SJ 50033.128-1997
基本信息
标准号： SJ 50033.128-1997
中文名称：半导体分立器件 2DK15型硅肖特基开关整流二极管详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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相关标签： 半导体 分立 器件 开关 整流 二极管 详细 规范
标准分类号
关联标准
出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50033.128-1997 半导体分立器件 2DK15型硅肖特基开关整流二极管详细规范
SJ50033.128-1997
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/128-97
半导体分立器件
2DK15型硅肖特基开关整流
二极管详细规范
Seniconductor discrete devicesDetail specification for fype 2DK15 SCHOTTKYsilicon switching rectifier diode1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2DK15型硅肖特基开关整流二极管详细规范
Semiconductor dlscrete devicesDelail specirication for type 2DK15 SCHOTTKYsilicon switching rectifier diode1范围
1.1主题内容
SJ50033/128-97
本规范规定了2DK15型硅肖特基开关整流二极管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33半导体分立器件总规范>1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、待军和超特军三级,分别用字母 GP,GT 和 GCT 表示。2 引用文件
GR4023一86半导体分立器件第2部分整流二极管GB6571一86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GB7581—87半导体分立器件外形尺寸GB 33—85
GB 128-86
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按 GJB 33 和本规范的规定。3.2设计和结构
器件的设计和结构应按GJB33和本规范图1的规定。3.2.1引出端材料和涂层
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01 实施
YIKAONKAca-
SJ 50033/128 97
引出端材料应为柯伐丝，引出端表面镀镍或浸锡。3.2.2器件结构
由二个芯片装配，并和底盘、引出端之间采用高温冶金键合结构。器件2DK15C.D.E.F各档为结构相似器件，在试验中可以相互替代。3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581的B2--01C及如下规定。见图1。2-.tp
1一正极，2一正极，负极接外壳图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
T,=75C
2DK15C
2DKISn
2DK1SE
2DK15F
B2--01C
-55-175
S 60033/128 -- 97
注： 1)当 T,超过它时,接 26存nA/线性地降额。3.3.2主要电特性（ =25）
em=20A(pk）
2DK15C
2DK15D
2DK15E
21K15F
3.4电溯试要求
最大值
Tp=-20A
Na= VrtiWa =0.8Vrwt Iμ= 5A
-55t IT =25
最大個
般大值
电测试应符合GB6571及本规范的规定。3.5标志
标志应符合 GIB 33 和本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
Tj=125c
最大值
thr=50g
最大值
f=1MHz
最大值
最大值
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定，当批盘小于500时,抽样采用小批量的LTPD抽样和固定抽样相结合的抽样方案。4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GIB 33 的规定。4.3筛选(适用于 GT和 GCT级)。筛选应符合GJB33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行。超过本规范表1极限值的器件应剔除。筛
