GB/T 17572-1998
基本信息
标准号： GB/T 17572-1998
中文名称：半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范
标准类别：国家标准(GB)
标准状态：现行
发布日期：1998-01-01
实施日期：1999-06-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：412857
标准分类号
标准ICS号：电子学>>31.200集成电路、微电子学
中标分类号：电子元器件与信息技术>>微电路>>L56半导体集成电路
关联标准
采标情况：idt IEC 748-2-4:1992 QC 790104
出版信息
出版社：中国标准出版社
书号：155066.1-15763
页数：平装16开， 页数：15， 字数：23千字
标准价格：12.0 元
出版日期：2004-04-15
相关单位信息
首发日期：1998-11-17
复审日期：2004-10-14
起草单位：电子工业部标准化研究所
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
发布部门：国家质量技术监督局
主管部门：信息产业部（电子）
标准简介
内容详见本标准。 GB/T 17572-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范 GB/T17572-1998 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
GB/T175721998
本标准等同采用国际电工委员会（IEC)标准IEC748-2-4:1992《半导体器件集成电璐第2部分
数字集成电路第四篇--CMOS数字集成电路4000R和4000UB系列族规范》。本标准与《CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范》--起，可作为编制CMOS数字集成电路4000系列电路详细规范的依据。本标准引用的国家标准GB/T4937-·1995和GB/T9421—1998分别等同采用IFC.749:1984及修改单1(1991)和IEC748.2-5;1992。本标准第8章表1中的分组形式作了技术处理，以便与1EC748-11（1990)相一致，10.3中的曲线也作了更正。
本标准出中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国集成电路标准化分技术委员会归口。本标准起草单位：电子工业部标准化研究所、西安微电子技术研究所，本标准士要起草人：陈裕凝、陈学礼。GB/T 17572—1998
IEC前言
1）IEC（国际电工委员会）在技术问题上的正式决议或协议，是由对这些问题待别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的，对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。2）这些决设或协议，以推荐标准的形式供国际上使用，并在此意义上为各国家委员会所认可。3）对促进国际上的统一,IEC 希望各国家委员会在本国条件许可的情况下,采用IEC标准的文本作为其国家标准。IEC标准与相应国家标准之闻的差异，应尽可能在国家标准中指明。本标准是出SC47A(集成电路）和tFCTC47(半导体器件)制定的。本标准系CMOS数字集成电路4 000B和 4 000UB系列族规范。本标准文本以下列文件为依据：六个月法
47A(CO)174
47(CO)1050
表决报告
47(CO)194
本标推表决批准的详细资料可在上表列出的表决报告中查阅。本标准封面的QC编号是IEC电子元器件质量评定体系(IECQ)规范号。本标准用下列IEC标准：
第1部分 总则
747-1:1983半导体器件分立器件修改单1(1991）
747-10：1991半导体器件分立器件第10部分分立器件和集成电总规范748-2:1985半导体器件集成电路第2部分数字集成电路修改单1619912
748-111990半导体器件集成电路第11部分半导体集成电路（不包括混泥合电路）分规范749:1984半导体器件机械和气候试验方法修改单1（1991）
中华人民共和国国家标准
半导体器件集成电路
第2部分：数字集成电路
第四篇CMOS数字集成电路
4 000B 和 4 000UB 系列族规范Semiconductor devices-Integrated circuitsPart 2: Digital integrated circuitsSection four-Family specification for complementary MOSdigital ntegrated circuits , series 4 000B and 4 000UBGB/T 17572— 1998
idt TEC 748-2-4:1992
QC790 104
IEC 子元器件质量评定体系遵循 IEC:章程并在 IE:C 授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使-个参加国按有关舰范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。
