033.127-1997
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/127 -- 97
半导体分立器件
2DK14型硅肖特基开关整流
二极管详细规范
Semiconductor discrete dcvicesDetail specification for type 2DK14 SCHOTTKYsilicon switching rectifier diode1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2DK14型硅肖特基开关整流二极管详细规范
Semiconduclor discrete devicesDetail specification far type 2DK14 SCHOTTKYsilicon switching rectifierdiode范围
1.1 主题内容
SJ 50033/127-97
本规范规定了2DK14型硅肖特基开关整流二极管（以下简称器性）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GIB33<半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质最保证等级为普罕、特军和超特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2引用文件
GB4023一86半导体分立器件第2部分整流二极管GB6571-—86小功率信号二极管，稳压及盐准电压二极管测试方法GB7581—87半导体分立器件外形尺寸CB 33-—85
半导体分立器件总规施
GB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项娶求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计和结构
器件的设计和结构应按GJB33和本规范图1的规定。3.2.1引出端材料和涂层
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
ITKANKAca-
SJ50033/127—97
引出端材料应为柯伐丝，引出端表面镀镍或没锡。3.2.2器件结构
由二个芯片装配，并和底盘，引出端之间采用离温冶金键合结构。器件2DK14C.D.E.F各挡和2DK13C.D.E.F档为结构相似器件，在B组，C组试验中可以用2DK14替代2DK13(但不包括B3和C6分组)。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符食GB7581的B201B及如下规定。见图1。母
1正极，2一正极，负极接外尧
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2DK14C
20K14D
2DK14E
2DK14F
B2-01B
- 55 ~150
- 55 ~ 175
3.3.2主要电特性（TA=25C）
SJ 50033/127—97
Iru 10A Ver VwmiVr=0.8Vewl
rm=10A(pk)[m=1A
2DK14D
2DK14E
2DK14F
3.4电测试要求
最大值
T,= - 55℃
最大值
T,=25c
最大值
电测试应符合GB6571及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GJB 33和本规范的规定。4质量保证规定
T=125℃
最大值
Rthji-
tH=50s
最大值
f=1MHz
最大值
徽大值
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GIB33和本规范的规定，当批量小于50时，拙样采用小批量的LTPD抽样和固定抽样相结合的抽样方案。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选(适用于 GT 和 GCT级)。筛选应符合GJB33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行。超过本规范表1极限值的器件应剔除。筛
(观 GJB 33 表 2)
1.内部目检
2.高温寿命
3.热冲击(温度循环）
4.恒定加速度
6.高温反偏
7.中间电参数测试
试验方法
(GJB12B)
测试或试验
试验条伴：[75七=4Bh
试验条件；~55℃~150℃猎环20 次98000m/g(10000g)20s≤t≤60s
VR=0.7VewMTa=125℃(GT)1a=0+=48hTA- 150C (GCT)
IR条件见3.3.2
质量保
证等级
GT、GCT
GT,GCT
GT、GCT
GT、GCT
TKAONKAa-
(见 GJD 33 表 2)
8.电老炼
9.最后测试
10.密封
11. 脉冲反向能量试验
12.特性线检查
13.外观及机械检验
4.4质量一致性检验
试验方法
(GJB128)
SJ 50033/127—97
测试或试验
Te=60+i, f=50Hz
I。=10A,正半周导通角大于 170Vz=0.8VrwM.负半周导通角大于150t=96h
4IRM=初始值的100%或0.8mA,取较大者4V=M =100mV
试验条件C
试验条件 H漏率≤5×10-2Pa.cm/s试验方法见4.5.2
打标志之后进行，见附录A