(见 GJB 33 表 2)
1.内部目检
2.高温寿命
3.热冲击（温度循环）
4.恒定加速度
6.高温反偏
7. 中间电参数测试
B、电老炼
试验方法
(GIB 128)
测试或试验
试验条件：175C
试验条件：-35-150微环20次
98000m/ :(10000g)20g≤≤60s
Vr=D.7Vrwu Ta-125 (GT) I,=0 t=48hT,= 150C (GCT)
「条件见3.3.2
fe=60tiot,y = 50H
=10A.正半周导通角大于170
Vr=0.8 Vrm，负半周导通角大于150°t=$6h
质意保
证等级
GT、GCT
GT、GCT
GT,GCT
GT、GCT
GT、GCT
GT,GCT
TYKAOIKAca-
(见 GJB 33 表 2)
9. 最后测试
10.密封
11. 脉冲反向能量试验
12. 特性曲线检查
13.外观及机械检验
4.4质量一致性检验
试验方法
(GJB 128)
SJ 50033/128-97
测试或试验
4IRMl=初始值的100%或0.8mA,取较大者4VFMi = 100mV
试验条件 C
试验条件 H 漏率≤5 × 10 2Pa.cm/s试验方法见 4.5.2
打标志之后进行，见附录 A
质量一致性检验应符合 GJB 33和本规范的规定。4.4.1A组检验
A 组检验应按 GJB 33 和本规范表 1 的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GIB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GTB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合相应的表和下述的规定。4.5.1图示仪法测VrMo
VrM的测量见附件 B的规定。
4.5.2脉冲反向能量检验
质量保
证等缓
GT、GCT
GT,GCT
GT、GCT
脉冲反向能量试验应按图2所示电路实施，利用电感线圈的反向电动势，向肖特基二极管注入脉冲反向能，其数值和脉冲波形见图2及试验程序。4.5.3特性曲线检查
特性曲线的捡查应符合附录C的规定。4.5.4热阻
热阻测量按GB4023中2.2.3方法执行,所如功率引起壳温变化范围控制在20～70C范围内，并能用热电偶测量执行下列试捡条件。加热电流：In=5A th=50s
测量电流：Im=10mA
4.5.5检验条件,除非GJB128和本规范另有规定,所有试验和检验温度均为TA-25±3C。输入脉剂
输入脉冲：脉宽=2gg
占空比1:1
脉宽幅度 1~3V
脉冲个数 10 个
S:脉冲摘入开关
V。电源10V可调
试验程序
SJ 50033/128—97
DUT 被测肖特基二极管
L;ImH电感
Rs=0.1n 1w
Ri=S0n1W
R1.R2三极管基极分压电阻
T：大功率三极管耐压500V以上
A电流表
1.调节基极分压电阻,使三极管 T工作电流达到 1A。2.关闭S输人脉冲俏号，脉种信号个数为10个。3.观察脉冲输入波形,应符合要求。4. 检测被测肖特基二极管 VrM和 Ir 应符合要求。图2脉冲反向能试验电路。
表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械饸验
A2分组
GJE128
中2071
和附录 A
GB6571
LTPD符号
输出脉神·
钣限值
最小值最大值
TKAOKAca-
检验或试验
正间电压
2DK15C
2DK15D
2JK15E
2DK15F
2DK15C
2DKI5D
2DK15E
2DK15F
反向电流
A3分组
高温工作
反向电流
2DK1SC
2DK15D
2DK15E
2DK15F
低温工作
正向电压
2DK15C
2DKI5D
2DK15E
2DK15F
间电流
A4分组
脉冲反间
能量试验
反向恢复
A5 分组
【不适用】
A6分组
浪涌电流
—6—
本规范
附录 B
本规范
附录B
本规范
GB4023
SJ50033/128-97
续表1
GB 6571
Jrm=20A(pk)
图示仪法
Iru = 1A(pk)
避示仪法
Va- VRwM
TA=125t
Vr= Vrwm×0.8
TA=-5SC
图示仪法
I=20A(pk)
Vr= VWm×0.8
10个脉冲
脉宽2M5
Va= V(R)
f= 1MHz
时间间隔为 1min
脉宽为10ms
冲浪涌10次
被限值
鼓小值最大值
检验或试验
2DK15C
2DK15D
2DK15E
2DK15F
最后测试，
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击(温度循环)
B,细检涌
b.粗检漏
最后测试
B3分组
秘态工作寿命
