SJ 50597.53-2000 半导体集成电路 JB3081、JB3082型晶体管阵列详细规范 SJ50597.53-2000 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5962
SJ50597/53-—2000
半导体集成电路
JB3081、JB3082型晶体管阵列
详细规范
Semiconductor integrated circuitsDetail specification for type JB3081, JB3082 transistor arrays2000-10-20发布
2000-10-20实施
中华人民共和国信息产业部批准1范围·
1.1生题内容
1.2适用范用
1.3分类
1.4绝对最大额定值
1.5推荐工作条件
1.6功率和热特性
2引用文件
3要求
详细要求
设计、结构和外形尺寸
3.3引线材料和镀涂
电特性
电测试斐求
3.6标志·
4质量保证规定
4.1抽样和检验
4.2筛选…
鉴定检验
质量一致性检验
4.5捡验方法.
5交货准备
说明事项
IKAONKAa
中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路
JB3081、JB3082型晶体管阵列详细规范Semiconductor integrated circuitsDetail specification for type JB3081, JB3082 transistor arrays—范围
1.1主题内容
SJ50597/53—2000
本规范规定了导体集成电路JB3081、JB3082型晶体管阵列（以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类。1.3.1器件编号
器件编号应符合GJB597A《半导体集成电路总规范》3.6.2的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
器件型号
JB3081
JB3082
1.3.1.2器件等级bZxz.net
器件名称
Hpn晶体管降列（共发射极）
pn晶体管阵列（共集电极极）
器件等级应为GJB597A3.4规定的B级和B1级。1.3.1.3封装形式
封装形式应按GB/T7092《卡导体集成电路外形尺寸》规定。封装形式如下：
器件型号
中华人民共和国信息产业部2000-10-20发布外形名称
J16S3（16引线陶瓷熔封双列封装）D16S3（16引线陶瓷双列封装）
2000-10-20实施
1.4绝对最大额定值
绝对最大额定值如下：
SJ50597/53—2000
集电极-发射极电压（Vceo）：16V集电极一基极电压（VeBo）：20V集电极一封底电压（Vco)：20V
发射极基极电压（VEBo）：5V
集电极电流（Ic）：100mA
基极电流（Ig）：20mA
单管耗散功率1：500mw
管壳耗散功率Ⅱ：750mW
储存温度：-65~150°℃
结温：175°℃
引线耐焊接温度（30s)）：300℃注：1）当环境温度高了55℃时，按h.67mW/C降额使用。1.5推荐工作条件
推荐工作条件如下：
集极一发射极电压（Vceo）：13V集电极电流（1c）：70mA
基极电流（I）：7mA
工作环境温度：-55~125°℃
2引用文件
GB/T7092—93辛导体集成电路外形尺寸GJB548A一96微电子器件试验方法和程序GJB597A—96半导体集成电路总规范GJB128A--97半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB597A和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
设计，结构和外形尺寸应按GJB597A和本规范的规定。3.2.1引山端排列
引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图，-2 -
TTKAONKACa-
J3081：
引端序号
JB3082
引出端座号
SJ50597/53—2000
单管集电极引出端
单管电极引出端
单管基极引山端
单管集电极引出端
衬底引出端
单管基极引山端
单管集电极引出端
单管基极引岛端
单管发射极引出端
单管发射极引出端
单管基极引出端
单管发射极引出端
树底引出端
单管湛极引出端
单管发射极引出端
单管基极引出端
引出羰序号
引出端序号
图1引出端排列
单管集电极引山端
单管基极引出端
单管基极引出端
单管集电极引出端
单管甚极引出端
单管集电圾引出端
公共发射极引出端
单管基极引出端
单管极引出端
单管发射极引出端
单管基极引出端
单管发射极引出端
单管基极山端
单管发射极引H出端
公共集电极引出端
单管基极引出端
3.2.2电路图
电路图图应符合图2规定。
JB3081:
JB3082:
3.2.3封装形式
SJ50597/53—2000
图2电路图
封装形式应按本规范1.3.1.3的规定。3.3引线材料和镀涂
引线材料和镀涂应按GJB597A3.5.6的规定。3.4电特性
电特性应符合表1的规定。
TTKAONKAa-
集电极一基极击穿电压
集电极一衬底击穿电压
集极一发射极去穿电压
发射极一基极击穿电压
真流放大倍数
低频小信号放大倍数
苯极一发射极饱和压降
基极一发射极未他和压降
集电极一发射极饱和压降
集电极一发射极截止电流
电极一苯极截止电流
集电极一衬底截止电流
发射极一基极截止出流
截止籁率
延迟时间
存偕时闻
上升时间
下降时间
通道隔离度
ViERXCES
SJ 50597/53--2000
表1-—1JB3081电特性
（若无其他规定，见图3～图12，TA-25°℃）-500μA，I=0
VBRKIS
=500 μA, I,=0, -0
YeBRiCES
fe-1 mA,f-0
VieRERS
=500 μA, I=0
Ic=30mA
F=50 mA
le=30mA,
Ve=3 V,
= -1 mA
fc=3t)mA,
Ic-50mA,
s=5 mA
TA-25°C.. 125 °℃
T=-55℃
T,-25°℃,125°℃
--55°℃
Ex=25 ℃, 125 °℃
T=-55°C
Z-25 °℃, 125 ℃
TA=-55 °C
TA-25 °℃, [25 °℃
T,=-55 cC
T,- -35 °℃,_ 25 °℃
Z=125℃
T--55°℃, 25°℃
T-125ac
ee=10 V,
I= 0. T=-55~125°℃
Vce= 10 V, f= 0,
T= -55--125 \C
Ver=10 V, =0, I= 0, T,=-55~125 °CVeb=4 V,f,= 0, I,= -55~125 o℃Yee-5 V, Ver* -2.5 V, Vce=1 V. fe-10 mAVcc=5 V, Re =40 2, R, =500 2,T=-55~125°℃
Yec-5 V, Re =40 2.
