SJ 50033.150-2002 半导体分立器件 2DW230-236型硅电压基准二极管详细规范 SJ50033.150-2002 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/150—-2002
半导体分立器件
2DW230～236型硅电压基准二极管详细规范
Semiconductordiscretedevice
Detail specification for silicon voltage-regulatordiodefortype 2DW230~2362002-10-30发布
2003-03-01实施
中华人民共和国信息产业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2DW230～236型硅电压基准二极管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for silicon voltage-regulator diode for type 2DW230~2361范围
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主题内容
本规范规定了2DW230～236型硅电压基准二极管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器作质摄保证等级进行分类，1.3.1器件的等级
按GJB33A《半导体分立器件总规范》1.3.1的规定，提供的质最保证密级为曾车，特案和超特军三级，分别用字母JP和JCT装示
引用文件
GB/T6571—1995平导体器件分立器件第3部分错号（包括开美）和调整二极管GB/T7581—1987-平导体分立器件外形尺寸GJB33A--97
半导体分立器供总规范
GJB128A-97半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33A和本规范的规定3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计和结构应按GJB33A和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料为可伐，引出端表面应为金层或镍层，对引出端涂层另有要求时，在合同或订货单中子以规定。
3.2.2器件的结构
器件采用金属管壳全密封封装结构。中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布2003-03-01实施
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管芯采用平面工艺，管芯与管座之间采用高温冶金键合。3.2.3器件电原理图
3.2.4外形尺寸
外形尺寸应符合GB/T7581中的A3-02B（B4）型及图1的规定。尺寸
1.35（MxC
标志区
极性排列：输出端1或2以色点表示为负极端，另一端为正极端，3为空。图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
最大额定值见表1。
最大额定值
2DW230~236
Tx=50℃
TA=50C
1）当T>50℃时，按1.6mW/K的速率线性地降额2
A3-02B(B4)
-55~175
3.3.2主要电特性
主要电特性(TA=25℃)见表2。
电参数
2DW230
2DW231
2DW232
2DW233
2DW234
2DW235
2DW236
I=10mA
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表2主要电特性参数
1=10mA
3.4电测试要求
电测试应符合GBT6571及本规范的规定3.5标志
3.5.1标患应符合GJB33A和本规范的规定器件上的标志示例：
Ve=I V
2PW232JC免费标准下载网bzxz
4质量保证规定
抽样和检验
抽样和检验应按GJB33A和本规范的规定。4.2鉴定检验
4.2.1鉴定检验应按GJB33A及本规范的规定。4.2.2E组检验（仅供鉴定）
E组检验应按GJB33A和本规范表7的规定进行。Iaul
≤50×10-3
4.3筛选（仅对JT和JCT级）
器件应按GJB33A表2的规定，具体项日按表3进行100%的筛选，其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。序号
内部目检(封帽前)
高温寿命(不工作)
温度循环(空气一空气)
恒定加速度
粒子碰撞噪声检测
(PIND)（仅对JCT级）
PDA的中间电参数测试和(4）变化量功率老炼
终点测试
PDA的中间测试和电参数变化
细检漏
2）粗检漏
16日视检查
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表3筛选要求
试验方法号
GIB128A
2072、2073
仅对JCT级器件。
TA-175℃r96 h
试验条作：G
次数：20次
YI方向196000m/s2
试验条件A
本规范表4的2分组、4分组
测试Vz、IIS
试验条件B
I=30mA=96hTA-25C
按本规范表4的2分组、4分红
a）「4Vz「≤初始值的1%。
14|≤初始值的100%或
0.5μA，取较人者。
b）【≤0.2倍初始值
谢验条件H
最大漏泄率：5×103Pa*cm/s
试验条件C：加压517kPa、2h
打标志后进行
注：GJB33A表2中的第6、7、8、9、10、15项不要求，第7项由第14项完成。4.4质量一致性检验
质量一性检验应按GJB33A和本规范的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33A的规定，具体检验项日按表4的规定进行。4.4.2B纽检验
B组检验应按GJB33A的规定，具体检验项日按表5的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33A的规定，具体检验项目按表6的规定进行。4.4.4D组检验（不适用）