最后测试：
B4分组
开帽内部目检
健合强度
芯片剪切强度
(适用时)
BS 分组
B6 芬组
高温筹命
(非工作状态)
最后测试：
$J 50033/128-97
续表1
GB 6571
IFsM=250A
Ipn= 250A
Ir=200A
I psM = 200A
见表 4 步骤 [ 和 2
表2B组检验
焊接停留时间 5 ±1s, r =235 ±5c除低温为 - 55 C外,其余间试验条件 F1试验条件 H 5×10-2pa.cn*/s
试验条件C
见表 4 步廉 1 和 2
Te=60tit
f= 50Hz
f。= 10A,正半周导通角大于 176°Va=0.8Vn#m，负率周导通角大于150见表 4 步骤 1 和 2
目检标准按鉴定设计
试验条件 C 键链合力≥3000mN(内引线铜片)至少三个器件
GB 4023/ In= 4A In= 50g Im= 10mA2.2.2
2Rrai-≤15K/W
,=175 =340h
见表 4 步薪 1 和 2
被限值
最小值最大值
小批量质
量一致性
检验 n/e
6(C=0)
6(C=0)
12(C=0)
1(C=0)wwW.bzxz.Net
6tC=0)
c=0 16(C=0)
8(C=0)
12(C=0)
TTKAONKAa-
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2 分组
热冲击(玻璃应力）
引出端强度
图.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频报动
恒定加速度
最后测试：
C4 分组
盐气（适用时）
C6 分组 1)
稳态工作寿命
最后测试：
SJ50033/12897
表 3 C组检验
GJB 12B
见图1
试验条件A,0℃~100C,循环5次
试验条件A,W=25N1=15s
同B2 分组
同B2分组
免做预处理，循环10次
同AI分组
见表4步摄1和2
非工作状态，按14700m/s
0.5m,在Xt,Y1、Z,三个方向各冲击5饮非工作状态在X,、Y、Z每个方向各1min98000m/s
见表4步翼1和2
Te= 60tioc
f=50Hz±=1000h
1。20A.正半周导通角大于170
Vr=0.8Vxwm(pk),负半周导通角大于150°见表 4 步骤 1 和 2
表 4A组、B组和 C组电测试
检验或试验
正向电压
2DK14C
2DK15D
2DK15E
本规范
附录 B
GB6571
IFM=20A(pk)
图示仪法
x = 10
小批量质
量一数性
检验 n/e
6(C=0)
6(C=0)
6(C=0)
6(c=0)
12(C=0)
极限值
最小慎
最大值
检验或试验
2DK15F
2DK15C
2DK15D
2DKISE
2DKI5F
发向电流
5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按 GJB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
SJ50033/12897
续表4
GB6571
Ie=1A(pk)
图示仪法
VR=VRWM
6.1对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定。6.2订货资料
a.本规范的名称和编号
b.等级(见1.3.1)
d，需要时其它要求。
极限值
最小值
最大值
KAOKAca-
SJ50033/128-97
附录A
晶体管的外观及机械检验
(补充件）
在正常照明和正常视力条件下，进行外部目检，检查项目如下；a。标志的清晰度；型号、商标、检验批代码、质量等级标志。b，引出端识别。
c.机械缺陷、外观：不得出现引线断裂、玻璃绝缘珠炸裂、空洞、缺损及外壳缺摄、管帽变形等现象。
附录B
图示仪法测VrM
(补充件）
B1测试目的
在规定的条件下，用图示仪测试二极管的正向电压瞬时值。B2电原理图
D为被测二极管
R1：图示仪Y轴政样电阳
R2，图示仪X轴取样电阻
图B1正电压测试电路
B3测望要求
B3.1将图示仪正向扫描电压施加到二极管阳极上，并将Y轴电流限制在详细规范的I：额定值内，观测图示仪扫描波形测出正向压降V。B3.2将测试系统的正极和负极短路，测出整个测试系统在规定电流I条件下，串联电阻上压降V事。
B3.3按下式计算肖特基二极管的IF向电压降VrM- Vr- V$
SJ 50033/128 -- 97
\V.:0.1/度
图 B2肖特基二极管
I-VeM待性曲线
附录C
特性曲线检验
(补充件）