本族规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,并应与下列IEC标准一起使用。747-10/QC700000华导休器件分立器件第10部分分立器件和集成电路总规范748-11/QC790100半导体器件集成电路第11部分半导体集成电路（不包括混合电路）分规范
要求的资料
本页及下面方括号内的数宇与下列各项要求的资料相对应，这些资料应填入相应档中。详细规范的识别
[1]」授权发布详细规范的国家标准化机构名称。L21详细规范的IECQ编号。
_3」总规范、分规范的编弓及版本号「4]详细规范的国家编号，发布日期及国家标准体系要求的任何资料：器件的识别
「5]主要功能和型号。
[6]典型结构(材料、主要工艺)和封装资料。如果器件具有若！种派生产品·则应指出其差异：例如,在对照表中列出特性差异。如果器件属静电感型，在详细规范中应附加预防说明，[7|外形图、引出端识别、标志和/或与外形有关的参考文件。[8-按总规范2.6的质量评定类别[9参考数据。
[本规范下面方括号给出的条款构成了详细规范的首页，那些条款仪供指导详细规范的编写，而不应纳入详细规范中」
国家质量技术监督局1998-11-17 批准1999-06-01实施
GB/T 17572 - 1998
[当一个条款指导编写可能引起混滑时，应于括号内指明][国家代表机构(NAI)(和可以提供规范的团|[IECQ详细规范编号、版本号和/或月期] 2]
体)的名称(地址)
评定电子元器件质量的依据
总规范：
IEC:747-10/QC700000
分规范：
IEC748-11/QC790100
[编号不同时的国家标准号]］
j QC 790104
［详细规范的国家编号】
[若国家编号与IECQ编号相同,本栏可不填]CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范施订货资料：见本现范第7章
1机械说明
外形依据：
1EC191·2._若有，则必须遵循］和/或国家标推[若无 IEC 外形］
外形图：
可以移入本规范第8章或在那叟给出详细的资料」
引出端识别：
【通出出端排列，包括图示符号】标志：字母和图形，或色码』
[若有时.详细规范应规定标志在器件上的内容
［见总规范2.5和/或本规范第6章]简要说明
CMOS,4 000H 和 4 000UB
半导体材料!SI
」封装：[空封或非空封”
注意：静电敏感器件
3质量评定类别
［按总规范2.6]］
参考数据
见详细规范
按本规范鉴定合格的器件，其有关的制造厂资料，可在现行合格产品日录中查到。[5]
4极限值（绝对最大额定值体系）GB/T 17572— 1998
除另有规定外，这些梭限值适用于整个工作温度范围。极限值不用于检验。
除详细规范另有规定外，给出的值悬有效的。条款
电源电压
输入电压1
输入电流(任一输入端)
工作温度
贮存温度
1)除瞬态外（见本规范10.2)。
5电工作条件和电特性
(检验要求见本规范第8章)。
5.1电工作条件
—0. 51)
推荐电源电压范围;3V～15V(在 V-5V、10 V和15 V下测试)5.2电特性
除另有说明外，电持性适用于个工作温度范围，所有电压以Vs为基准。
5.2.1静态特性
注，“负”号表明电流力向为流出引出端。条款
5. 2. 1. 1
5. 2. 1. 1. 1
静态电流
Vi. =0 V,Vih=Vop*
对所有的有效输入组
全温工作范围
缓冲器
触发器
其他SSI
Tarabanin
A3/A3a
A3/A3a
限温工作范围
[一门
5.2.1.1.2
5. 2. 1. 2
5. 2. 1. 3
5. 2. 1. 4
5. 2. 1. 4. 1
.—缓冲器
触发器
其他SSI
输出低电平电压
Vm-Vrn:
Io/<1 μA
输出高电平电压
Va-Vo,
IIul最坏输入条件下输出
低电平电压和输出高
电平电压
B-系列
lIil μA
Vn.=1. 5 V
ViL-3. 0 V
Va—7.0 V
VH=11, ()
GB/T 17572 1998
表(续)
Tambain
Teumtax
minmax
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A38
A3/A3a
[A3/A38
VA3/A3a
A3/A3a
5. 2. 1. 4. 2
5. 2. 1. 5
UB—系列
ol μA
Vrt. --1. 0 V
Vn.=2. 0 V
Vn.-- 2. 5 V
VH=8. 0 V
Yh-12. 5 y.
输出低电平
电流33.91
Vu.-o V,Vh=Vop
5. 2. 1. 5. 1.
企温工作范围
Va=0. 5 V
5.2. 1. 5.2
限温工作范围
Vo-0. 4 V
5. 2. 1. 6
输出高电平
电流3
Vi=0 V,V=V
全溢工作范圈
5. 2. 1. 6. 1
Vn=4. 6 V
Vo=9,5 V
Vn=13. 5 V
5. 2. 1. 6. 2限温工作范断
Vn=13. 5 V
5. 2. 1. 7
5. 2. 1. 7. 1
输入电流
全温工作范围
ViH=Vp
5.2.1.7.2|限温工作范围
GB/T17572—1998
表(续）
15！ Ing
T'mtmin
Tanbrar
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
三态输出漏电流
VH=D V,VH=VUD.
