本标准规定了半导体发光二极管用荧光粉相关的名词及其定义，还规定半导体发光二极管用铝酸盐和硅酸盐荧光粉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存要求。 SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用萤光粉 SJ/T11397-2009 标准下载解压密码：www.bzxz.net

1CS31.030
备案号：
中华人民共和国电子行业标准　SJ/T11397—2009
半导体发光二极管用荧光粉
Phosphorsforlight emitting diodes2009-11-17发布
2010-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布前言.
1范围..
2规范性引用文件.
3术语、定义和符号
5试验方法
6检验规则.
SJ/T113972009
7标志、包装、运输和贮存，
（规范性附录）半导体发光二极管用荧光粉试验方法发射光谱和激发光谱的测定附录A
附录B
附录C
附录D
附录E
附录F
附录G
附录H
（规范性附录）半导体发光二极管用荧光粉试验方法外量子效率的测定（规范性附录）平导体发光二极管用荧光粉试验方法相对亮度的测定（规范性附录）半导体发光二极管用荧光粉试验方法色品坐标的测定(规范性附录)：
(规范性附录）
半导体发光二极管用荧光粉试验方法温度特性的测定半导体发光三极管用荧光粉试验方法pH值的测定：（规范性附录）
半导体发光二极管用荧光粉试验方法电导率的测定（资料性附泉》本标准参加单位.2010
SJ/T11397-2009
本标准的附录A、附录B、附录C、附录D、附录E、附录F、附录G为规范性附录，附录H为资料性附录。本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。本标准由半导体照明技术标准工作组组织起草。本标准起草单位：有研稀土新材料股份有限公司、浙江大学三色仪器有限公司。本标准参加单位见附录H。
本标准主要起草人：胡运生、庄卫东、牟同升、于晶杰、张万生。I
1范围
半导体发光二极管用荧光粉
SJ/T11397-—2009
本标准规定了半导体发光二极管用荧光粉相关的名词术语及其定义，还规定了半导体发光二极管用铝酸盐和硅酸盐荧光粉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存要求。2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。巩是注白期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准：然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本：凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB3102.6—1993光及有关电磁辐射的量和单位GB/T4073荧光粉牌号
GB/T5838—1986荧光粉名词术语GB/T14634.5～2002灯用稀土三基色荧光粉试验方法密度测定GB/T15676—1995稀土术语
GB/T20170.12006稀土金属及其化合物物理性能测试方法稀土化合物粒度分布的测定GB/T20170.2—2006
6稀土金属及其化合物物理性能测试方法稀土化合物比表面积的测定3＇术语、定义和符号
下列术语、定义和符号适应于本标准。3.1
半导体发光二极管用荧光粉phosphorforLED在半导体发光二极管LED）发出的光激发下能发光的无机粉末材料。相对亮度relativebrightnesswwW.bzxz.Net
在规定的激发条件下，荧光粉试样与参比荧光粉的亮度之比。注：改写GB/T5838—1986，定义3.44激发波长
excitationwavelength
激发荧光粉发光的光源的波长：单位：。发射主峰mainemissionpeak
荧光粉发射光谱中强度最大的波长。单位nm。外量子效率externalquantumefficiencynert
版权专
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荧光粉在一定波长的光激发下，发射的荧光光子数与激发光的光子数之比。复制无效
发光效能
luminousefficacy
荧光粉在一定波长的光激发下，发光的光通量与激发辐射功率之比。单位1m/W3.7
温度特性：temperaturecharacteristics表示荧光粉的发光特性与其温度的关系，包括发光亮度、激发波长、发射主峰及色品坐标等，分别用符号HSrHS，HS△Ax，Ay来表示其相对于室温下的改变量。3.8
中心粒径mediumparticlediameterdo
粒径的体积累积分布中对应于50%的荧光粉的粒径单位：品。3.9
粒度分布离散度particle sizedistribution dispersion荧光粉试样粒度分布的相对宽度或不均匀程度的度量。定义为分布宽度与中心粒径的比值，其中分布宽度为边界粒径的一组特征粒径的差值：本标准所指的粒度分布离散度采用公式（1）计算：do-dio
s(10,90)
式中：
一粒径的体积累积分布中对应于90%的荧光粉的粒径，单位：md
粒径的体积累积分布中对应于50%的荧光粉的粒径，单位：m一粒径的体积累积分布中对应于10%的荧光粉的粒径，单位：um。3.10
pH值pHvalue
荧光粉在云定体积去离子水中的酸碱度的度量。2%3.11
电导率
conductivity
荧光粉在一定体积去离子水中可溶性杂质离子浓度高低的度量。单位：S/cm。4要求
4.1鉴于目前半导体发光二极管用铝酸盐及硅酸盐荧光粉相对较为成熟，本标准只规定了铝酸盐及硅酸盐荧光粉的主要光学性能、粒度特性、密度等其他物性参数及其测试方法。4.2半导体发光二极管用铝酸盐荧光粉按其发光特性分为5个牌号，牌号、主要光学性能、密度、温度特性和颗粒特性及其它主要性能指标应符合表1的规定。如需方对产品有特殊要求，由供需双方协商。复制无
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表1半导体发光二极管用铝酸盐荧光粉主要性能指标性能
性能名称
激发波长美器
发射主峰人
光谱性能
色品坐标
半宽度
外量子效率”.