反向特性曲线显示和检查采用Y轴，10mA/格，X轴10V/格作为电流电压选择，调节扫描电压使击穿电流达到40一60mA，观案扫描波形。不得出现曲线抖动，变，双线，周期性的充放电，曲线间断，不连续担描拐角段噪声和击穿穿通，试验持续时间至少为5s。本试验是筛选后图示侵检验最后一个项目，必须100%进行。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由济南半导休元件实验所负责起草。本规范主要起草人朱志光、贾憨葬。计划项代号：BS1057。
TYKAONKACa-
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SJ 50033/128-97
半导体分立器件
2DK15型硅肖特基开关整流
二极管详细规范
Seniconductor discrete devicesDetail specification for fype 2DK15 SCHOTTKYsilicon switching rectifier diode1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2DK15型硅肖特基开关整流二极管详细规范
Semiconductor dlscrete devicesDelail specirication for type 2DK15 SCHOTTKYsilicon switching rectifier diode1范围
1.1主题内容
SJ50033/128-97
本规范规定了2DK15型硅肖特基开关整流二极管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33半导体分立器件总规范>1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、待军和超特军三级,分别用字母 GP,GT 和 GCT 表示。2 引用文件
GR4023一86半导体分立器件第2部分整流二极管GB6571一86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GB7581—87半导体分立器件外形尺寸GB 33—85
GB 128-86
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按 GJB 33 和本规范的规定。3.2设计和结构
器件的设计和结构应按GJB33和本规范图1的规定。3.2.1引出端材料和涂层
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01 实施
YIKAONKAca-
SJ 50033/128 97
引出端材料应为柯伐丝，引出端表面镀镍或浸锡。3.2.2器件结构
由二个芯片装配，并和底盘、引出端之间采用高温冶金键合结构。器件2DK15C.D.E.F各档为结构相似器件，在试验中可以相互替代。3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581的B2--01C及如下规定。见图1。2-.tp
1一正极，2一正极，负极接外壳图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
T,=75C
2DK15C
2DKISn
2DK1SE
2DK15F
B2--01C
-55-175
S 60033/128 -- 97
注： 1)当 T,超过它时,接 26存nA/线性地降额。3.3.2主要电特性（ =25）
em=20A(pk）
2DK15C
2DK15D
2DK15E
21K15F
3.4电溯试要求
最大值
Tp=-20A
Na= VrtiWa =0.8Vrwt Iμ= 5A
-55t IT =25
最大個
般大值
电测试应符合GB6571及本规范的规定。3.5标志
标志应符合 GIB 33 和本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
Tj=125c
最大值
thr=50g
最大值
f=1MHz
最大值
最大值
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定，当批盘小于500时,抽样采用小批量的LTPD抽样和固定抽样相结合的抽样方案。4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GIB 33 的规定。4.3筛选(适用于 GT和 GCT级)。筛选应符合GJB33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行。超过本规范表1极限值的器件应剔除。筛
(见 GJB 33 表 2)
1.内部目检
2.高温寿命
3.热冲击（温度循环）
4.恒定加速度
6.高温反偏
7. 中间电参数测试
B、电老炼
试验方法
(GIB 128)
测试或试验
试验条件：175C
试验条件：-35-150微环20次
98000m/ :(10000g)20g≤≤60s
