SJ 50033.140-1999 半导体分立器件 3DA502型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 SJ50033.140-1999 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国申子行业军用标准FL5961
SJ 50033/140—99
半导体分立器件
3DA502型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
Seniconductor discrete devicesDetail specification for type 3DA502silicon microwave pulse power transistor1999-02-02批准
1999-07-01实施
中华人民共和国信息产业部批准1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DA502型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
Semiconductor dlserete devicesDetall specifieation for type 3DA502silicon microwave pulse power transistor1.1主题内容
SI 50033/140 -99
本规范规定了3DA502型硅微波脉冲功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33A一97《半导体分立器件总规范>1.3的规定，提供的质量保证等级为普年级、特军级和超特军级三级。分别用字母JP、JT和JCT表示。2引用文件
GB 458794
GIB 33A—97
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件总规范
GJB128A—97半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33A和本规范的规定。3.2设计和结构
器件的设计和结构应按GJB33A和本规范的规定。3.2.1引出端材料和镀涂层
发射极和集电极引出端材料为可伐合金带，基极引出端为钨铜，引出端表面镀金。3.2.2器件结构
中华人民共和国信息产业部1999-02-02发布1999-07-01实施
YIKAONKAca-
SJ50033/140-99
本器件是采用硅外延平面结构的NPN型晶怀管并具有阻抗匹配网络。3.2.3外形尺寸
外形尺寸见图1
E——发射极
B——基极
C——集电极
图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
搬限值
3DA502A～C
Te=25t
注：1）T>25℃时按0.29W/K线性降额。Je
过激励
VSWR2)
输出端
2）全相位抗失配在540MH和610MHz两点拉驻波（P。≥120W）。3.3.2主要电特性(T,=25)
- 65-200
3DA502A
3DA502B
3DA502G
注；1）直滇法测试。
SU50033/140-99
Vca = 37V
1g=3001g=0
2)允许带内波动 1.5dB。
3.4测试要求
Vuc=37V.fo:540610MHz
P = 20W(A,B. +P;- 18W(C)
tw = 500μs, D = 15 %
电测试应符合GJB 33A及本规范的规定。3.5标志
器件上应有如下标志；
进）器件型号：
1）质量保证等级；
e）承制方标志；
d)极性标志。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验按GJB33A和本规范的规定。4.2监鉴定检验
鉴定检验按GIB 33A和本规范的规定。4.3筛选（仅对IT和JCT级）
VcE-17V
输入端
筛选应按GJB33A表2和本规范的规定进行。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应剔除。筛选要求
见GIB33A表2
2高温筹
3温度循环
4恒定加速度
10高温反偏
11中间溅试
试验方法
GJB128A方法
JT和JCT级
试验条件 F,20 饮
9800m/g，Y方向
Ta -150C, Vα=37V,t=48h
TYKAOIKAca-
见 GJB 33A 表 2
12功率老炼
13最后测试
4.4质量致性检验
SJ 50033/140--99
筛选要求
试验方法
GJB128A方法
JT和JCT级
T,=187.5±12.5cVece= 12V
P20W.160h
4[cmo为初始值的100%或0.5mA取较大者，14初始值20%
质量一致性检验应按GJB33A和本规范的规定进行。4.4.1 A组检验
A组检验应按 GJB 33A 和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验
B组检验应按GJB33A和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按 GIB 33A 和本规范表 3的规定进行4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应表中规定的方法进行。4.5.1直流参数测试或脉冲测试应分别按GB4587或GJB128A相应方法测试。表 1 A组检验
GB4587
检验或试验
Al分组
外观及机械检验
A2分组
集电极一基极
击穿电压
发射极一基极
击穿鬼压
集电极一幕极
截止电流
正向电流传输比
集电极一发射极
饱和电压bzxZ.net
发射极一基极
截止电流
除非另有规定，
GJB128A
IV.1.10.2
发射极开路
fe=10mA
集电极开路
Ig=10mA
发射极开路
Vea=37V
Y(BR)CRO
V(BR)EBO
Ve=5V. Ic=2A
集电极开路
VcEt arn)
披限值
最小最大
摘样方案”
LTPD=5
116(C=0)
检验或试验
A3分组
高温工作
集电极-基极
截止电流
低温工作
正向电流传输比
A4分组
功率增益
3DA502A
3DAS02B
3DA502C
SJ50033/140—99
续表！
GB4587
除非另有规定，
Ta=25r
附录A
TA=150C
VcB=37V
T= -sst
Vc=5V,Ig-2A
直流法
f.=540~610MHz
P,= 20W(A,B)
P,=18W(C)
tw = 500μs
D= 15%
极限值
最小！最大
拙祥方案1）
116(C=0)
116(C=0)
注：1）当样本母数不能满足抽样要求时,可采用GJB33一85规定的描样方案小批量质量一致性检验时的 A 组检验可 100 %进行。
2)允许带内波动1.5dB。
表2B组检验
抽样方案
鉴定检验利
GJB128A
检验或试验
B1分组
可焊性
耐溶剂
B2 分组
热冲击(温度循环)
密封试验
a.细检漏
试验条件F,25 次
试验条件 H1
P=4个大气压
大批盘的
质量一致性
小批量的
质量一致
性检验
极限值
TTKAONKAa-
检验或试验
b.粗检漏
后測试
B3 分组
稳态工作寿命
最后测试
B4 分组
开帽内部目检
(计验证)
键合强度
B5 分组
热阻(EB正向法）
B6分组
高温寿命（不工作）
最后测试
检验和试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力）
GB 4587
S50033/140--99
续表2
抽样方案
鉴定检验和
GJB128A
50mPa*cml/s
试酸条件 C
表4步骤1,3,4
T=187.5±12.5c.
