SJ 50597.26-1994
基本信息
标准号： SJ 50597.26-1994
中文名称：半导体集成电路 JF14573型CMOS四程控运算放大器详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
出版语种：简体中文
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下载大小：369111
相关标签： 半导体 集成电路 程控 运算 放大器 详细 规范
标准分类号
关联标准
出版信息
相关单位信息
标准简介
SJ 50597.26-1994 半导体集成电路 JF14573型CMOS四程控运算放大器详细规范
SJ50597.26-1994
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5962
SJ 50597/26 -- 94
半导体集成电路
TF14573型CMOS四程控运算
放大器详细规范
Semiconductor integrated circuitDetail specification for type JF14573CMOs quad prugrammble operational amplifier1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电字行业军用标准半导体集成电路
JF14573型CMOS四程控运算放大器详细规范
Semiconductor integrated circuitDetall speclrtcalloo tar type JF14573CMOS quad programunble uperational amplifier1范阁
1.1 主题内
SJ 50597/26 94
本规范规定了半导体集成电路IF14573型CMOS四程控运算放大器（以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范面
本规范适用干器件的研制、生产和采购，1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式分类。条件、分类。
1.3.1器件编号
器件编号应按 GTB 597(微电路总规范)第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
器件型号
JF14573
1.3.1.2器件等级
器件名称
CMOS闪程控运算放大器
器件等级应为 GJB 597第 3.,4条规定的 B级和本规范规定的 B级。1.3.1.3封装形式
封装形式应按GB7092(半导体集成电路外形尺寸>的规定。封装形式如下：
D16S3(陶双列封装）
J16S3（陶瓷熔封双列封装）
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布外彩代号
1994-12-01实施
rKAONKAca-
1.4绝对最大额定值
绝对最大赖定值如下Www.bzxZ.net
电源电压（V，至V.）
输人电压
输人电流（任意端）
忙存摄度
引线耐焊接温度(10s)
1.5推荐工作条件
推荐工作条件如下：
电源电压
工作环境温度
引用文件
GR 3431.1 - 82
GB 3431.2-86
GR 4590 -84
GB/T 7092 -- 93
GJB 548 - 88
GJB 597 - 88
GJB 1649 - 93
3要求
3.1详细要求
SJ 50597/26 -- 94
单电源
双电源
半导体集成电路文字符号电参数文宇符号半导体集成电路文字符号
引出端功能符号
半导体集成电路机械和气候试验方法半导体集成电路外形尺寸
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
各项要求应按GJB597和本规范的规定。单位
本规范规定的B1 级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某些项目和要求不同于B级。
3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸应按GJB597和本规范的规定。3.2.1引出端排列
引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。2
3.2.2电路图
SJ50597/26-94
2IN, d5
图 1 引端排列
制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构：各制造厂的电路图应由鉴定机构存档备查。
3.2.3封装形式
封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂爱
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性按表1的规定。若无其他规定，适用于全工作温度范围-55125七。表1电特性
输入失调电压
轮入失调电压温度系数
输入偏督电流
输入失调电流
输入共模电压范围
输出峰峰电压
开环电压增益3
[若无其跑规定,见图2,，Vs=5V
Vs= +5V, Vs= =7.5V
Vic=av和 Vs- + sY,
Vi.=3V. - 5V.
[nL= 50μA
Vic=oV
Vr=3V, - 5V
Vic=oV
Ier - 50μA
RL—100kn
Ig = 50μA
T, = 25℃
-55C≤TAS125C
Ta=25c
TA=12SC
Ta=25c
TA=125
Vs= ±5V
Vg= ±7.5V
TA=25V
-55C≤T25C
规范值
100 iμv/r
TKAONKAca
电源电压抑制比
共模挪制比\
电源电流（每对运放）
转换速率
通遵离度
K SVR-
$I 50597/26 - 94
(若无其他规定,见图2,Vs三±SV)V+ = 3V, 7V, V.
V+ -$V, V-m-7V.
-5VV3V
T,=23t
-55CT125C
Ta=25t
550ATN125℃
-55C≤TA≤125C
V. -±2.5V
Ra = 1Mn Vg =+3V
Vg =±7.SV
Ys -=2.5V
RH = 100n
Vs-=sV
Vs -±7.5V
TA= 25℃
TA- 125C
TA=125t
TA=125C
TA=25C
Ta 12st
Ta=25C
Ta=125r
V=±2V,Av=1,见图3.25t
见图 4, T.=25
规范值
社，1）偏置良流实际上是结的据电流，温度每升高10，输入修置电流约增加一带。为了将热效应减至最小，对器件首先测试偏置电流，且必须在范如电源后的25ms内进行。2) I=([m+)-(Fm-)。
3）由于输出到输人的热反馈效应，在整个工作满度范国内开环增益不保证是正向和线性的。若要求，则在订货资料中规定。
4）共模制比由在Vic=3V和ke=-5V封，测量Vo后计算得到。3.4.1不稳定性握荡
当按本规范给出的测试线路工作时，器件应无振荡。3.5电试验要求
器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。4
中间(老化前)电测试
中间(老化后)电测试
最终电测试
A组试验要求
C 组终点测试
D 组终点凝试
SJ 50597/26- 94
2电试验要求
B级器件
A2, A3, AA,
A1,A2,A3, A4. A5, Ab,A7
A1 和表 4 的 4 极限
往：1)该分组要求PDA计算（见本规范4.2条）。粗（免表3)
B,级蛋件
A2,A3. A4.
