SJ 50033.131-1997 半导体分立器件 3DD157型低频大功率晶体管详细规范 SJ50033.131-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/131-97
半导体分立器件3DD157型
低频大功率晶体管详细规范
Scmiconductor discrete devicesDetail specification for type 3DD157 low -frequencyand high - power transistor
1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DD157型
低频大功率晶体管详细规范
Serniconductor discrete devicesDetail speciticatlion for type 3DD157 low -- frequencyand high - power transistor
1范围
SJ 50033/131- 97
1.1主题内容
本规范规定了3DD1.57型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求1.2适用范町
木规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范》1.3的规定，提供的质量等级为曾军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4587-94双极型晶体管
GB7581—87半导体分立器件外形尺寸GJB33--85半导体分立器件总规范GJB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各顶要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计和结构
器件的设计和结构应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引归端材料应为可伐，引出端表面应为锡层或镍层。3.2.2器件结构
器件采用三重扩散台面结构。
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
ITKAONKAca-
3.2.3外形尺寸
ST50033/131-97
外形尺寸应符合GB7581的B2-01C型（见图1)。电0.5@
B2-01C
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
引出端极性
2.发射极
集电极接管壳
图1外形图
B2—01C
3DDI57B
3DD1S7C
3DD157D
3DD157E
3DL57F
3DD157G
Te=25c
SJ 50033/13197
详：1)Tc>25C时，按0.3W/K的速率线性地降额。3.3.2主要电待性（TA=25℃）
极限值
3DD157B—F
Vee=5V
15~270
色标分档
红：1525
橙：25~40
黄：40-55
绿，55~80
蓝：80 -120
紫：120-180
灰：180—270
注：hF≤55时,其误差小于±20%he>55 时,其误差小于±10%。
3.4电测试要求
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
器件应符合GJB33和本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽择和检验应按GJB33稚本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GJB 33 的规定。VeRO
最大值
-55~175
R(thi-e
Vee = 10V
25t≤r≤75
最大值
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规3
TKAONKAa-
范表1极限的器件应予剔除。
(见 GJB 33 的表 2)
3.热冲击
(温度循环）
7.中问电参数测试
8.功率老炼
9. 最后测试
4.4质量一致性检验
SI 50033/131-97
试验条件 F—1, 循环 20 次
但温度：~55c
fexn和hEl
功牵老炼亲件如下：
T,=162.5±12.5℃
Vee=25V
按本规范表1的 A2分组
溅试或试验
4Icx01初始值的 100 %或 200μA 取较大者。1FE初始值的20%
质量一致性检验应按 GJB 33的规定。4.4.1 A组检验
A 组检验应按 GIB 33 和本规范表 1 的规定进行。4.4.2B组检验
B红检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C 组检验应按 GJB 33 和本规范表 3 的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试条件应按GJB 128的3.3.2.1的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
必观及机撼控验
A2分组
集电极一发射极
击穿电压
3DDI57B
3DDI57C
3D157D
GJB128
本规范
附录 A
GB4587
发射摄一基极开路;
最小值最大催
VCTRICEO
检验或试验
3DD157E
3DI57F
3DDI57G
发射极一基极
击穿电压
集电极一基极
截止电流
集电极一发射极
截止电流
集电极一发射极
饱和电压
基披一发射极
饱和电压
正向电流传输比
A3分组
高温工作
集电极一基极
截止电流
低温工作
正向电流传输比
A5分组
安全工作区
(直流）
试验1
试验2
试验3
3DD157B
3DD157C
SDR57E
SI 50033/131-97
续表1
GB4587
集电极一基极开路；
Ig=ImA
发射极一基极开路；
Vce= Ycro
发射极一基极并路；
Vc = 0.5 Vcea
脉冲法(见4.5.1)
Vep-sV
脉冲法(见4.5.1)
T=125±5
发射极一-基极开路
Vca =0.7Vc0
Ta= -s5t
VcE=SV
脉冲法(见4.5.1)
Te=25r
t=18,单次
Vee= 15V
4c= -3A
Ver=25V
Vce 1UV,
:Ie87mA
Vee=150V.