输出高阻
V,=15 V或oV
5.2. 1. B.1企温T.作范
5. 2. 1. 8. 2] 限温 T作范围
5. 2. 1.9
每单元的输入电容
（任-输入）
2）除非详细规范另有规定：
3) 具有对称输出的器件,Inr值等 F 1o0m.。5.2.2动态特性
见空白详细规范。
6标志
见空口详细规范。
订货资料
见空自详细现范。
8试验条件和捡验要求
GB/T 17572—1998
裴(完）
Tanbruio
minmex
Tambmur
minmax
若无其他说明，本章中分条款号指总规范中的条款号，试验方法引自IEC748-2第N篇。除另有规定外,所有试验应在T,…=25（!下进行（见总规范第4章）。所有电压以Vss为基准,
逐批捡验
所有试验是非破坏性的（死IEC747-10,3.6.6)。检验或试验
A1分组
外部Ⅱ姿
标志符合性检查
A2分组
25℃下的功能验证
A2a分组
（不适用于1类）最低和展高！件温度下的助能验证
A3分组
25℃下静态持性
A3a分组
最低和最高工作温度下的静态特性A4分组
25~:下的动态特性（器无其他规定）A4a分组
（不适用于「类)最低和最高1作温度下的动态特性“
4)允许相关测量。
采用说明：
IEC. 747-10
4. 2- 1, 1
GB/T 9124 1998
第3章
GB/T9424—1998
IEC748-2、第I篇第一节
IEC748-2.第Ⅱ篇第一节
IEC748-2,第1篇第一
1EC:748-2,第I第第一节
1原表1中A组分组形式与分规范1E℃718-11不同,现已改为一致。试验
A3/A3a
A3/A3a
检验要求
试验条件
极限评定类别|ILAQL
试验条件利极限值见详细规范,检验求见有关的分规范
(I类器件见总规范2. 6)
GB/T 175721998
遥批捡验
只有标有(D)的试验为破坏性试验(见IEC 747-10,3.6.6)。检验或试验
B1分组
B3分组
引出端强度(若适用)
弯曲(D)
B4分组
可焊性
B5分组
温度快速变化
a)空封
温度快速变化
·电测试
.密封;细检渊
·密封;检漏
b）非空封和环氧空封度恨速
，外蒂日检
·稳态逛热
·电测试
BB分组
电耐久性（168）
最警测试(A3.A3 和A1)
CRRL,分组
IEC747-14
若尤其他规是,Txmh一25 ℃C
4.2.2和附录 B
GB/T 4937,第I篇,1. 2
GB/T 4937,第 1篇,2. 1
GB/T 4937.第I篇,1. 1
GB/T 9124.--1998
作用力一[见 GB/T 4937,第 1
【见GB/T4937.第算2.1]
10次循坏
[从 A2 和 A3 分趾中选择]
GB/T 4937,第口篇，7.3战按规定7.1
1FX:68-2-17,Qc 试验
GR/ 4937,第1篇,1. 1
IEC 747-10,
GB/T 4937,第且篇,5B
GB/T 94241998
IFC 748-11,12. 3
按规定
10次循环
严度1(125C,853HR),21
［从A2和A3分组中选摔］
Tam-125℃，条件：[见D8]
同A2,A3种A4
就B3、B4、B5和B8分组提供计数检查结巢表
周期检验
只有标有(D)的试验为破坏性试验（见IEC74710,3.6.6)。稳验或试验
C1 分组
IEC747-10
4.2.2和附录B
若无其他规定,T23T
检验要求
[见:本规范第 1 章]
无损坏
没润良好
同A2、A3和A4
检验要求
见本规范第1章
检验或试验
C2b(1)分组
最高和最低工作激度下的功能
C2b(2)分组
最商和最低工作温度下的动态
C3分组
引出端强度
C4分组
耐焊接热
录终测试
（同A2和A3）
C5分组
温度快速变化“
a)空封
温度快速变化