（激发波长）
相对亮度
温度特性
（粉体在加
热到120℃
并稳定10
分钟时）
中心粒径战
粒度分布离散度-s
比表面积-
电导率6
外观“
参考化学组成（不作验收依据）单位
G36-YG1
515~525
（440nm）
0.34~0.38
0.58-0.56
G36-YG2
526~535
（450nm）
0.38~0.42
0.56~0.55
G36-YG3#
430~470
536~545
≥110
（460nm）
0.42~0.46
0.55~0.52
按供需双方要求
黄绿色粉末
SJ/T11397=2009
G36-Y1
546~555
(460nm)
0.46~0.48
0.52~0.50
黄色粉末
(Y,Gd)(Al,Ga).ou.Ce
G36-Y2
556565
（460nm）
0.48~0.51
0.50~0.48
深黄色粉末
半导体发光二极管用硅酸盐荧光粉按其发光特性分为7个牌号牌号、生要光学性能、密度、温4.3
度特性和颗粒特性及其它主要性能指标应符合表2的规定.如需方对产品有特殊要求，由供需双方协商。版权专有
复制无效
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半导体发光二极管用硅酸盐荧光粉主要性能指标表2
性能名称护
激发波长入
发射主峰入
光谱性能
色品坐标
半宽度电
外量子效率（激
发波长450nm）
相对亮度
温度特性
（粉体在加
热到120℃
并稳定10
分钟时）
中心粒径d
粒度分布离散度s
比表面积
电导率
参考化学组成（不作验收依据）单位
G30-YG4G36YG5G36YG6
505~515
516~525
526-535
雕牌号
G36YG7
400~470
536~545
G36-Y3
546-555
按供需双方要求
黄绿色粉末
黄色粉末
G36-Y4
556565
G36-Y5
566~575
深黄色
(Mg.Ca,r,Ba),Sio.：Eu或者(Mg,Ca,SrBa)SisEu橙黄色
4.4对于荧光粉的温度特性、颗粒特性（中心粒径、粒度分布离散度）比表面积及密度，表13表2只给出了参考值，不作验收依据，具体范围由供需双方协商。试验方法
发射光谱和激发光谱的测量按附录A的规定进行。5.2外量子效率的测量按附录B的规定进行。5.3
相对亮度的测量按附录C的规定进行，其中参比样品由供需双方协商确定。5.4
色品坐标测量按附录D的规定进行。5.5
温度特性的测量按附录E的规定进行中心粒径和粒度分布测量按GB/T20170.1—2006中的“激光衍射法（方法1）”的规定进行5.6
密度的测量按GB/T14634.5-2002的规定进行比表面积测量按GB/T20170.2-2006的规定进行5.8
pH值的测量按附录F的规定进行。5.10
电导率的测量按附录G的规定进行成义
复制无效
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5.115外观检验：随机取3次样品，每次取样质量在0.5g~1.0g之间，均匀地平摊在白纸上，在光照下目测检查。
6．检验规则
产品应由供方检验部门进行检验，保证产品质量符合本标准或订货合同的规定，并填写质量保证书。6.2组批
产品应成批提交检验，每批应由同一牌号的产品组成。检验项目
检验项目和方法见表3。
AT表3检验项目
检验项目
发射光谱
激发光谱”
外量子效率
相对亮度
色品坐标“子
温度特性
中心粒径及粒度分布1
比表面积
电导率
必检项目
供需双方协商检验项目
取样和制样
见表1、表2
见表1、表2
见表表2
见表1、表2
见表表2
见表1、表2
见表1、表2
见表1、表227
见表1、装2
见表1、表2
见表1、表2
见表1、表2
检验方法章条号
仲裁取样按表4的规定进行。每件，（袋）取样量不少于208取出后，用四分法缩分至试样所需数量。
表4取样数量
件(袋）数
取样件（袋）数
件（袋）数的100%
6.5、检验结果判定
50~100
件（袋）数的10%
“件（袋）数的平方根取正整数产品仲裁分析结果与本标准或订货合同规定不符时，则从该批产品中取双倍试样对不合格项日进行复检，如仍有一项结果不合格，则该批产品为不合格。7标志、包装、运输和贮存