Ie=62mA
Vo--200V.
fe=36mA
VeE=250V,
le=23mA
V(BRIFRO
VcEant
极限值
最小值
最大值
TTKAONKAa-
检骑惑试验
3DD157F
3DD157G
最后测试
检验或试验
B1分组
可焊性
标志耐久性
H2分组
热冲击
(温度循环)
a）细检操
b)粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
E4 分组
（仅对GCT级）
开帽内部目检
(设计核实)
键合强度
B5分组
B分组
高温寿命
（非工作状态）
最后测试
GB 4587
SJ 50033/131- 97
续表1
GB4587
Vce = 300V,
Ic=17mA
Vce= 400V.
Ie=10mA
见表 4 步骤 1 和 3
表 2 B 组检验
低：-55c；
其余为试验条件 F-
试验条件H
试验茶件F
见表4步骤1和3
T,-162.5±12.5℃
Vee -25V
Pa≥30W
见表 4步骤 2 和 4
试验条件 A
VeE10V
25C≤T≤75℃
TA-175℃
见表 4 步骤 2 和 4
极限值
最小值
最大值
极限值
最小值最大
每批一个器件，0
20 点(C=0)
Rochji-
检驼剪试验
C1分组
外形尺寸
C2 分组
热神击
(皱璃应力)
引出端强度
a）细检漏
b)粗论漏
综合温度/显度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变颊振动
恒定加速度
最后测试
C4 分组
【仅供海用】
盐气(侵蚀)
C6 分组
稳态工作寿命
最后测试
检验或试验
乘电极一基极
截止电流
集电极一基极
截止电流
SJ50033/13197
表 3C组检验
GJB128
见图1
试验条件B
试验条件 A
受试端数：2
加力：20N
1 = 10s
试验条件H
试验条件 F
见表 4 步骤 1 和 3
见表4步骤1和3
T-162.5±12.5t下载标准就来标准下载网
Ve = 25V
Pa≥30w
见表 4 步骤 2 和 4
表4A、B和C组最后测试
GB4587
发射极一基极开路
VenVao
发射极一基极开路
Vc= Veo
极限值
最小值最大值
TKAONKAa-
检验或试验
正向电流传鞍比
正向电流传辅比
变化量
SJ50033/131-97
续表4
GB4587
Vce= 5V
脉冲法(见 4.5.1)
脉冲法(见 4.5.1)
注：1)本测试超过 A组极限值的器件不应接收。交货准备
5.1包装要求
包装要求应按 GJB 33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按 GJB 33的规定。
5.3运轮要求
运输要求应按GJB 33 的规定。
说明事项
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后保障用。6.2订货要求
合同或订货单应规定下列内容：a）本规范的名称和编号：
b）等级(见1.3.1);
c)数量；
d）需要时，其它要求。
极限值
最小值最大值
初始值的25%
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，在合同或订货单中规定（见3.2.1）6.4如需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。6.5直流安金工作区，见图2
SJ50033/131-97
3DD157B
3DD157C
3DD157E
3DD157F
VeetV)
图23DD157B~G型直流安全工作区9
YKAONKAca-
Al目的
SJ50033/131-97
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件)
本测试的目的是为了在规定条件下确定品休管的击穿电压是否大于规定的最低极限值。A2測试电路
注：在测试电流时，电流裘的接头之间实际上可以着成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图A1集电极-发射极击穿电压测试电路图A3测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏暨条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压人于V(ER)CEo的最低极限，晶体管为合格。本测试方法用于表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
a：环境猛度TA：
h.测试电流Ico
附加说明：
SJ 50033/131—97
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由辽宁晶体管厂负责起草。本规范主要起草人：佟桂云、张国俊，赵树启。计划项目代号：B51051。
YKAONKAca-
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