质量一致性检验应符合GJB33和本规范的规定。4.4.1 A 组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合相应的表和下述的规定。4.5.1图示仪法测VFM
VrM的测量见附件 B的规定。
4.5.2脉冲反向能量检验
质量保
证等级
GT,GCT
GT,GCT
GT、GCT
GT、GCT
脉冲反向能量试验应按图2所示电路实施，利川电感线圈的反向电动势，向肖特基二极管注入脉冲反向能量，其数值和脉冲波形见图2及试验程序。4.5.3特性曲线检查
特性曲线的检查应符合附录C的规定。4.5.4热阻
热阻测盘按GB4023中2.2.3方法执行，所加功率引起壳温变化范围控制在20~70范围内，并能用热电偶测量执行下列试验条件。加热电流：I#-5AtH=50s
测量电流：Im=10mA
4.5.5检验条件，除非GJB128和本规范另有规定，所有试验和检验温度均为TA=25±3C。4
辅入脉冲
输人脉冲： 脉 t,=2μs
占空比1:1
脉宽幅度1~3V
脉冲个数 10 个
S :脉冲辅人并关
V.电源10V可调
试验程序：
SJ50033/127-97
DLT 被肖特基二极管
L:Imii电感
Rg=0.10 1W
Rin=50n 1w
R1,R2三极管基极分乐电
输山脉冲
VR= VaR
T：大功率三极管耐压500V以上
A电流表
1.调节基极分压电阻，使三极管T工作电流达到IA。2.关闭S输人脉冲信号，脉冲信号个数为10个。3.观察脉冲输入波形、应符合要求。4.检测被测肖特基二极管Vu和I应符合要求。图2脉冲反向能量试验电路。
表1A组检验
GB6571
检验或试验
Al分组
外观及机楼检验
A2分组
GJB128
中2071
和附录 A
LTPD符号
最小」最大值
TTKAONKAa-
检验或试验
正向电压
2DK14C
2DK14D
2DKI4E
2DKI4C
2DK14D
2DK14E
2DK14F
反向电流
A3分组
高温工作
反向电流
2DK14C
2DK14D
2DK14E
2DK14F
抵温工作
正向电压
2DK14C
2DK14D
2DK14E
2DK14F
反向电流
A4分组
脉冲反间
能盘试验
反向恢复
A5分组
【不适用】
A6分组
浪润电流
本规范
附录B
本规范
附录B
本规范
GB4023
SJ 50033/127-97
续表1
GB6571
IFM=10A(pk)
图示设法
Iem=1A(pk)
图示仪法
VR= VkwM
TA=125℃
Vr\ Vrwn ×0.8
TA= - 55'C
图示仪法
Jp=10A(pk)
Vr=Vrwm×0.8
10 个脉冲，
脉宽2.4g
Vr= Vra)
f=IMHz
时间间漏为1min
脉宽为10ms
魅冲浪通10次
LIPD符号
极限谊
最小值
最大值
验助试验
2DK14C
2DK14D
2DK14E
2DK14F
最后测试
检验或试验
BI 分组
可摔性
标志的耐久性
B分组
热冲击(蕴度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后測试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开帽内部目梭
键合强度
芯片剪切强度
适用时）
B5 分组
B6分组
高盘寿饰
(非工作状态）
最后测试：
SI50033/127—97
GB6371
IFSMr=200A
IFSM=200A
Ir=150A
IPsM=150A
见表 4步骤 1 和 2
表2B组检验
GJB 128
LTPD:符号
焊接停留时间5±1s,T=235±5℃除低温为 - 55℃外,其余同试验条件 F—1试验条件H5×10-2Pa.cm/g
试验条件C
见表 4 步骤 1 和 2
Tc= 60C
f= 50Hz
I。=10A,正半周导通角大于170°Vz*0.8VRWM，负半周导通角大于150°见表4步骤！和2
目检标准按定设计
试验条件C键合力≥3000mN(内
引线铜片)至少三个器件
In=4AtH=50sIm=10mA
GB4023
Rubli-15K/W
TA=175℃ 1=340h
见表4步骤[和 2
最大值
最小值
n=1 c=0
n=6 =0
小批量质
量致性
检验/e
6(C=0)
6(C=0)
12(C=0)
I(C=0)
6(C=0)
6(C-0)
8(C=0)
12(C=0)
TTKAONKAa-
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
.细检据
b.粗检漏
综合温度/显度周期
外观及机械检验
最后测试：
C3 分组
变颜振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气(适用时)
C6分组1)
稳态工作寿命
最后测试：
SJ50033/127—97
表3C组检验
GJB128
见图！
试验件A0~1u0℃，循环5次
试验录件A，W=25N15g
同 B2 分组
间B2分组
免做预处理，循坏10次
同A1分组
见表 4 步骤 1 和 2
非工作状态，接14700m/s
i0.5ms,在X,、Y,、Z,三个方向各冲击5次2056
检验或试验
正向电压
2DK14C
2DK14D
2DK14E
非工作状态在X,、Y,z,每个方间各1min98000m/s2
见表4步骤1 和 2
Te= G0ti
f=50Hz±=1000h
I.=10A,正半周导返角大于170
Ve=0.8Vw(pk),负半周导通大于150°见表 4 步骤 1 和 2