·电测试
·密射细检漏
·密封:粗检漏
b)非空封和环氧空封
温度快速变化
■外部月
·稳态湿热
·电测试
C6分组
稳态加速度
（适用于空封器件）
最测试
(同A2和A3)
C7分组
稳态湿热
适用丁空封器件
C8分组
电耐久性(1000h)
[同 A2,A3 和 A4)
C9分组免费标准下载网bzxz
高溢贮存
最终测试
(同A2,A3和A4)
GB/T 17572- 1998
表(续)
若无其他规定，T=25℃
同A28
同Ade
GB/T 4937,第1篇,1. 1 和[见 GB/T 4937 第I 篇,1. 1 和1.4
GB/T 4937,第1,2. 2
GB/T 4937第且篇,1. 1
见 A2 和 A3 分组
GB/I 4937,第I 篇,7. 3 或
IEC 68-2-17,Qc 试验
GB/T 4937.第±篇,1. 1
IEC 747-10,4. 2. 1.1
GB/ 4937,第直筋.5B
见 A2 和 A3 分组
[见 GB/T 4937 第 1 篇,2. 2]
同A2和A3
10次循环
同A2和A3分
按规定
按规定
500玖循环
严酷度 1.2 h
同A2和A3
GB/T 4937,第［篇,第 5章加速度:196 000 m/g(D)
GB/T 4937,第亚第,5A
: IEC 748-2,第 V篇
CB/T 4937,第I篇,第 2 章
严醋度:且 类和 I 类为 56 d,1类21d
Temb = 125 C,
条件L.见D8]
同 A2,A3 和 A4
1 000 h,T=125 C,
同A2.A3和A4
检验要求
C11分组
抢验或试验
标志耐久性
C12分组
输入电容
CRRL分组
GB/T17572·-1998
表Ⅱ(完）
若无其他规定,Taab=25 C
GB/T4937,第篇，第2章
方满1
；就C3,C4.C5,C6.C7、CA,C9和C11分组提供计数检套结果6) 见本规范 5, 2. 1. 9,
6）连续一次成功的试验后，周期可延长为每年一次。9D组-
鉴定批准试验
D组试验应在鉴定批准后立即进行，其后一年进行一次。检验或试验
D8分组(1)
电耐久性
（加逆试验程厅，见分范12.4)
IEC748-2第V篇
7) 听示耐久性持续时间为 C组和 D组耐久性粥加时间。）执行耐久性试验的条件应按下述确定动耗.工作温度和电源电压.应按下列优先顺序作出选择a）电路上每个尚能可使用部分的平均功耗应为详细规范允许的最大值b）环境温度应在）条功耗下详细规范允许的最大值：c）电源电压应为详细规范允许的最大值，不得超过a)或b)条限制10附加资料（不用于检验）
10-1不用的输入端
【类:2 000 h\
类:3 心 h
条件”
不用的输入端可连接到适当的逻辑电平(例如：Vs或V)或一个有关的输人端。10.2瞬态能量保护
检验要求
CMOS电路在所有的输入端上都设计有保护电路，通过转移静电电荷，以减少器件输入栅氧化层损坏的可能性。输出摄可用同样的方式进行保护。可给出保护电路的电路图，例如：Vi
采用说明。
〇输山
1IEC748·24中的C12分组原为瞬态能量，为厂概念将晰，且与GB/T9424--致，现改为输人电容。GB/T 17572 -1998
通常来用的数值（实标值见详细规范）：Rs=200 22 000 (标称值）
Res=10 α~～1 000 0(标称值)
BVr-- 50 V-(80 V)120 V
BVbz-20 V~~50 V
HVg-20V~50V
BVp-20V~50V
BVns =20 V~ 50 V
RVng -50 V~(80 V)120 V
BVu-20 V-~50 V
10.3作为环境温度函数的输出电流、传输延迟时间输出转换时间的变化，在详细规范中以下面所示形式给出，这单给出的曲线显示一般追势。Itai.