Vr=D.7Vrwu Ta-125 (GT) I,=0 t=48hT,= 150C (GCT)
「条件见3.3.2
fe=60tiot,y = 50H
=10A.正半周导通角大于170
Vr=0.8 Vrm，负半周导通角大于150°t=$6h
质意保
证等级
GT、GCT
GT、GCT
GT,GCT
GT、GCT
GT、GCT
GT,GCT
TYKAOIKAca-
(见 GJB 33 表 2)
9. 最后测试
10.密封
11. 脉冲反向能量试验
12. 特性曲线检查
13.外观及机械检验
4.4质量一致性检验
试验方法
(GJB 128)
SJ 50033/128-97
测试或试验
4IRMl=初始值的100%或0.8mA,取较大者4VFMi = 100mV
试验条件 C
试验条件 H 漏率≤5 × 10 2Pa.cm/s试验方法见 4.5.2
打标志之后进行，见附录 A
质量一致性检验应符合 GJB 33和本规范的规定。4.4.1A组检验
A 组检验应按 GJB 33 和本规范表 1 的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GIB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GTB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合相应的表和下述的规定。4.5.1图示仪法测VrMo
VrM的测量见附件 B的规定。
4.5.2脉冲反向能量检验
质量保
证等缓
GT、GCT
GT,GCT
GT、GCT
脉冲反向能量试验应按图2所示电路实施，利用电感线圈的反向电动势，向肖特基二极管注入脉冲反向能，其数值和脉冲波形见图2及试验程序。4.5.3特性曲线检查
特性曲线的捡查应符合附录C的规定。4.5.4热阻
热阻测量按GB4023中2.2.3方法执行,所如功率引起壳温变化范围控制在20～70C范围内，并能用热电偶测量执行下列试捡条件。加热电流：In=5A th=50s
测量电流：Im=10mA
4.5.5检验条件,除非GJB128和本规范另有规定,所有试验和检验温度均为TA-25±3C。输入脉剂
输入脉冲：脉宽=2gg
占空比1:1
脉宽幅度 1~3V
脉冲个数 10 个
S:脉冲摘入开关
V。电源10V可调
试验程序
SJ 50033/128—97
DUT 被测肖特基二极管
L;ImH电感
Rs=0.1n 1w
Ri=S0n1W
R1.R2三极管基极分压电阻
T：大功率三极管耐压500V以上
A电流表
1.调节基极分压电阻,使三极管 T工作电流达到 1A。2.关闭S输人脉冲俏号，脉种信号个数为10个。3.观察脉冲输入波形,应符合要求。4. 检测被测肖特基二极管 VrM和 Ir 应符合要求。图2脉冲反向能试验电路。
表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械饸验
A2分组
GJE128
中2071
和附录 A
GB6571
LTPD符号
输出脉神·
钣限值
最小值最大值
TKAOKAca-
检验或试验
正间电压
2DK15C
2DK15D
2JK15E
2DK15F
2DK15C
2DKI5D
2DK15E
2DK15F
反向电流
A3分组
高温工作
反向电流
2DK1SC
2DK15D
2DK15E
2DK15F
低温工作
正向电压
2DK15C
2DKI5D
2DK15E
2DK15F
间电流
A4分组
脉冲反间
能量试验
反向恢复
A5 分组
【不适用】
A6分组
浪涌电流
—6—
本规范
附录 B
本规范
附录B
本规范
GB4023
SJ50033/128-97
续表1
GB 6571
Jrm=20A(pk)
图示仪法
Iru = 1A(pk)
避示仪法
Va- VRwM
TA=125t
Vr= Vrwm×0.8
TA=-5SC
图示仪法
I=20A(pk)
Vr= VWm×0.8
10个脉冲
脉宽2M5
Va= V(R)
f= 1MHz
时间间隔为 1min
脉宽为10ms
冲浪涌10次
被限值
鼓小值最大值
检验或试验
2DK15C
2DK15D
2DK15E
2DK15F
最后测试，
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击(温度循环)
B,细检涌
b.粗检漏
最后测试
B3分组
秘态工作寿命
最后测试：
B4分组
开帽内部目检
健合强度
芯片剪切强度
(适用时)
BS 分组
B6 芬组
高温筹命
(非工作状态)
最后测试：
$J 50033/128-97
续表1
GB 6571
IFsM=250A
Ipn= 250A
Ir=200A
I psM = 200A
见表 4 步骤 [ 和 2
表2B组检验
焊接停留时间 5 ±1s, r =235 ±5c除低温为 - 55 C外,其余间试验条件 F1试验条件 H 5×10-2pa.cn*/s