表4A组、B组和C组电测试
GB6571
本规范
附录B
Im=10A(pk)
图示议法
入=10
小批盘质
量一致性
检验 ntc
6(C=0)
6(C=0)
6(C= 0)
6(C= 0)
12(C=0)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
2DK14F
2DK14C
2DK14D
2DK14E
2DK14F
反向电流
5交货准备
5.1包装要求
SJ50033/127-97
续表4
GB6571
包装要求应接GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
Im=1A(pk)
图示仪法
VR-VawM
6.1对引出端涂层有特殊要求时,应在合同或订货单巾规定。6.2订货资料
a，本规范的名称和编号：
b. 等级(见1.3.1):
c.数量：
d.需要时其它要求。
最小道
最大道
KAOKAca-
SJ50033/127—97
附录A
晶体管的外观及机械检验
(补充件）
在正常照明和正常视力茶件下，进行外部良检，检查项目如下：a，标志的清晰度：型号、商标、检验批代码、质量等级标志。b.引出端识别。
c.机械缺陷、外观：不得出现引线断裂、玻璃绝缘珠炸裂、空润、缺损及外壳缺损、管帽变形等现象。
附录B
图示仪法测VEM
(补充件)
B1测试目的
在规定的条件下，用图示仪测试二极管的正向电压瞬时值。B2电原理图
B3測盘要求
图B1正向电压测试电路
D 为被测二极管
R1：图示仪Y轴取样电阻
K2：图示仪x轴取样电斑www.bzxz.net
B3.1将图示仪正向扫描电压施加到二极管极上，并将Y轴电流限制在详细规范的Ir额定值内,观测图示仪扫描波形测出正向压降V心B3.2将测试系统的正极和负极短路，测出整个测试系统在规定电流1条件下，串联电阻上压降V串。
B3.3按下式计算肖特基二管的正向电压降VrM= Vr= V$
Ir=VFm特性线
SJ 50033/127-97
Ve0.1V/度
图E2肖基二极管
附录C
特性曲线检验
(补充件）
反向特性曲线显示和检查采限Y轴，10mA/格，X轴10V/格作为电流电压选择，调节扫描电压使击穿电流达到40～600mA.观繁扫波形。不得出现曲线抖动，变，双线，周奶性的充效电，曲线问断，不连续扫描扔角段噪声和击穿穿通，试验持续时间垒少为5s。本试验筛选后图示仪检验最后一个项目，必须100%进行。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由济南半导体元件实验所负责起草。本规范主要起草人：朱志光、蕙。计划项目代号：B51056。
KAONKAca-
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SJ 50033/127 -- 97
半导体分立器件
2DK14型硅肖特基开关整流
二极管详细规范
Semiconductor discrete dcvicesDetail specification for type 2DK14 SCHOTTKYsilicon switching rectifier diode1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2DK14型硅肖特基开关整流二极管详细规范
Semiconduclor discrete devicesDetail specification far type 2DK14 SCHOTTKYsilicon switching rectifierdiode范围
1.1 主题内容
SJ 50033/127-97
本规范规定了2DK14型硅肖特基开关整流二极管（以下简称器性）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GIB33<半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质最保证等级为普罕、特军和超特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2引用文件
GB4023一86半导体分立器件第2部分整流二极管GB6571-—86小功率信号二极管，稳压及盐准电压二极管测试方法GB7581—87半导体分立器件外形尺寸CB 33-—85
半导体分立器件总规施
GB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项娶求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计和结构
器件的设计和结构应按GJB33和本规范图1的规定。3.2.1引出端材料和涂层
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
ITKANKAca-
SJ50033/127—97
引出端材料应为柯伐丝，引出端表面镀镍或没锡。3.2.2器件结构
由二个芯片装配，并和底盘，引出端之间采用离温冶金键合结构。器件2DK14C.D.E.F各挡和2DK13C.D.E.F档为结构相似器件，在B组，C组试验中可以用2DK14替代2DK13(但不包括B3和C6分组)。
3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符食GB7581的B201B及如下规定。见图1。母
1正极，2一正极，负极接外尧