Al, A2, A3, A4, AS, Ab, A7
A1 和表 4 的 4 极限
YIKAONT KAca--
5J 50597/26 - 94
Er aar
1(23 -13)/,0T ×8802 = 240)
( - E)0 ×120
-1120/201 ×+12102+
(63920002-
(8 -2)2--*
( -) - +a
(9G -)z -
vrlos
vrios
- HAS Y
+HAE Y
TrKANKAca
SJ 50597/26—94
(az - a)/ xz - -
1(9za -sza)/01 ×+[2107- +Asy(9001-
(62-001 - -
(221 - S133001 - -)
(12 -913)001 = *01
(0A -213)001 = +E1
(613-512001- +81)
001/(E 2)001 -0n
asz1 =y
市旅惠
asz-YI
SJ 50597/26 - 94
1(0: - 67-1)/201 ×8[8102 A041(9e - ea)/20t ×+ B10z =- --s1(-)2 +:02-+y
08-E0-
1(91a -512)/201 8[302-22y
pss ---YI
市姐园
YYKAONTKAca-
SJ 50597/26 - 94
SSa=daa +
sadoa +
S-102-
ia-daa+
[(+-)/t1+[802-
ora - do-
[os |52
yros Js'z-
bss--i
ast-vi
SJ50597/26-94
1( -69)
1(894 -294t01 ×t18(02 - 25
1(9 59 01 18[0=
[(79 -191)/,01 ×+/202= 250
1(2919)201 10
-0/-047--S
+/+OA7=*s
kst'zal yros
ri vros
TKAONKAa-
SJ50597/26-94
(A-(AS-)-(AS-)-
(AGE =
1“ 导 1* “ 留器2
1(8-)180
1(180 -1800/ 01 1202 = 450
1(083 -623/201 +1 - 85
1(82 -223)/201 12102 = 250
[5201+12102 -250
-E3>/201 ×p[02 = 250
1(223 -2)/201 × 180Z = 25
vroso
x'+y los
's yros
动推彩
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SJ 50597/26 -- 94
半导体集成电路
TF14573型CMOS四程控运算
放大器详细规范
Semiconductor integrated circuitDetail specification for type JF14573CMOs quad prugrammble operational amplifier1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电字行业军用标准半导体集成电路
JF14573型CMOS四程控运算放大器详细规范
Semiconductor integrated circuitDetall speclrtcalloo tar type JF14573CMOS quad programunble uperational amplifier1范阁
1.1 主题内
SJ 50597/26 94
本规范规定了半导体集成电路IF14573型CMOS四程控运算放大器（以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范面
本规范适用干器件的研制、生产和采购，1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式分类。条件、分类。
1.3.1器件编号
器件编号应按 GTB 597(微电路总规范)第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
器件型号
JF14573
1.3.1.2器件等级
器件名称
CMOS闪程控运算放大器
器件等级应为 GJB 597第 3.,4条规定的 B级和本规范规定的 B级。1.3.1.3封装形式
封装形式应按GB7092(半导体集成电路外形尺寸>的规定。封装形式如下：
D16S3(陶双列封装）
J16S3（陶瓷熔封双列封装）
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布外彩代号
1994-12-01实施
rKAONKAca-
1.4绝对最大额定值
绝对最大赖定值如下Www.bzxZ.net
电源电压（V，至V.）
输人电压
输人电流（任意端）
忙存摄度
引线耐焊接温度(10s)
1.5推荐工作条件
推荐工作条件如下：
电源电压
工作环境温度
引用文件
GR 3431.1 - 82
GB 3431.2-86
GR 4590 -84
GB/T 7092 -- 93
GJB 548 - 88
GJB 597 - 88
GJB 1649 - 93
3要求
3.1详细要求
SJ 50597/26 -- 94
单电源
双电源
半导体集成电路文字符号电参数文宇符号半导体集成电路文字符号
引出端功能符号
半导体集成电路机械和气候试验方法半导体集成电路外形尺寸
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
各项要求应按GJB597和本规范的规定。单位
本规范规定的B1 级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某些项目和要求不同于B级。
3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸应按GJB597和本规范的规定。3.2.1引出端排列
引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。2
3.2.2电路图
SJ50597/26-94
2IN, d5
图 1 引端排列
制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构：各制造厂的电路图应由鉴定机构存档备查。
3.2.3封装形式
封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂爱
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性按表1的规定。若无其他规定，适用于全工作温度范围-55125七。表1电特性
输入失调电压
轮入失调电压温度系数
输入偏督电流
输入失调电流
输入共模电压范围
输出峰峰电压
开环电压增益3
[若无其跑规定,见图2,，Vs=5V
Vs= +5V, Vs= =7.5V
Vic=av和 Vs- + sY,
Vi.=3V. - 5V.
