SJ 50033.129-1997 半导体分立器件 3DD155型低频大功率晶体管详细规范 SJ50033.129-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL596.1
SJ50033/129-97
半导体分立器件3DD155型
低频大功率晶体管详细规范
Scmiconductor discrete devicesDetail specification for type 3DD155low - frequency and high - power transistor1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DD155型低频大功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devicesDetail speciricalion for type 3DD155low-freguencyand high-power transistor1范围
1.1主题内容
SJ 50033/ 129- 97
本现范规定 3DD155 A～F型抵频大功率品体管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购1.3分类
本范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按（JB33(半导体分立器件总规范)1,3的规定，提供的质量等级为普军、特军和超特军三级，分用字世GP,GT和GCT表示。2引用文件
GB4587-94双极型晶体管
GB7581-87半导体分立器件外形尺小半导体分立器件总规范
GJB 33-85
GJB128-86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应符合GIB33和本规范的规定。3.2设计和结构
器件的设计机结构应按 GTB 33的规定。3.2.1引出端材料相涂层
引出端材料应为叫伐，引出端表面为锡层或镍层。3.2.2器件结构
器件为外延台面或三重扩散台面结构。中华人民共和国电工业部1997-06.17发布1997-10-01实施
TYKAONKACa-
3.2.3外形尺寸
SJ50033/129-97
外形尺寸应符合GR7581中的B2—018型的要求，见图1代号
2-中点
I一基极
2一发射极
外亮一集电极
图1 外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DDI55A
3D15SC
3FDI55E
3DD155F
Te=2sr
H2—01B
-55~175
SJ 50033/129-- 97
注；1)Tc>25时，按200nW/K的速率线性地降额。3.3.2生要电特性（T。=25℃)
极限值
YcE=5V
KT.：1525
3DD155
烧：25~40
黄：40~55
， 55 ~80
蓝：80-120
最大值
VrFanot
鼠大镇
注：1)陷55时，其误差小于±20%，h>55时.共误差小于110%。3.4电测试要求
电测试应符合GB4587及本规范的规定3.5标志
标志应符合GIB33及本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按 GJB33的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
Remi-e
Vee=10V
25℃最大值
筛选应按GIB33的表2和本规范的规定，其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范畏：极限值的器件应予剔除。筛
【见GJB33的表2】
3.热冲击
(温度循环）
7.中间电参数测试
8.功率老练
9.最后测试
试验条件：温度：-55--150℃，循环次数：20次；恒海各30min转换<3min
IcacC和hEEt
T = 162.5±12.5t
Ptat20w
Ven~25V
按本规范表1的A2分组
4Ic≤初始查的100%或100mA取较大者14阻≤初始值的20%
TYKAOIKAca-
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4.4质量一致性检验
质量致性检验按 GJB33的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4,2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉测试
脉外测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定，表 1 A组检验
GE4587
检验或试验
Al分组
外观及机域检验
A2分组
集电极一发好圾
击努电压
3DD155B
3DL155C
3DDI5SD
3P0155E
30155F
发射披一基极
击穿电压
渠电极一荔板
截止电话
集电极一发射摄
截上电流
集电极一发射极
饱租电
禁极一发射极
饱和电压
正向电流传输比
CJB128
本规范
附录 A
发东板基段汁路；
Ie-IaA
集电极一基梭开路：
发射极一越般Ⅱ路；
Ver= Vcisn
发射极-基锻开路：
Vee-0.s Ycro
脉冲法(见4.5.1)
脉冲法(见4.5.1)
Vce - SV
脉冲法（见4.5.1)
最小值！最大值
VHROEO
检验或试验
A3分组
高温工作
电极—基极
截止电流
低湿工作
正向电流传输比
A5分组
安会工作区
（直流）
试验1
试验2
试验3
3DD155A
3001558
3DD155C
3DI155E
3DD155F
最启测试
格验或试验
BI分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
SJ 50033/129--97
续表1
GB4587
T,- 125±5T
发射圾一基极开路
Vcn=0.7V(0
TA- -ss
Ve= 5V
脉冲法(见4.5. 1)
Te=25r
= 1s, 单次
Vce = 15V, Ir -2A
VcE = 25V, Ic.- 1.2A
Vee = 50V,
Ie=320mA
Ve= 100V.
