SJ 50033.134-1997 半导体分立器件 3DD167型低频大功率晶体管详细规范 SJ50033.134-1997 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/134-97
半导体分立器件
3DD167型低频大功率晶体管
详细规范
Scmiconductor discrete devicesDetail specification for type 3DD167low -- frequency and high -- power transistor1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DD167型低频大功率晶体管详细规范Semicoductordiscrete devicesDetail specification for type 3DD167low - Irequency and high - power transistor1范围
SJ50033/134-97
1.1主题内容
本规范规定了3DD167B～F型低频大功率晶体管（以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质盘保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33（半导体分立器件总规范》1.3的规定，提供的产品保证等级为普军、持军和超待军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4587-94
GB 7581-87
GB 12300--9D
GJB 33—85
GIB 128—86
3要求
3.1详细要求
双极型晶体管
半导体分立器件外形尺寸
功率晶体管安全工作测试力法
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计和结构
器件的设计和结构应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐，引出端表面应为锡层或镍层。3.2.2器件结构
中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
ITKAONKAca-
SJ 50033/134 97
器件采用扩散台面或外延台面结构。3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581中的B2—01D型及如下规定。见图1。R
1一基极
2—发射极
集电极接外壳
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DD167B
3DD167C
3DDI67D
3DDI67E
3ID167F
Te-25c
图 外形图
注：1)Tc>25T时，按1.5W/K的速率线性地降额。2
B2—01D
- 55 ~ 175
3.3.2 主要电特性(T。=25C)
VcE-5V
极限值
3DD167BF
橙25~40
黄：40~55
绿：55~80
蓝： 80 ～120
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最大值
注：1)hm40时其误整小于±20%hE>40时，其误差小于±10%。
3.4电测试要求
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
器件标志应符合GJB33及本规范的规定。4质量保证规定
抽样和检验应按GJB33的规定。
4.1抽样和检验
4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GJB 33 的规定。4.3筛选（仅对GT和GCT级）
VsEast
最大值
R(ti-α
Vee=10V
最大值
筛选应按 GIB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1 极限值的器件应予剔除。
【见 GB 33 的疫 2)
3.热冲击
(温度循环）
7. 中间电参数测试
8.功率老炼
9.最后测试
4.4质量一致性检验
试验条件;F—1
循环：20饮
温度：55
Tcaor 和 h E
測试或试验
功率老炼条如下：
T,=162.5±12.5t
VeE=25V
按本规范表1的A2分组
4Icml≤初始值的100%或0.5mA联较大者14hEl初始值的20%
TYKAOIKAca-
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质量一致性检验应按GJB 33的规定。4.4.1A组检验
A 组检验应按 GJB 33 和本规范表1 的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C 组检验
C组检验应接 GIB 33 和本规范表 3 的规定进行。4.5检验试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1 脉冲测试
脉冲测试条件应按 GJB 128 的 3.3.2.1 的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械构验
A2分组
集电极一发射极
击穿电压
3DD167B
3DD167C
3DD167D
3DD167E
3DD167F
发射极一基极
击穿电压
集电极一基磁
截止电流
渠电极一发射极
截止电流
集电极一发射极
饱和电压
基极一发射极
绝和电压
正向电流传输比
A3分组
高温工作：
集电极一基极
截止电流
方法！
GJB128
本规范
附录A
GB4587
1发射极一基极开路；
: -=mA
2.9.2.2：集电极--基极开路：
Ir=SmA
发射极一基极开路;
VrR = VeR)
发射极一基极开路；
Vce =0.5VcEo
脉冲法(见4.5.1)
脉冲法(现 4.5.1)
Ves= 5V
脉冲法(见4.5.1)
TA= 125 ±5C
发射极一基极开路
Vcg=0.7Vo
VRR)CED
Y(BR)EBO
VcBtot
极限值
最小值最大值
检验或试验
低温工作；
正向电流传输比
AS分组
安全工作区
(直流）
试验1
试聆2
试验3
3DD167B
3DD167C
3DD167P
3DD167E
3DD167F
最后测试：
检验或试验
B1分组
可焊性
标志耐久性
B2 分组
热冲击
(温度循环）
a）细检漏
b)粗检漏
最后测试：
B3 分组
按图2
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续表1
GB4587
TA= - 55℃
脉冲法(见4.5.1)
Te=25r
GB 12300 ± = 19, 单次
Vce =15V
Ic= t5A
Vce=25V
Ver=100V
Te=218mA
Vce= 150V
c=72mA
Vee=200V
Ic=30mA
Vcz=250V
ic=16mA
VeE=300V
fe=10mA
见表4步1和3
表 2 B组检验
温度：-55℃
其余为试验条件;F--1Www.bzxZ.net
试验条件 H
试验条件C
见表 4 步骤 1 和 3
极限值
最小值最大值
极限值
最小值最大值
TTKAONKAa-
检验或试验
稳态工作寿命
最后溅试：
B4分组
（仅对 GCT级）
并帽内部目检
(设计核实）
键合强度
B5 分组
B6分组
高温寿命
(非工作状态)
最后测试
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2 分组
热冲击
(玻璃应力）
引出端强度
a）细检溺
b)粗检漏
综台温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试：
SJ 50033/134-97
续表2
T,=162.5±12.5C
Vee=25V
Pw≥112.5W
见表4步骤2和4
试验条件 A
VcE=10V
GB 4587,
25≤75℃
TA=175C
见表4步架2和4
每批1个器
件,0失效
20(C=0)
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件B
试验条件A
外加力：20N
时间：10s
试出端数：2
试验条件H
试验条件C
见表4步骤1和3
极限值
最大值
最小值
C3分组
检验或试验
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
(适用时）
盐气(侵蚀)
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
集电极一基极
截止电流
集电极一基极
截电流
正向电流传输比
，正间电流传输比
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续表3
GJB128
见表 4 步骤 1 和 3
Tx= 162.5±12.5c
Vc=25V
Pu≥112.5w
见装4步2和4
表4A组、B组和 C组最后测试
GB4587
发射极一基极开路：
Vea= Vcao
发射极一基极开路
Vaa= Vcho
脉冲法(见4.5.1)
VeE=5V
脉冲法（见.5.1)
注：1)本测试超过 A 组极限值的器件不应接受。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按 GJB 33的规定。
5.3运输要求
入=10
极限值
最小值
最太值
初始值的25%
TKAONKAa-
运输要求应按GIB33的规定。
6说明事项
S50033/134—97
6.1预定用途
符合本规范的器件提供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a）本规范的名称或编号！
b）等级(见1.3.1);
e）数量；
d)需要时，其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1）6.4如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.5直流安全工作区见图2。
Te=25c
3DD167H
3DD167F
集电极—发射极电压Vc(V)
图23DD167的直流安全工作区
200300
A1目的
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附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的日的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图A1集电极一发射极击穿电压测试电路图A3测试步骤
限流中阻 R1 应足够大,以避免过度的电流流过晶体管和电流表，施加规定的偏置条件，增加电压达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于VBR>CEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法用于表现晶体管的负阻穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
a.环境温度TA：
b.测试电流Ico
YKAONKAca-
附加说明：
S.I50033/134-97
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所起草。本规范主要起草人：蔡仁明、王保桢。计划项国代号：B51019。
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