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2DK14C
20K14D
2DK14E
2DK14F
B2-01B
- 55 ~150
- 55 ~ 175
3.3.2主要电特性（TA=25C）
SJ 50033/127—97
Iru 10A Ver VwmiVr=0.8Vewl
rm=10A(pk)[m=1A
2DK14D
2DK14E
2DK14F
3.4电测试要求
最大值
T,= - 55℃
最大值
T,=25c
最大值
电测试应符合GB6571及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GJB 33和本规范的规定。4质量保证规定
T=125℃
最大值
Rthji-
tH=50s
最大值
f=1MHz
最大值
徽大值
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GIB33和本规范的规定，当批量小于50时，拙样采用小批量的LTPD抽样和固定抽样相结合的抽样方案。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选(适用于 GT 和 GCT级)。筛选应符合GJB33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行。超过本规范表1极限值的器件应剔除。筛
(观 GJB 33 表 2)
1.内部目检
2.高温寿命
3.热冲击(温度循环）
4.恒定加速度
6.高温反偏
7.中间电参数测试
试验方法
(GJB12B)
测试或试验
试验条伴：[75七=4Bh
试验条件；~55℃~150℃猎环20 次98000m/g(10000g)20s≤t≤60s
VR=0.7VewMTa=125℃(GT)1a=0+=48hTA- 150C (GCT)
IR条件见3.3.2
质量保
证等级
GT、GCT
GT,GCT
GT、GCT
GT、GCT
TKAONKAa-
(见 GJD 33 表 2)
8.电老炼
9.最后测试
10.密封
11. 脉冲反向能量试验
12.特性线检查
13.外观及机械检验
4.4质量一致性检验
试验方法
(GJB128)
SJ 50033/127—97
测试或试验
Te=60+i, f=50Hz
I。=10A,正半周导通角大于 170Vz=0.8VrwM.负半周导通角大于150t=96h
4IRM=初始值的100%或0.8mA,取较大者4V=M =100mV
试验条件C
试验条件 H漏率≤5×10-2Pa.cm/s试验方法见4.5.2
打标志之后进行，见附录A
质量一致性检验应符合GJB33和本规范的规定。4.4.1 A 组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合相应的表和下述的规定。4.5.1图示仪法测VFM
VrM的测量见附件 B的规定。
4.5.2脉冲反向能量检验
质量保
证等级
GT,GCT
GT,GCT
GT、GCT
GT、GCT
脉冲反向能量试验应按图2所示电路实施，利川电感线圈的反向电动势，向肖特基二极管注入脉冲反向能量，其数值和脉冲波形见图2及试验程序。4.5.3特性曲线检查
特性曲线的检查应符合附录C的规定。4.5.4热阻
热阻测盘按GB4023中2.2.3方法执行，所加功率引起壳温变化范围控制在20~70范围内，并能用热电偶测量执行下列试验条件。加热电流：I#-5AtH=50s
测量电流：Im=10mA
4.5.5检验条件，除非GJB128和本规范另有规定，所有试验和检验温度均为TA=25±3C。4
辅入脉冲
输人脉冲： 脉 t,=2μs
占空比1:1
脉宽幅度1~3V
脉冲个数 10 个
S :脉冲辅人并关
V.电源10V可调
试验程序：
SJ50033/127-97
DLT 被肖特基二极管
L:Imii电感
Rg=0.10 1W
Rin=50n 1w
R1,R2三极管基极分乐电
输山脉冲
VR= VaR
T：大功率三极管耐压500V以上
A电流表
1.调节基极分压电阻，使三极管T工作电流达到IA。2.关闭S输人脉冲信号，脉冲信号个数为10个。3.观察脉冲输入波形、应符合要求。4.检测被测肖特基二极管Vu和I应符合要求。图2脉冲反向能量试验电路。
表1A组检验
GB6571
检验或试验
Al分组
外观及机楼检验
A2分组
GJB128
中2071
和附录 A
LTPD符号
最小」最大值
TTKAONKAa-
检验或试验
正向电压
2DK14C
2DK14D
2DKI4E
2DKI4C
2DK14D
2DK14E
2DK14F
反向电流
A3分组
高温工作
反向电流
2DK14C
2DK14D
2DK14E
2DK14F
抵温工作
正向电压
2DK14C
2DK14D
2DK14E
2DK14F
反向电流
A4分组
脉冲反间
能盘试验
反向恢复
A5分组
【不适用】
A6分组
浪润电流
本规范
附录B
本规范
附录B
本规范
GB4023
SJ 50033/127-97
续表1
GB6571
IFM=10A(pk)
图示设法
Iem=1A(pk)
图示仪法
VR= VkwM
TA=125℃
Vr\ Vrwn ×0.8
TA= - 55'C
图示仪法
Jp=10A(pk)
Vr=Vrwm×0.8
10 个脉冲，
脉宽2.4g
Vr= Vra)
f=IMHz
时间间漏为1min
脉宽为10ms
魅冲浪通10次
LIPD符号
极限谊
最小值
最大值
验助试验
2DK14C