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定进行。4.5.1脉冲测试
脉冲测试条件应按GJB128A中的4.3.2.2的规定。4.5.2工.作电压温度系数测试
在规定的环境温度T2=（75土1）℃下，施加测试电流Izo（见本规范表6第4栏），测出其基准电压值Vz2.再在T=（25土1）C下施加同一测试电流，测出基准电压Vz（有效数等于或火于5位），按下述公式计算：
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100V2-Vz(% / ℃)
(T,-T)·Vzi
要求恒流电源电流变化值14Iz1≤0.005mA，每个温度下的测试时间为1min。式中：V21—T温度下的基准电压，单位为伏特（V)：Vz2-——T2温度下的基准电压，单位为伏特（V)。表4A组检验
或试验
1分组
外观及
机械检验
2分组
基准电压
反向电流
3分组
高溢工作
反向电流
低溢工作
微分电阻
4分组
微分电阻
7分组
工作电压温
度系数
GB/T6571中第IV牵第2节
GJB128A
Ta=25C
脉冲法
脉孙法
R按表2第了栏规定
T-（125±35
脉沸法
脉冲法
6≤2%
I=10mA
脉冲法
6≤2%
1=10mA
直流法
LTPD-10
按本规范4.5.3的规定
注：GJB33A表3中的第5、6分组不适用。r
最小值
极限值
段大值
表3第1楼
表2第3栏
表2双3栏
表2第2栏
表2第
检验或试验
1分组
可焊性
耐溶剂性
2分组
温度循环
(空气一空气)
a）细检漏
b)粗检漏
终点测试
3分组
稳态工作寿命
终点测试
4分组
开帕内部目检
（设计核实）
6分组
商温寿命
(非工作状态）
终点测试
SJ50033/150-2002
表5B组检验
GJB128A
试验条件G
次数：25次
试验条作Hi
最大漏泄率：5×10°pa·cm/s
试验条件C
加压517kPa，2h
按表8步骤1、2、4和5
TA=25℃
按表8步骤3、4和6
IzM=30mA
样品从规定的试验条件取出4~96h内进行测试，当测试结果有争议时，以96 h测试为准。按设计文件
TA=175℃
同B3分组
t=340h
注：GJB33A表4中的第5分组不要求，7分组在C组3分组进行。鉴定检验和大批量
的质量一致性
检验方案
LTPD=15
LTPD=10
LTPD=S
1(c=0)
LTPD=7
小批量的质量
一致性检验
4(c=0)
6(c=0)
12(c=0)
1(c-0)
12(c=0)
检验或试验
1分组
物理尺寸
2分组
热冲击
(液体一液体)
引出端强度
a)细检漏
粗检漏
外观及机械检验
终点测试
3分组
扫频振动
恒定加速度
终点测试
6分组
稳态工作寿命
键合强度
终点测试
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表6C组检验
GJB128A
按图1外形尺寸
试验条件A
试验条件A
段大漏泄率：5×10°pa·cml/s试验条件c
加压517kPay2h
不婴求预处理
按表8步骤1、2.4和5
在2每个方狗上冲击5次，不工作，14700m/s..0.5ms.
衣x2起个方向上做196000ms
时间：imin
按表8步骤1、2、4和5
TA-25-30mA
同B3分组
注：GJB33A表5中的第4分组、5分组不适用。表7E组检验（仅供鉴定）
检验或试验
1分组
温度循环
(空气—空气）
终点测试
GJB128A
试验条件：G
次数：200次
按表8步骤1和5
注：GJB33A表7中的第2、3、4和5分组不适用，件
鉴定检验和大
批量的质量一
致性检验抽样
LTPD=15
LTPD=10
LTPD=10
LTPD=10
小批量的质量
一致性检验
6(c=0)
6(c-0)
6(e=0)
12(c=0)
LTPD=10
抽样方案
LTPD=20
反向电流
反向电流
反向电流变化盈
微分电阻
基准电压
基准电压变化量
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表8B组、C组和E组终点测试
GB/T6571第IV第2节
（脉冲测试)
VR=I V
VR-I V
I=10mA
1=10mA
本测试超过A组极限值的器件不应接收。交货准备
包装要求
包装要求应按GJB33A的规定。
5.2购存要求
贮存要求应按GJB33A的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33A的规定。
说明事项
预定用途
符合本规范的器作供新设各设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货文件内容
合同或订单应规定下列内容：
本规范的名称和编号：
器作型号：
数量：
等级（见1.3.1)；
一对引出端材料和涂层有特殊要求时：一需要时，典型特性曲线；
一需要时，其他要求。
附加说明：
本规范由信息产业部电子第四研究所归口。本规范由国营第八七三厂起草。本规范主要起草人：邹盛琳、方：宁。项目计划代号：B01010。
最小值
极限值
最大值
表2第3栏
初始值的100%或1μA，
较大者。
表2第2栏
表2第1栏
表2第1栏
初始值的1%
中华人民共和
电子行业军用标准
半导体分立器件
2DW230～236型硅电压基准二极管详细规范
SJ50033/150——2002
中国电子技术标准化研究所
中国电子技术标准化研究所印剧中国电子技术标准化研究所发行H
电话：（010）84020065传真：（010）64007812地址：北京市安定门东大街1号
邮编：100007
网址：cesi.ac.cn
开本：880×1230
2003年4月第一版
印张：
字数：
20千字
2003年4月第一次印刷
版权专有
不得翻印
举报电话：（010）64007804
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