le=83mA
Vc=150V,
Ic - 38mA
Ve.=200V,
Ic= 22mA
Vce= 250V,
Ic= 14mA
VE -- 300V.
fe=10mA
见表4步骤1和3
表2B组检验
GB 128
极限值
最小值α大值
极限值
最人值
TTKAONKAa-
检验或试验
热冲击
【温度循环）
a）细检漏
b)粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
H4 分组
（仅对GCT级）
开幅内部月检
（设计核实）
键合强度
B5分组
B6分组
商温寿命
（非工作状态）
最后测试
检验或试验
C1分组
外形尺十
C2 分组
热冲击
（玻璃应力）
GR4587
SI50033/129-97
续表2
GB 128
温度：-55~150℃；
循环饮数20次
恒温各30min
转换<3min
试验条件 H
试验条件 F
见表4步1和3
T, * 162.5= 12.5
Vee - 25V
Pa=20W
t= 340h
见表 4 步骤 2 和1 4
试验条件 A
VcE=10V
25t≤T≤757
Ta # 175t.
见表 4损2和 4
每批1
个器件
，0失效
20=0）
表3C组检验
CJE128
见图1
试验条件B0*5~100-5
最小值最大值
检验或试验
引出端强度
a)细密谢
b)粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外规及机械检骑
最后测试
C3分祖
变颊摄动
慢定加退度
最后测试
CA4 分组
（仅供海用）
战气(侵蚀)
C6分经
稳态工作寿命
最后溉试
集电极一基极
截让电流
果电极—基极
截上电流
SJ 50033/129 - 97
续表3
GJB128
试验条件A
受试滞数：2
加=20N
t = 10s
试验条件H
试验条件F
4个周期
见表4步骤「和3
按总规范
按总规范
按总规范
见表 4步骤1和 3
TA - 162.5 - 12.5.bZxz.net
VcE=25V
Paor≥20W
r= 1000h
见表4步暴2和4
表 4A组、B组和 C组最后测试
向电沉传输比
GB4587
发射极一基极开路
Vcn = Yero
发射极一基极开路
Veg\ Veeo
VcR=5V
脉冲法(（见4.5.1)
玉FEI
最大道
TTKAONKAa-
正向电流传输比
SJ50033/129-97
续表4
GB4587
2.8 ！ Vcn=5V
脉冲法(见4.5.1)
注：1）本测试超过A组极限值的器件不应接放、5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按 GJB 33的规定。
5.2存要求
存要求应按 GJB 33的规定。
5.3运输要求
送输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
符合本规范的器件提供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a）本规范的名称和编号；
b) 等级(见1.3.1);
c)数量；
d）需要时,其他要求。
极粮值
最小值最大值
初始值的25%
6.3.对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。6.4如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.5直流安金工作区，见图2。
SJ50033/129—97
Te-25t
3DDI55A
3DDISSE
3DD155C
3DDI55D
3D155E
3DDI55F
100200300
第电极一发射极电压V.r(V)
150250
图23DD155型直流安全工作区
KAOKAca-
Al目的
SJ50033/129-97
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的月的是为了在规定条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
注；在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图A1集电极一发射极击穿电压测试电路图A3测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏暨条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在期定的测试出流所压大予V(BRICEO的最低极限，晶体管为合格：加的电
本测试方法用于表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情说下，必须使品休管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定案件
a.环境溢度TA:
b.测试电流Ico
1 10 1
附加说明：
SJ50033/129-97
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第八七七厂负贵起草。本规范主要起草人：王保桢，仁明。计划项目代号：B51049。
YKAONKAca-
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