fpr.HifpHI
—100
-50 -250+25 +5n
tl+++uh'+..+
*在 T=25℃下的归·化值\。
10.4输出转换时间随负载电穿的变化在详细舰范中给出。
由于CMOS极小的输入电流要求，因此当驱动其他CMOS输入时实际.上对直流输出负载电容没有限制。
CMOS器件的实际扇出数受到T作频率和电容负载条件的限制。应结出电容负载对动态特性的影响。下面所示曲线给出输出转换吋间相对丁负载电容的一般趋势，它也包含了传输延退对负载电容的一般趋势。
采用说明：
[1 由丁是 Txmh=25 C: 下的归一化值,因此曲线应布 25 心下通过 1. 0。IEC 748-2-4是 0'下通过 1. 0.现子以更正。
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本标准等同采用国际电工委员会（IEC)标准IEC748-2-4:1992《半导体器件集成电璐第2部分
数字集成电路第四篇--CMOS数字集成电路4000R和4000UB系列族规范》。本标准与《CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范》--起，可作为编制CMOS数字集成电路4000系列电路详细规范的依据。本标准引用的国家标准GB/T4937-·1995和GB/T9421—1998分别等同采用IFC.749:1984及修改单1(1991)和IEC748.2-5;1992。本标准第8章表1中的分组形式作了技术处理，以便与1EC748-11（1990)相一致，10.3中的曲线也作了更正。
本标准出中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国集成电路标准化分技术委员会归口。本标准起草单位：电子工业部标准化研究所、西安微电子技术研究所，本标准士要起草人：陈裕凝、陈学礼。GB/T 17572—1998
IEC前言
1）IEC（国际电工委员会）在技术问题上的正式决议或协议，是由对这些问题待别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的，对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。2）这些决设或协议，以推荐标准的形式供国际上使用，并在此意义上为各国家委员会所认可。3）对促进国际上的统一,IEC 希望各国家委员会在本国条件许可的情况下,采用IEC标准的文本作为其国家标准。IEC标准与相应国家标准之闻的差异，应尽可能在国家标准中指明。本标准是出SC47A(集成电路）和tFCTC47(半导体器件)制定的。本标准系CMOS数字集成电路4 000B和 4 000UB系列族规范。本标准文本以下列文件为依据：六个月法
47A(CO)174
47(CO)1050
表决报告
47(CO)194
本标推表决批准的详细资料可在上表列出的表决报告中查阅。本标准封面的QC编号是IEC电子元器件质量评定体系(IECQ)规范号。本标准用下列IEC标准：
第1部分 总则
747-1:1983半导体器件分立器件修改单1(1991）
747-10：1991半导体器件分立器件第10部分分立器件和集成电总规范748-2:1985半导体器件集成电路第2部分数字集成电路修改单1619912
748-111990半导体器件集成电路第11部分半导体集成电路（不包括混泥合电路）分规范749:1984半导体器件机械和气候试验方法修改单1（1991）
中华人民共和国国家标准
半导体器件集成电路
第2部分：数字集成电路
第四篇CMOS数字集成电路
4 000B 和 4 000UB 系列族规范Semiconductor devices-Integrated circuitsPart 2: Digital integrated circuitsSection four-Family specification for complementary MOSdigital ntegrated circuits , series 4 000B and 4 000UBGB/T 17572— 1998
idt TEC 748-2-4:1992
QC790 104
IEC 子元器件质量评定体系遵循 IEC:章程并在 IE:C 授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使-个参加国按有关舰范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。
本族规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,并应与下列IEC标准一起使用。747-10/QC700000华导休器件分立器件第10部分分立器件和集成电路总规范748-11/QC790100半导体器件集成电路第11部分半导体集成电路（不包括混合电路）分规范
要求的资料