2DK14D
2DK14E
2DK14F
最后测试
检验或试验
BI 分组
可摔性
标志的耐久性
B分组
热冲击(蕴度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后測试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开帽内部目梭
键合强度
芯片剪切强度
适用时）
B5 分组
B6分组
高盘寿饰
(非工作状态）
最后测试：
SI50033/127—97
GB6371
IFSMr=200A
IFSM=200A
Ir=150A
IPsM=150A
见表 4步骤 1 和 2
表2B组检验
GJB 128
LTPD:符号
焊接停留时间5±1s,T=235±5℃除低温为 - 55℃外,其余同试验条件 F—1试验条件H5×10-2Pa.cm/g
试验条件C
见表 4 步骤 1 和 2
Tc= 60C
f= 50Hz
I。=10A,正半周导通角大于170°Vz*0.8VRWM，负半周导通角大于150°见表4步骤！和2
目检标准按定设计
试验条件C键合力≥3000mN(内
引线铜片)至少三个器件
In=4AtH=50sIm=10mA
GB4023
Rubli-15K/W
TA=175℃ 1=340h
见表4步骤[和 2
最大值
最小值
n=1 c=0
n=6 =0
小批量质
量致性
检验/e
6(C=0)
6(C=0)
12(C=0)
I(C=0)
6(C=0)
6(C-0)
8(C=0)
12(C=0)
TTKAONKAa-
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
.细检据
b.粗检漏
综合温度/显度周期
外观及机械检验
最后测试：
C3 分组
变颜振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气(适用时)
C6分组1)
稳态工作寿命
最后测试：
SJ50033/127—97
表3C组检验
GJB128
见图！
试验件A0~1u0℃，循环5次
试验录件A，W=25N15g
同 B2 分组
间B2分组
免做预处理，循坏10次
同A1分组
见表 4 步骤 1 和 2
非工作状态，接14700m/s
i0.5ms,在X,、Y,、Z,三个方向各冲击5次2056
检验或试验
正向电压
2DK14C
2DK14D
2DK14E
非工作状态在X,、Y,z,每个方间各1min98000m/s2
见表4步骤1 和 2
Te= G0ti
f=50Hz±=1000h
I.=10A,正半周导返角大于170
Ve=0.8Vw(pk),负半周导通大于150°见表 4 步骤 1 和 2
表4A组、B组和C组电测试
GB6571
本规范
附录B
Im=10A(pk)
图示议法
入=10
小批盘质
量一致性
检验 ntc
6(C=0)
6(C=0)
6(C= 0)
6(C= 0)
12(C=0)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
2DK14F
2DK14C
2DK14D
2DK14E
2DK14F
反向电流
5交货准备
5.1包装要求
SJ50033/127-97
续表4
GB6571
包装要求应接GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
Im=1A(pk)
图示仪法
VR-VawM
6.1对引出端涂层有特殊要求时,应在合同或订货单巾规定。6.2订货资料
a，本规范的名称和编号：
b. 等级(见1.3.1):
c.数量：
d.需要时其它要求。
最小道
最大道
KAOKAca-
SJ50033/127—97
附录A
晶体管的外观及机械检验
(补充件）
在正常照明和正常视力茶件下，进行外部良检，检查项目如下：a，标志的清晰度：型号、商标、检验批代码、质量等级标志。b.引出端识别。
c.机械缺陷、外观：不得出现引线断裂、玻璃绝缘珠炸裂、空润、缺损及外壳缺损、管帽变形等现象。
附录B
图示仪法测VEM
(补充件)
B1测试目的
在规定的条件下，用图示仪测试二极管的正向电压瞬时值。B2电原理图
B3測盘要求
图B1正向电压测试电路
D 为被测二极管
R1：图示仪Y轴取样电阻
K2：图示仪x轴取样电斑www.bzxz.net
B3.1将图示仪正向扫描电压施加到二极管极上，并将Y轴电流限制在详细规范的Ir额定值内,观测图示仪扫描波形测出正向压降V心B3.2将测试系统的正极和负极短路，测出整个测试系统在规定电流1条件下，串联电阻上压降V串。
B3.3按下式计算肖特基二管的正向电压降VrM= Vr= V$
Ir=VFm特性线
SJ 50033/127-97
Ve0.1V/度
图E2肖基二极管
附录C
特性曲线检验
(补充件）
反向特性曲线显示和检查采限Y轴，10mA/格，X轴10V/格作为电流电压选择，调节扫描电压使击穿电流达到40～600mA.观繁扫波形。不得出现曲线抖动，变，双线，周奶性的充效电，曲线问断，不连续扫描扔角段噪声和击穿穿通，试验持续时间垒少为5s。本试验筛选后图示仪检验最后一个项目，必须100%进行。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由济南半导体元件实验所负责起草。本规范主要起草人：朱志光、蕙。计划项目代号：B51056。
KAONKAca-
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