7.1产品外包装应注明：供方名称、产品名称、牌号、批号、净重、出厂日期及“怕雨”“怕晒”标志或字样。产品封装于双层塑料袋或塑料瓶中，每袋（瓶）净重分别为50g、100g、200g、500g、1kg。
7.2产品应存放在清洁干燥和光线不直接照射的地方，不得露天放置，运输时严防受潮，SJ/T11397-2009
每批产品应附质量保证书，注明：7.3
供方名称；
b）产品名称和牌号：
c）批号：
d)净重和件数，
版权专有
复制无效
分析检验结果和检验印记：
本标准编号：
g）出厂日期。
复制无效
版权专有
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A.1范围
附录A
（规范性附录）
半导体发光二极管用荧光粉试验方法发射光谱和激发光谱的测定
本附录规定了半导体发光二极管用荧光粉发射光谱和激发光谱的测定方法。本附录适用于半导体发光二极管用荧光粉发射光谱和激发光谱的测定A.2方法原理
SJ/T113972009
光源发出的光进入激发单色仪后，经过分光产生不同波长的激发光，根据需要采用某一波长的激发光激发样品室里的荧光粉样品，用荧光分光光度计测得荧光粉发出的发射光谱曲线：同理，固定荧光粉样品的某一发射波长，采用不同波长的激发光激发荧光粉样品，用荧光分光光度计测得荧光粉发出的该发射波长的光的强度，则可以绘制出该荧光粉的激发光谱曲线。A.3仪器与装置
A.3.1激发光源：连续光谱光源，波长范围不小于350nm~600nm，稳定度优于0.3%A.3.2激发光单色仪：波长范围不小于350nm~600nm；波长准确度0.2nm，波长重复性0.1m，杂散光小于0.1%。
A.3.3荧光分光光度计：准确度为土0.5nm，光谱范围为380nm-780nm。3A.3.4稳压电源：交流，220V，50Hz，电压稳定度优于0.5%。A.4测试步骤
仪器校正
A.4.2测试
把样粉装好后，放到样品室里。A.4.2.1
版权专
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选定一个激发波长，作发射光谱扫描，读出发射光谱的发射主峰。A.4.2.2
给定发射光谱的发射主峰，作激发光谱扫描，读出激发光谱峰值波长。A.4.2.3
重新装样，测试3次，各次之间峰值波长的差值不超过土nm，取算术平均值。A.5测试结果表述
激发光谱的峰值波长用入。表示。发射光谱的峰值波长（发射主峰）用入表示。A.5.2
A.6允许差
分析结果的允许差值为：1、1±2nm。SJ/T11397-2009
B.1范围
版权专有
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附录B
（规范性附录）
半导体发光二极管用荧光粉试验方法外量子效率的测定
本附录规定了半导体发光二极管用荧光粉外量子效率的测定方法。本附录适用于半导体发光三极管用荧光粉外量子效率的测定。B.2
方法原理
发射光
谱分析仪
激发单色仪
探测器
激试荧光粉
图B.1外量子效率测试原理图
如图B.1所示，激发光源经激发单色仪分光，出射的单色光进入试样室光学系统，一部分经过分光器反射到参考探测器上，用于监测激发光源的光功率变化，另一部分照到样品上。经单色光激发的荧光粉发射光被传输到发射光谱分析仪中，从而测得荧光粉在某一波长激发下的发射光谱功率分布。将发射光谱功率分布转换为发射光子数，再除以激发光子数，即得到荧光粉在选定激发波长下的外量子效率。要
B.3仪器与装置
B.3.1激发光源：连续光谱光源，波长范围不小于350nm~600nm，稳定度优于0.3%。B.3.2激发光单色仪：波长范围不小于350nm~600nm：波长准确度0.2m波长重复性0.1nm杂散光小于0.1%。
B.3.3光谐辐射分析仪：准确度为±0.5nm，光谱范围为380nm-780nm。B.3.4稳压电源：交流：220V，50Hz，电压稳定度优于0.5%。B.4
测试步骤
B.4.1仪器校正
B.4.2..1.
把样粉装好后放到样品室里。
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