本页及下面方括号内的数宇与下列各项要求的资料相对应，这些资料应填入相应档中。详细规范的识别
[1]」授权发布详细规范的国家标准化机构名称。L21详细规范的IECQ编号。
_3」总规范、分规范的编弓及版本号「4]详细规范的国家编号，发布日期及国家标准体系要求的任何资料：器件的识别
「5]主要功能和型号。
[6]典型结构(材料、主要工艺)和封装资料。如果器件具有若！种派生产品·则应指出其差异：例如,在对照表中列出特性差异。如果器件属静电感型，在详细规范中应附加预防说明，[7|外形图、引出端识别、标志和/或与外形有关的参考文件。[8-按总规范2.6的质量评定类别[9参考数据。
[本规范下面方括号给出的条款构成了详细规范的首页，那些条款仪供指导详细规范的编写，而不应纳入详细规范中」
国家质量技术监督局1998-11-17 批准1999-06-01实施
GB/T 17572 - 1998
[当一个条款指导编写可能引起混滑时，应于括号内指明][国家代表机构(NAI)(和可以提供规范的团|[IECQ详细规范编号、版本号和/或月期] 2]
体)的名称(地址)
评定电子元器件质量的依据
总规范：
IEC:747-10/QC700000
分规范：
IEC748-11/QC790100
[编号不同时的国家标准号]］
j QC 790104
［详细规范的国家编号】
[若国家编号与IECQ编号相同,本栏可不填]CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范施订货资料：见本现范第7章
1机械说明
外形依据：
1EC191·2._若有，则必须遵循］和/或国家标推[若无 IEC 外形］
外形图：
可以移入本规范第8章或在那叟给出详细的资料」
引出端识别：
【通出出端排列，包括图示符号】标志：字母和图形，或色码』
[若有时.详细规范应规定标志在器件上的内容
［见总规范2.5和/或本规范第6章]简要说明
CMOS,4 000H 和 4 000UB
半导体材料!SI
」封装：[空封或非空封”
注意：静电敏感器件
3质量评定类别
［按总规范2.6]］
参考数据
见详细规范
按本规范鉴定合格的器件，其有关的制造厂资料，可在现行合格产品日录中查到。[5]
4极限值（绝对最大额定值体系）GB/T 17572— 1998
除另有规定外，这些梭限值适用于整个工作温度范围。极限值不用于检验。
除详细规范另有规定外，给出的值悬有效的。条款
电源电压
输入电压1
输入电流(任一输入端)
工作温度
贮存温度
1)除瞬态外（见本规范10.2)。
5电工作条件和电特性
(检验要求见本规范第8章)。
5.1电工作条件
—0. 51)
推荐电源电压范围;3V～15V(在 V-5V、10 V和15 V下测试)5.2电特性
除另有说明外，电持性适用于个工作温度范围，所有电压以Vs为基准。
5.2.1静态特性
注，“负”号表明电流力向为流出引出端。条款
5. 2. 1. 1
5. 2. 1. 1. 1
静态电流
Vi. =0 V,Vih=Vop*
对所有的有效输入组
全温工作范围
缓冲器
触发器
其他SSI
Tarabanin
A3/A3a
A3/A3a
限温工作范围
[一门
5.2.1.1.2
5. 2. 1. 2
5. 2. 1. 3
5. 2. 1. 4
5. 2. 1. 4. 1
.—缓冲器
触发器
其他SSI
输出低电平电压
Vm-Vrn:
Io/<1 μA
输出高电平电压
Va-Vo,
IIul
低电平电压和输出高
电平电压
B-系列
lIil μA
Vn.=1. 5 V
ViL-3. 0 V
Va—7.0 V
VH=11, ()
GB/T 17572 1998
表(续)
Tambain
Teumtax
minmax
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A38
A3/A3a
[A3/A38
VA3/A3a
A3/A3a
5. 2. 1. 4. 2
5. 2. 1. 5
UB—系列
ol μA
Vrt. --1. 0 V
Vn.=2. 0 V
Vn.-- 2. 5 V
VH=8. 0 V
Yh-12. 5 y.
输出低电平
电流33.91
Vu.-o V,Vh=Vop
5. 2. 1. 5. 1.
企温工作范围
Va=0. 5 V
5.2. 1. 5.2
限温工作范围
Vo-0. 4 V
5. 2. 1. 6
输出高电平
电流3
Vi=0 V,V=V
全溢工作范圈
5. 2. 1. 6. 1
Vn=4. 6 V
Vo=9,5 V
Vn=13. 5 V
5. 2. 1. 6. 2限温工作范断
Vn=13. 5 V
5. 2. 1. 7
5. 2. 1. 7. 1
输入电流
全温工作范围
ViH=Vp
5.2.1.7.2|限温工作范围
GB/T17572—1998
表(续）
15！ Ing
T'mtmin
Tanbrar
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
A3/A3a
三态输出漏电流
VH=D V,VH=VUD.