试验条件C
见表 4 步廉 1 和 2
Te=60tit
f= 50Hz
f。= 10A,正半周导通角大于 176°Va=0.8Vn#m，负率周导通角大于150见表 4 步骤 1 和 2
目检标准按鉴定设计
试验条件 C 键链合力≥3000mN(内引线铜片)至少三个器件
GB 4023/ In= 4A In= 50g Im= 10mA2.2.2
2Rrai-≤15K/W
,=175 =340h
见表 4 步薪 1 和 2
被限值
最小值最大值
小批量质
量一致性
检验 n/e
6(C=0)
6(C=0)
12(C=0)
1(C=0)wwW.bzxz.Net
6tC=0)
c=0 16(C=0)
8(C=0)
12(C=0)
TTKAONKAa-
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2 分组
热冲击(玻璃应力）
引出端强度
图.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频报动
恒定加速度
最后测试：
C4 分组
盐气（适用时）
C6 分组 1)
稳态工作寿命
最后测试：
SJ50033/12897
表 3 C组检验
GJB 12B
见图1
试验条件A,0℃~100C,循环5次
试验条件A,W=25N1=15s
同B2 分组
同B2分组
免做预处理，循环10次
同AI分组
见表4步摄1和2
非工作状态，按14700m/s
0.5m,在Xt,Y1、Z,三个方向各冲击5饮非工作状态在X,、Y、Z每个方向各1min98000m/s
见表4步翼1和2
Te= 60tioc
f=50Hz±=1000h
1。20A.正半周导通角大于170
Vr=0.8Vxwm(pk),负半周导通角大于150°见表 4 步骤 1 和 2
表 4A组、B组和 C组电测试
检验或试验
正向电压
2DK14C
2DK15D
2DK15E
本规范
附录 B
GB6571
IFM=20A(pk)
图示仪法
x = 10
小批量质
量一数性
检验 n/e
6(C=0)
6(C=0)
6(C=0)
6(c=0)
12(C=0)
极限值
最小慎
最大值
检验或试验
2DK15F
2DK15C
2DK15D
2DKISE
2DKI5F
发向电流
5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按 GJB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
SJ50033/12897
续表4
GB6571
Ie=1A(pk)
图示仪法
VR=VRWM
6.1对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定。6.2订货资料
a.本规范的名称和编号
b.等级(见1.3.1)
d，需要时其它要求。
极限值
最小值
最大值
KAOKAca-
SJ50033/128-97
附录A
晶体管的外观及机械检验
(补充件）
在正常照明和正常视力条件下，进行外部目检，检查项目如下；a。标志的清晰度；型号、商标、检验批代码、质量等级标志。b，引出端识别。
c.机械缺陷、外观：不得出现引线断裂、玻璃绝缘珠炸裂、空洞、缺损及外壳缺摄、管帽变形等现象。
附录B
图示仪法测VrM
(补充件）
B1测试目的
在规定的条件下，用图示仪测试二极管的正向电压瞬时值。B2电原理图
D为被测二极管
R1：图示仪Y轴政样电阳
R2，图示仪X轴取样电阻
图B1正电压测试电路
B3测望要求
B3.1将图示仪正向扫描电压施加到二极管阳极上，并将Y轴电流限制在详细规范的I：额定值内，观测图示仪扫描波形测出正向压降V。B3.2将测试系统的正极和负极短路，测出整个测试系统在规定电流I条件下，串联电阻上压降V事。
B3.3按下式计算肖特基二极管的IF向电压降VrM- Vr- V$
SJ 50033/128 -- 97
\V.:0.1/度
图 B2肖特基二极管
I-VeM待性曲线
附录C
特性曲线检验
(补充件）
反向特性曲线显示和检查采用Y轴，10mA/格，X轴10V/格作为电流电压选择，调节扫描电压使击穿电流达到40一60mA，观案扫描波形。不得出现曲线抖动，变，双线，周期性的充放电，曲线间断，不连续担描拐角段噪声和击穿穿通，试验持续时间至少为5s。本试验是筛选后图示侵检验最后一个项目，必须100%进行。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由济南半导休元件实验所负责起草。本规范主要起草人朱志光、贾憨葬。计划项代号：BS1057。
TYKAONKACa-
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