SJ 50033.156-2002 半导体分立器件 3DA505型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 SJ50033.156-2002 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ50033/1562002
3DA505型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
Semiconductor discretedevicesDetail specification for type 3DA505 silicon microwave pulse power transistor2002-10-30发布
2003-03-01实施
中华人民共和国信息产业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DA505型硅微波脉冲功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devicesDetail spccification for type 3DA505 silicon microwave pulse power transistor范围
1.1主题内容
FTIKAoNIKAca-
SJ50033/156--2002
本规范规定了3DA505型硅微波腻净功离高体警“心下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、产和采购。1.3分类
本规范根据器伴质量保证等级进行分类，1.3.1器件的等级
按GJB33A-97平导体分立馨件总规范》13茶的规定，提供的质理保证等级彩善军级、特军级和超特军级三级。分别用学每P、\JT和JCT表系。2
引用文件
GBT4587-94半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GJB33A--97半导体分立件总规范GJB128A-92半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33A和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应孩GJB33A和本规范的规定。3.2.1引出端材料和镀涂层
发射极和集电极引出端材料为可伐含金带，基极引出端材料为钨铜合金，引出端表面镀金。3.2.2器件结构
本器件是采用硅外延台面结构的NPN型晶体管，并具有阻抗匹配网络。中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布2003-03-01实施
3.2.3外形尺寸
外形尺寸见图1。
E——发射极 B--基极 C-集电极3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DA505
SJ50033/156—2002
图1外形图
1）Tc>25C时按343mW/K线性降额，Te
VSIR-T
过激励
-65-200
主要电特性（TA-25℃）
特性和
3DA505A
3DA505B
Vee=5V
测试要求
VeEsat
le-3 A
SJ 50033/156--2002
VcB=40 V
电汉试应符合GJB33A及本规范的规定3.5
本器件电极标志见图1，器件应有如下标志：a.
器件型号：
质量保证等级；
承制方标志；
批识别代码。
质量保证规定
抽样和检验
抽样和检验按GJB33A和本规范的规定鉴定检验
Ycc=40 V, Pin=40 W
: 12~1.4 GHz
w=150 μs,
鉴定检验按GJB33A及本规范衰1、表2、表3和表4的规定筛选（仅对JT和JGT级）
Ve=12 V
Ie=3 A
ful ms
iKiKAa=
筛选应按本规范的规定。其试应按规范装，1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应剔除。
筛选要求
1．内部白检
2．高温寿命
3.温度循环
4．恒定加速度
9.细检溺
b.粗检漏
1n．高温反储
11．中间测试
12．功率老练
13.终点测试
GJR128A
交运号
200c. 48h
涤件和要求
JT和CT级
试验条件F，20次
Y,方间9.800m/s不要求保持1min。试验条件H517kPa，4h，50mPa·cm/s.试验条件C。
试验条件A, Tr=150 C,_Vcn=56 V. t=48 hhFEI+ IewT
试验条件B，T=187.5±12.5C，下载标准就来标准下载网
Vez=12 V, Pn≥25 W, 160 h
NIcno为初始值的100%或5mA，取较大者：[h≤初始值的20%
4.4质量一致性检验
4.4.1A组检验
SJ 50033/156--2002
A组检验应按GJB33A和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33A和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组捡验应按GJB33A和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表中规定的方法进行。4.5.1直流参数测试或脉冲测试应分别按GB/T4587或GJB128A相应方法测试。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极一基极
出穿电压
发射极--蕉极
击穿电压
集电极一基极
截止电流
正向传输电流比
集电极一发射极
饱和电压
A3分组
离温工作
集电极一基极
截止电流
低温工作
正向电流传输比
A4分组
输出功率
3DA505A
3DA505B
功率增益起伏
回波损耗
GB/T4587
GJB 128A
TA=25 ℃
IV,1.10.1
JIV,1.10.2
GJB128A
方法3320
发射极开路
le50mA
集电极开路
Ig≤50 mA
发射极开路
Vce=40 V
Vce=5 V, Ic.-3A
TA=150℃
VcB=40 V
TA--55 ℃
Vce=5 V, J.-3A
TA=25 ℃
Vcc-40 V
f-1.2~1.4 GHz
Pn=40 W
fo,-150 μs
VtBR) CRO
V:BRAEBO
1）当批量不能满足抽样要求时，A组检验可100%进行。4
极限值
殿小最大
抽样方案！
LTPD-S
116 (C=0)
116 (C=0)
116 (C=0)
检验或试验
B1分组
可焊性
耐溶剂性
B2分组
温度循环
a：细检漏
b。粗检癌
终点测试
B3 分组
稳态工作寿命
终点试
D4分组
开幅内部目检
（设计验证）
键合强度
BS 分组
（EB正向法）
B6分组
高温寿命
终点测试
B7分组\）
恒定加速度
终点浏试
GB128A
方法号
SJ 50033/156—2002
B组检验
鉴定检验和大批量
试验条件F，25次
同筛选步骤下
间筛步骤子
表5按骤135
T=187.3±12.5 C, 340 h
Pig25 W, Ven=10 V
5步骤
自检判据按鉴定过的设计
可用电参数不合格的器件
GB/T:4587 1 tu=1 m, Ice=12 VW，
+3A:: 25 :C≤TE70C
-200℃340h
表3步2、4
9.8p0m/s.
X、YZ方向rmin
试验条件A
表5步骤1、3、5
1）仅适用于丁和JCT级。
的质量一致性检验
小批量的质量
一致性检验
LTPD=10:
TIKAONTKACa=
极限值
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
引出端强度
密封：
社，细检漏
b．粗检漏
外观检查
终点溪望试
C3分组
变频振动
恒定加速度1
终点测试
C6分组
稳态工作寿命
终点测试
GJB128A
方法号
SJ 50033/156---2002
表3C组检验
见图1规定尺寸
试验条件A
试验条件A，F=10 N，=10s
每只器件受试引出端数：2
同篇选步骤7
同篇选步骤7
表5步骤1、3、5
9 800 m/s2, 0.5 ms
196 In/s2
9800 m/s，X、Yi、Zt方向，1 min表5步骤1、3、5
条件同B3分组，1000h
表5步骤2、4
1）如在B7分组进行了该试验，在此可不要求。表4E组检验
检验或试验
E1分组
温度循环
终点测试
EA分组
(EB正向法）
GJB 128A
方法号
GB/T4587
试验条件F，50次
表 5 步骤1、3、5
25 C≤Te≤70 ℃
Vc=12 V, Ie=3 A, tu-1 ms
鉴定检验和大批量
的质量一致性检验
抽样方案
LIPD=10
小批量的质量
致性检验
极限值
集电极—基极
截止电流
集电极一基极
截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比变化
架电极一发射极
饱和电压
SJ 50033/156—2002
表5B组、C组和E组的终点测试
GB/T 4587
发射极开路
Vcn=40 V
发射极开路
Vcg=40V
Ver=5 V, Ie=3 A
Vce=5 V, Ic=3 A
le=3 A
本测试超过A组检验极限值的器件不应供货，交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33A的规定
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33A的规定
5.3运输要求
运输要求应按,GJB33A的规定
说明事项
预定用途
Wheeil
极限值”
符合本规范的馨件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2
订货文件内容
6.2.1合同或订货单应规选下列内容.
本规范的名称和编号：
等级（见1.3.1)：
数量。
其它。
附加说明：
本规范由信息产业部电子第四研究所归口。本规范出信意产业部电子第四研究所负责起草。本规范主要起草人：赵英、黄玉英。计划项目代号：B01018。
初始值的30%
KAONKAca=
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