T=-55~125 °C
R. =500 2.
Vcc~5 V, Re =40 2, Rg =500 2,T,= -55~125 °C
Vcc=5 V, R, = 40 02, R. = 500 2,T = -55～125 °℃
Vcc5V, R=40,Rg=5002
极限值
集电极一基极击穿电压
VERiCES
集电极一衬底击穿电压
集电极一发射极市穿电压
发射极一基极击穿电压
宵流放大倍数
低频小信号放大培数
基极一发射极饱和压降
基极一发射极未馆和压降
集电极一发射极饱和压降
集电极一发射极截止电流
集电极一基极截止电流
集电极一衬底截止电流
发射极一基极截止电流
裁止频率
延迟时间
存储时间
上升时间
下降时间
通逍隔离度
YieRXIE
YBRCES
YRSEBS
SJ 50597/53-2000
表1—2JB3081电特性
（若无其他规定，见图3～图12，T-25°℃）I =500 μA, I,= 0
c-500 μA, I= 0, I= 0
Fe-l mA，g=0
Ig=500 μA., I, = 0
Vcr=-0.5V,
I = 50 mA
le=30mA
Va=3 V,
f=-1 mA
fe =30 mA,
g=1 mA
Ie =50 mA.
TA=25°℃, 125℃
T=-55 °C
TA-25°C, 125 °℃
T--55°C
T -25 °C, 125 °C
T--55°C
Tx-25 °C, 125 °℃
T--55°C
I=25 °C, 125 °C
TA=-55 °℃
TA=-55°℃, 25℃
T-125°℃
r.-55°℃, 25 °℃
T=125°℃
Ve=10V, fg=0. T=-55~125°C
Vc= 10 V, Jg= 0, T,= -55~125 cCVer=10 V, = 0, /= 0, T,= -55 ~125 ℃CVm 4 V, 1,- 0, TA- -55~125 °CVcc= 5 V, Ver= -2.5 V, Ver= 1 V, If=10 mAVec5 V, R =40 Q, Re -500 2,
T=-55~[25℃
Vee-5 V, Re=40 n.
T=-55~125℃
Vcc=5 V, R,=40 0,
R=5002，
T,=-55~125℃
Ycc=5 V, Re= 40 02,R = 500 22,T=-55~125℃
Vcc= 5 V, Rc=40 QrRg=500 Q
极限值
TTKAONKAa-
3.5电测试要求
SJ 50597/53--2000
器件的电测试要求应为表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。表2电测试要求
中间（老炼前）电测试
中间（老炼后）电测试
最终电测试
A组试验要求
C组终点电测试
C组检验增加的电测试分红
D朗终点电测试
Al、A4
组（见表3.1，表3.2）
B级器件
A2、A3、A5、A6、A7、A9
A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A9、AI0、A11
A1、A4和表8的4极限
A1、A4
注：1）该分组要求PDA算。
Al、A4
BI级器件
A2、A3、AS、A6、A7、A9
A1、A2、A3、A4、A5、AG、A7、A9
A1、A4和表8的4极限
A10、A11
A1、A4
TA-2S 'C
V(BRCBS
ieaxiss
VBR)CEs
15 imA
表3—1
引端条件（若光儿他规定，
SUBSBV
0.SmAGNDGND
0.5 mAGND
JB33081电测试
疏图3~-图12)
6BV4BV
CiNDO.s mA
0.5 mAGND
14|V17
详算公式
V(tRxcns-V1
Vixices=V2
VRRyCs=V3
axRs-V4
VARRYCRS
KBRXIs=V6
ERChs-V7
Y(DRyCIs-V8
VraRxis=V9
VRKS-V10
VaRKiS=VII
VaRCIs=V12
VBKEE-V13
V(RRxi=V14
VBRYCES
-TTKAoNiKAca-
极限值
50597/53—2000
T -25 °C
BRICES
(BR)EBS
2930mA
续表 3—1
引山端条件（若无其他规定
SUBSBV
GNDGND
见图 3 ~-图12]
GBV4BV
30mAwm
被测端
计算公式
[RRMFS
ViRRiCeS-V19
YN IEs=V20
VRRXPS
Y(BRJEUs-V22
VURyEus-V23
VRRIRHs-V24
V(BRIEBS=V25
V(BRjE:=V27
ViEKERS-V28
he-:30 mA/I1
mAh=30mA/12
极限值
htre-30 mA/13
50597/53--2000
TA-25 aC:
续表3—.1
见图3-图12）
引出蹦条件（光其他规定：
GBV4BV4CV
计算公式
30 mA/14
30mAV/IS
30 nA/l6
30 mA17
50mA/8
50mA/19
50mA/ItO
50 mA/T11
30mA/112
-TTKAONiKAca-
150597/53
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