输出高阻
V,=15 V或oV
5.2. 1. B.1企温T.作范
5. 2. 1. 8. 2] 限温 T作范围
5. 2. 1.9
每单元的输入电容
（任-输入）
2）除非详细规范另有规定：
3) 具有对称输出的器件,Inr值等 F 1o0m.。5.2.2动态特性
见空白详细规范。
6标志
见空口详细规范。
订货资料
见空自详细现范。
8试验条件和捡验要求
GB/T 17572—1998
裴(完）
Tanbruio
minmex
Tambmur
minmax
若无其他说明，本章中分条款号指总规范中的条款号，试验方法引自IEC748-2第N篇。除另有规定外,所有试验应在T,…=25（!下进行（见总规范第4章）。所有电压以Vss为基准,
逐批捡验
所有试验是非破坏性的（死IEC747-10,3.6.6)。检验或试验
A1分组
外部Ⅱ姿
标志符合性检查
A2分组
25℃下的功能验证
A2a分组
（不适用于1类）最低和展高！件温度下的助能验证
A3分组
25℃下静态持性
A3a分组
最低和最高工作温度下的静态特性A4分组
25~:下的动态特性（器无其他规定）A4a分组
（不适用于「类)最低和最高1作温度下的动态特性“
4)允许相关测量。
采用说明：
IEC. 747-10
4. 2- 1, 1
GB/T 9124 1998
第3章
GB/T9424—1998
IEC748-2、第I篇第一节
IEC748-2.第Ⅱ篇第一节
IEC748-2,第1篇第一
1EC:748-2,第I第第一节
1原表1中A组分组形式与分规范1E℃718-11不同,现已改为一致。试验
A3/A3a
A3/A3a
检验要求
试验条件
极限评定类别|ILAQL
试验条件利极限值见详细规范,检验求见有关的分规范
(I类器件见总规范2. 6)
GB/T 175721998
遥批捡验
只有标有(D)的试验为破坏性试验(见IEC 747-10,3.6.6)。检验或试验
B1分组
B3分组
引出端强度(若适用)
弯曲(D)
B4分组
可焊性
B5分组
温度快速变化
a)空封
温度快速变化
·电测试
.密封;细检渊
·密封;检漏
b）非空封和环氧空封度恨速
，外蒂日检
·稳态逛热
·电测试
BB分组
电耐久性（168）
最警测试(A3.A3 和A1)
CRRL,分组
IEC747-14
若尤其他规是,Txmh一25 ℃C
4.2.2和附录 B
GB/T 4937,第I篇,1. 2
GB/T 4937,第 1篇,2. 1
GB/T 4937.第I篇,1. 1
GB/T 9124.--1998
作用力一[见 GB/T 4937,第 1
【见GB/T4937.第算2.1]
10次循坏
[从 A2 和 A3 分趾中选择]
GB/T 4937,第口篇，7.3战按规定7.1
1FX:68-2-17,Qc 试验
GR/ 4937,第1篇,1. 1
IEC 747-10,
GB/T 4937,第且篇,5B
GB/T 94241998
IFC 748-11,12. 3
按规定
10次循环
严度1(125C,853HR),21
［从A2和A3分组中选摔］
Tam-125℃，条件：[见D8]
同A2,A3种A4
就B3、B4、B5和B8分组提供计数检查结巢表
周期检验
只有标有(D)的试验为破坏性试验（见IEC74710,3.6.6)。稳验或试验
C1 分组
IEC747-10
4.2.2和附录B
若无其他规定,T23T
检验要求
[见:本规范第 1 章]
无损坏
没润良好
同A2、A3和A4
检验要求
见本规范第1章
检验或试验
C2b(1)分组
最高和最低工作激度下的功能
C2b(2)分组
最商和最低工作温度下的动态
C3分组
引出端强度
C4分组
耐焊接热
录终测试
（同A2和A3）
C5分组
温度快速变化“
a)空封
温度快速变化
·电测试
·密射细检漏
·密封:粗检漏
b)非空封和环氧空封
温度快速变化
■外部月
·稳态湿热
·电测试
C6分组
稳态加速度
（适用于空封器件）
最测试
(同A2和A3)
C7分组
稳态湿热
适用丁空封器件
C8分组
电耐久性(1000h)
[同 A2,A3 和 A4)
C9分组免费标准下载网bzxz
高溢贮存
最终测试
(同A2,A3和A4)
GB/T 17572- 1998