[nL= 50μA
Vic=oV
Vr=3V, - 5V
Vic=oV
Ier - 50μA
RL—100kn
Ig = 50μA
T, = 25℃
-55C≤TAS125C
Ta=25c
TA=12SC
Ta=25c
TA=125
Vs= ±5V
Vg= ±7.5V
TA=25V
-55C≤T25C
规范值
100 iμv/r
TKAONKAca
电源电压抑制比
共模挪制比\
电源电流（每对运放）
转换速率
通遵离度
K SVR-
$I 50597/26 - 94
(若无其他规定,见图2,Vs三±SV)V+ = 3V, 7V, V.
V+ -$V, V-m-7V.
-5VV3V
T,=23t
-55CT125C
Ta=25t
550ATN125℃
-55C≤TA≤125C
V. -±2.5V
Ra = 1Mn Vg =+3V
Vg =±7.SV
Ys -=2.5V
RH = 100n
Vs-=sV
Vs -±7.5V
TA= 25℃
TA- 125C
TA=125t
TA=125C
TA=25C
Ta 12st
Ta=25C
Ta=125r
V=±2V,Av=1,见图3.25t
见图 4, T.=25
规范值
社，1）偏置良流实际上是结的据电流，温度每升高10，输入修置电流约增加一带。为了将热效应减至最小，对器件首先测试偏置电流，且必须在范如电源后的25ms内进行。2) I=([m+)-(Fm-)。
3）由于输出到输人的热反馈效应，在整个工作满度范国内开环增益不保证是正向和线性的。若要求，则在订货资料中规定。
4）共模制比由在Vic=3V和ke=-5V封，测量Vo后计算得到。3.4.1不稳定性握荡
当按本规范给出的测试线路工作时，器件应无振荡。3.5电试验要求
器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。4
中间(老化前)电测试
中间(老化后)电测试
最终电测试
A组试验要求
C 组终点测试
D 组终点凝试
SJ 50597/26- 94
2电试验要求
B级器件
A2, A3, AA,
A1,A2,A3, A4. A5, Ab,A7
A1 和表 4 的 4 极限
往：1)该分组要求PDA计算（见本规范4.2条）。粗（免表3)
B,级蛋件
A2,A3. A4.
Al, A2, A3, A4, AS, Ab, A7
A1 和表 4 的 4 极限
YIKAONT KAca--
5J 50597/26 - 94
Er aar
1(23 -13)/,0T ×8802 = 240)
( - E)0 ×120
-1120/201 ×+12102+
(63920002-
(8 -2)2--*
( -) - +a
(9G -)z -
vrlos
vrios
- HAS Y
+HAE Y
TrKANKAca
SJ 50597/26—94
(az - a)/ xz - -
1(9za -sza)/01 ×+[2107- +Asy(9001-
(62-001 - -
(221 - S133001 - -)
(12 -913)001 = *01
(0A -213)001 = +E1
(613-512001- +81)
001/(E 2)001 -0n
asz1 =y
市旅惠
asz-YI
SJ 50597/26 - 94
1(0: - 67-1)/201 ×8[8102 A041(9e - ea)/20t ×+ B10z =- --s1(-)2 +:02-+y
08-E0-
1(91a -512)/201 8[302-22y
pss ---YI
市姐园
YYKAONTKAca-
SJ 50597/26 - 94
SSa=daa +
sadoa +
S-102-
ia-daa+
[(+-)/t1+[802-
ora - do-
[os |52
yros Js'z-
bss--i
ast-vi
SJ50597/26-94
1( -69)
1(894 -294t01 ×t18(02 - 25
1(9 59 01 18[0=
[(79 -191)/,01 ×+/202= 250
1(2919)201 10
-0/-047--S
+/+OA7=*s
kst'zal yros
ri vros
TKAONKAa-
SJ50597/26-94
(A-(AS-)-(AS-)-
(AGE =
1“ 导 1* “ 留器2
1(8-)180
1(180 -1800/ 01 1202 = 450
1(083 -623/201 +1 - 85
1(82 -223)/201 12102 = 250
[5201+12102 -250
-E3>/201 ×p[02 = 250
1(223 -2)/201 × 180Z = 25
vroso
x'+y los
's yros
动推彩
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