SJ 50033.130-1997 半导体分立器件 3DD159型低频大功率晶体管详细规范 SJ50033.130-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/130-97
半导体分立器件3DD159型
低频大功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 3DD159low - frequency and high -- power transistor1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DD159型低频大功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 3DD159low-freq uency and high - power transislor1范围
SI 50033/130-97
1.1主题内容
本规范规定了3ED159A～G型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GIB33（半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质量保证等级为普军特军和超特军三级、分别用字母GP,GT和GCT表示。2引用文件
G.34587-94双极型晶体管
GR7581-87半导体分立器件外形尺寸GJR 33—85
半导体分立器件总规范
GJB128--86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应符金GB33和本规范的规定。3.2设计租结构
器件的设计和结构应按GIB33的规定3.2.1出端材料和涂层
引湛端材料应为可伐，引山端表面为锡层或镍层。3.2.2器件结构
器件为二重扩散台面结构。
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
TKAOKAca-
3.2.3外形尺寸
SJ 50033/130-97
外形尺寸应符 GB 7581 中的 B2—01C 型的要求,见图 1。代号
亚尚端极性
2.发射极
外壳：集电极
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最火额定值
3DDI594
3DDI59B
3DD159C
3DD159D
3DDI59E
3DDI59G
Te= 25C
图1外形图
注：1)Tc>25C时,接0.5W/K的速率线性地降额。2
E2—01B
55~175
3.3.2主要电特性(TA=25℃)
极限值
3DD159A
3DDI59B
3DDI59C
3DDI59E
3DD159G
Vce = 5V
红 15 ~ 25
橙25-40
黄 40 ~ 55
绿55-80
默80~120
紫 120~180
SJ 50033/13097
最大值
VrEant
最大值
注：1)E/55时，其误差小于±20%，h>55时，其误差小于±10%。3.4电测试要求
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
器件的标患应符合GJB33及本规范的规定。4质量保证规定
4.1抛样和检验
抽样和检验应按 GJB 33的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GIB 33的规定。
4.3筛选(仪对GT和GCT级)
Rchij-e
Vee= 10V
25t≤Te75t
最大值
筛选按GJB33的表2和本规范的规定。共测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予除。
(见 GJI3 33 的表 2)
3.热冲击
(温度循环)
7.中间电参数测试
8.功率老综
9.最后测试
4.4质量一致性检验
测试或试验
试验条件;温度：-55~+150它,循环次数:20次IcRoi和 hFEi
T=162.5=12.5c
Vce =25V
按本规范表1的A2分组
c≤初始值的100%或200A取较大者14hFE/≤初始值的20%
TYKAOIKAca-
SJ 50033/130-97
质量一致性检验按GJB33的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验
梭验或试验
A1分组
外观及机戒检验
A2 分组
集电极一装射极
击穿电压
3DD159A
3DD1S9B
3DDI59C
3DDI59E
3DD159F
3DD159G
发射极一基极
击穿电压
电极一基极
截止电流
集电极一发射极
载止电流
集电极一发射极
炮和电压
基极--发射极
炮和电压
正向电流传输比
GJB128
本规范
GB4587
发射极基极开路
附录 AIc3mA
集电极一基极开路；
Ig=ImA
发射极一基披开路；
Vca= VeRao
发射极一基极开路；
Vee0.SVeo
脉冲法(见4.5.1)
脉冲法(见4.5.1)
Vee=SV
脉冲法（见4.5.1)
VBRICHO
VaBR)EBO:
极银值
最小值最人值
检验或试验
A3分组
高温工作
集电极—基极
截止电流
低温工作
正尚电流传输比
A5分组
安全工作区
(直流）
试验 1
试验2
试验3
3DD159A免费标准下载网bzxz
3DT159R
3DD159C
3DD159D
3DD159E
3DU159F
3DI59G
最后测试
SJ50033/130—97
续表1
GB4587
TA=125±5
发射极--基极开路
Va-0.7Vun>
Ta= -53r
VcE=SV
脉神法(见 4.5. 1)
Te=25c
= jg, 单次
Vce - 15V. Ie = 5A
Vce +25V, Ie- 3A
Ie800mA
Vce-100v.
1=180mA
VeR= 150V,
Ic=70mA
VcE = 200V,
f=42mA
Vce=250V,
1=28mA
Vce = 300V,
fe=17mA
VeE -- 400V,
I-10mA
见表 4 步骤 1 和 3
极限值
最大值
TTKAONKAa-
楹验或试验
BI分组
可焊性
标志耐久性
2分组
热冲击
(温度循环）
a)细检漏
b) 粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作游命
般后测试
B4分组
(对 GCT 级
开帽内部月捡
【设计较实】
键合强度
B5 分组
高温寿命
（非工作状态）
最后测试
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2分经
GB4587
SJ 50033/130-97
表 2 B组检验
GB 128
温度：- 55--150℃;
循环次数20次
恒温备30nirl
转换t<3mit
试验条件H
试验条件F
见表4步兹1和3
T,= 162.5±12.5℃
Vee=25V
r=340h
见表 4 步骤 2 和 4
试验条件A
Vce= 10V
25C≤Te≤75℃
TA=175C
见表4 步骤2 和4
每批1个器
件，0失效
20(C0)
表3 C组检验
GJB[28
见图！
Rtahji-
极限值
最小值
最大值
检验或试验
热神击
（玻璃应力）
引出端强度
a）细检漏
) 粗漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后诞试
C4分组
（仅供游用）
盐气(侵蚀)
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
集电极--基极
截止电流
集电极一基极
截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ50033/130-97
续表3
GJB128
试验条件B0*-100st
试验条件 A
受试端数;2
加力=20N
1= 10s
试验条件 H
试验条件F
见表 4 步骤 1 和 3
按总规范
按总规范
按总规范
见表 4步骤1 和3
TA=162.5=12.5
Vee25V
t1000h
见表 4 步骤 2 和 4
表4A组、B组和IC组最后测试
GB4587
发射极一基板并路
2.1 / VcR= VeHo
发射极一基圾开路
2.l Va= Vao
2.8 .Ve=5V
:脉冲法(见 4. 5.1)
2.8 Va=5V
脉冲法(见 4.5.1)
注：1）本测试能过A组极限值的器件不应接收件
极限镇
最小值：最大值
初始值的25%
TKAONKAa-
5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按 GJB 33 的规定。5.2贮存要求
贮存要求应按 GJB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应按GIB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
SJ50033/130-97
符含本规范的器件提供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a）本规范的名称或编号；
b)等级(见1.3.1);
e)数量：
d）需要时,其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)6.4如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.5 直流安全工作区,见图 2
3DD159A
3DDIS9B
3DD159C
3DD159D
3RD159E
3DD1S9F
3DD159G
Te=25t
50100200300
集电极一发射极电压V(V)
图23DD159型直流安全工作区
A1目的
SJ50033/130-97
附录A
电极一发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的目的是为了在规定条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表设作因电流表压降的校正。图A1集电极一发射极击穿电压测试电路图A3测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试也流所的电压大于V(uCn的最低极服，晶体管为合格。本测试方法用于表现晶体管的负限击穿特性，在这种情况下，必须使品体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
a.环境混度TA:
b.测试电流Ic。
TYKAOIKAca-
附加说明：
SJ50033/130-97
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第八七七厂负责起草。本现范扌要起草人：王保桢、蔡仁明。计划项目代号：B51049。
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