表(续)
若无其他规定，T=25℃
同A28
同Ade
GB/T 4937,第1篇,1. 1 和[见 GB/T 4937 第I 篇,1. 1 和1.4
GB/T 4937,第1,2. 2
GB/T 4937第且篇,1. 1
见 A2 和 A3 分组
GB/I 4937,第I 篇,7. 3 或
IEC 68-2-17,Qc 试验
GB/T 4937.第±篇,1. 1
IEC 747-10,4. 2. 1.1
GB/ 4937,第直筋.5B
见 A2 和 A3 分组
[见 GB/T 4937 第 1 篇,2. 2]
同A2和A3
10次循环
同A2和A3分
按规定
按规定
500玖循环
严酷度 1.2 h
同A2和A3
GB/T 4937,第［篇,第 5章加速度:196 000 m/g(D)
GB/T 4937,第亚第,5A
: IEC 748-2,第 V篇
CB/T 4937,第I篇,第 2 章
严醋度:且 类和 I 类为 56 d,1类21d
Temb = 125 C,
条件L.见D8]
同 A2,A3 和 A4
1 000 h,T=125 C,
同A2.A3和A4
检验要求
C11分组
抢验或试验
标志耐久性
C12分组
输入电容
CRRL分组
GB/T17572·-1998
表Ⅱ(完）
若无其他规定,Taab=25 C
GB/T4937,第篇，第2章
方满1
；就C3,C4.C5,C6.C7、CA,C9和C11分组提供计数检套结果6) 见本规范 5, 2. 1. 9,
6）连续一次成功的试验后，周期可延长为每年一次。9D组-
鉴定批准试验
D组试验应在鉴定批准后立即进行，其后一年进行一次。检验或试验
D8分组(1)
电耐久性
（加逆试验程厅，见分范12.4)
IEC748-2第V篇
7) 听示耐久性持续时间为 C组和 D组耐久性粥加时间。）执行耐久性试验的条件应按下述确定动耗.工作温度和电源电压.应按下列优先顺序作出选择a）电路上每个尚能可使用部分的平均功耗应为详细规范允许的最大值b）环境温度应在）条功耗下详细规范允许的最大值：c）电源电压应为详细规范允许的最大值，不得超过a)或b)条限制10附加资料（不用于检验）
10-1不用的输入端
【类:2 000 h\
类:3 心 h
条件”
不用的输入端可连接到适当的逻辑电平(例如：Vs或V)或一个有关的输人端。10.2瞬态能量保护
检验要求
CMOS电路在所有的输入端上都设计有保护电路，通过转移静电电荷，以减少器件输入栅氧化层损坏的可能性。输出摄可用同样的方式进行保护。可给出保护电路的电路图，例如：Vi
采用说明。
〇输山
1IEC748·24中的C12分组原为瞬态能量，为厂概念将晰，且与GB/T9424--致，现改为输人电容。GB/T 17572 -1998
通常来用的数值（实标值见详细规范）：Rs=200 22 000 (标称值）
Res=10 α~～1 000 0(标称值)
BVr-- 50 V-(80 V)120 V
BVbz-20 V~~50 V
HVg-20V~50V
BVp-20V~50V
BVns =20 V~ 50 V
RVng -50 V~(80 V)120 V
BVu-20 V-~50 V
10.3作为环境温度函数的输出电流、传输延迟时间输出转换时间的变化，在详细规范中以下面所示形式给出，这单给出的曲线显示一般追势。Itai.
fpr.HifpHI
—100
-50 -250+25 +5n
tl+++uh'+..+
*在 T=25℃下的归·化值\。
10.4输出转换时间随负载电穿的变化在详细舰范中给出。
由于CMOS极小的输入电流要求，因此当驱动其他CMOS输入时实际.上对直流输出负载电容没有限制。
CMOS器件的实际扇出数受到T作频率和电容负载条件的限制。应结出电容负载对动态特性的影响。下面所示曲线给出输出转换吋间相对丁负载电容的一般趋势，它也包含了传输延退对负载电容的一般趋势。
采用说明：
[1 由丁是 Txmh=25 C: 下的归一化值,因此曲线应布 25 心下通过 1. 0。IEC 748-2-4是 0'下通过 1. 0.现子以更正。
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