Vee=10V,Pu20W
表4步骤2,5
目检标准按鉴定时的设计
可用电参数不合格的器
件，至少三个器件
Yα=17V,I=2A
Ta = 200C.340h
表4步骤2,5
大批量的
小批量的
质量一致
质量一致性
性检验
每批1个
器件零失效
LTPD= 10
表 3 C组检验
GJB 128A
见图1规定尺寸
试验条件A
极限值
抽样方案
监定检验和大
批量的质量一
致性检验
小批量的质量
一致性检验
检验和试验
引出端强度
密封．
在细检
b.粗检游
外观及机械检验
最后测试
C3分组
扫频振动
恒定加速度
最后測试
C6分组
毯态工作寿命
般启测试
注未指明的分组不适用。
GB4587
集电极基极
截止电流
集电极-基极
截止电流
SJ50033/140--99
续表3
GJB128A
试验条件A,F=5N,t=10s
受试引线数;2
试验条件H1,P=4个大气压，
t = 4h, 50mPa*cn/s
试验策件 C
表4步骤1,3.4
9800m/92.0.5m9
9800m/s2Y1方向
表4步骤 1,3,4
1000h，同B3分组
表 4 步躲 2,5
表4B组和C组的最后测试
集电极一发射极
IV.1.4.1
饱和电压
正向电流传辅比
正向电流传摘比
发射极开路
Va=37V
发射极并路
Ve=37V
Vce=5V Ic=2A
Voe=5VIc=2A
注：1)对于本试验,超过A组检验极限值的器件不应接收。抽样方案
鉴定检验和大
批量的质量一
致性检验
Vce(st)
小批量的质量
一致性检验
极限值
初始值的±30%
TTKAONKAa-
交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33A的规定。
5.2存要求
贮存要求应按 GJB 33A的规定。5.3运输要求
运输要求应按GIB33A的规定。
说明事项
预定用途
SJ50033/140—99
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勘保障用。6.2订货资料
合同和订货单应规定下列内容；。本规范的名称和编号；
b.等级(见 1,3.1);
c.数量；
d.要时,对顶降,过激励、抗失配检验等其它要求。 8
A1目的
SJ50033/140—99
附录A
微波功率晶体管输出功率Pu及功率增益Grp测试方法(补充件）
测量晶体管在规定条件下的射频输出功率及功率增益。A2框图
图中：G为射功率信号源；
【为隔离器；
N，为输人匹配网络；
N为输出匹配网络；
CM为被测品体管电路；
B为直流偏量电路；
P为射频功率计。
A3电路说明和要求
在400MHz以下测试时，输入及输出匹配电路一般采用集总参数电路。在400MHz至5GHz测试时应采用分布参数电路（如三短线同轴调配器）。功率信号源一般是连续的正弦信号，其频率准确度和稳定度应够高，二次、三次谐波分量应足够小。若为脉冲或其它信号源应该特别注明。隔离器的反向隔离度应足够大，以减小测试过程中影响信号源输出的稳定性。射频功率计的指示反应要迅速，惰性不能大，但功率指示值不应与波形有显著的关系，一般需选用量热式功率计。
测试系统的插入损耗应足够小,对P。及G，的影响可以忽略不计。A4测试步骤
按电原理图A1把AB两端直接相联，调节信号源输出大小便功率计上的指示达到规定的输入功率Pi值。
再接入匹配电路及被测晶体管，加上直流偏置工作点，调节匹配电路使输出功率增大。在无寄生振荡及严重波形畸变情况下，反复调节输入、输出匹配电路以达到最佳工作状9
TTTKAONTKAca-
态。读出掩出功率 P。值并按
A5规定条件
SI50033/140—99
Gp=101g
e(dB）计算Gp值。
环境温度（TA)或管壳温度（Tc);测试频率(J)：
输人功率(P);
集电极一发射极电压（VcE)共发)或集电极一基极电压（V)。附加说明：
本规范出中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所、电子工业部第十三研究所、第卡四研究所、第五十五研究所和航天工业总公司第九研究院负责起草。本规范主要起草人：蔡仁明、颤振球、商坚钢、钟志新、禹继芳。计划项目代号：B71023。
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