GB/T 12750-2006
基本信息
标准号： GB/T 12750-2006
中文名称：半导体器件 集成电路 第11部分：半导体集成电路分规范(不包括混合电路)
标准类别：国家标准(GB)
标准状态：现行
发布日期：2006-08-23
实施日期：2007-02-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：587671
标准分类号
标准ICS号：电子学>>31.200集成电路、微电子学
中标分类号：电子元器件与信息技术>>微电路>>L56半导体集成电路
出版信息
出版社：中国标准出版社
页数：平装16开 页数：25, 字数：45千字
标准价格：15.0 元
计划单号：20030158-T-339
出版日期：2007-02-01
相关单位信息
首发日期：1991-03-21
起草单位：中国电子技术标准化研究所
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：信息产业部（电子）
标准简介
本标准为第11部分，等同采用IEC 60748-11:1990《半导体器件 集成电路 第11部分：半导体集成电路分规范(不包括混合电路)》，代替GB/T 12750-1991。本标准适用于已封装的半导体集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路。 GB/T 12750-2006 半导体器件 集成电路 第11部分：半导体集成电路分规范(不包括混合电路) GB/T12750-2006 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
ICS 31. 200
中华人民共和国国家标准
GB/T12750—2006/1IEC60748-11:1990代替GB/T12750—1991
半导体器件
集成电路
第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）
Semiconductor devices-Integrated circuits-Part 1l; Sectional specification for semiconductor integrated circuitsexeluding hyhrid circuits
(IEC60748-11:1990,IDT)
2006-08-23发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
2007-02-01实施
&半导体器件集成电路分为如下儿个部分：GB/T 12750—2006/IEC 60748-11:1990-GB/T16464—1996平导体器件集成电路第1部分：总则（idtIEC60748-1:1984）GB/T 17574一1998半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路(idt [EC 60748-2：1985)
CB/T17940—2000半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路（idtIEC6b748-31986)
IEC 60748-4半导体器件策威电路第 4 部分:接口集成电路-IEC60748-5半导体器件集成电路第5部分：半定制集成电路IEC60748-11卡导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）
本标准为第11部分，等同采用IEC60748-11:19904半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）\（英文版）。本标准代替GB/T12750---1991&半导体集成电路分规范（不包括混台电路）》，本标准除等同IEC60748-11外，还将1995年和1999年的IEC两次修改单内容纳入本标推。本标准与GB/T12750—1991相比,存在如下技术性差异：为保持本标准中涉及到的IEC标准体系的统一性和完整性，引用文件一律宁用1EC原文。-删除了 GB/T 12750—1991中的附录A“加速试验程序”。增划了规范性附录“起草空自诈细规范的指南和格式”。一表7中顺序按照 1FC 原文改为 A,B和 D.-12.5.3.1条中增加相关系数的一个公式，一表 9 中改变了采用 I.TPD的 B,C 和 D 组试验的抽样要求。为便于便用，本标做了如下编辑性修改：a）删除国际标准中的前言。
b）将1EC原文前言中的引用文件纳入本标准附录B的引用文件中。C)按照GB/T1.1的要求编制国家标准，将IEC原文中涉及到的表号和而码重新加以缩排。d）原文C组试验的“*”设有标注原出处，现明确在C5分组e）为了达到表 9 中涉及到的分组与 B组分组的一致性,去掉不存在的 B5分组。本标推的附录A为规范性附录，附录 H为资料性附录。本标推由中华人民共和国信息产业部提出本标推山全国半导体器件标准化技术委员会归口。本标准起草单位：中国电子技术标准化研究所(CESI)。本标主要起草人：王琪。
1范围
GB/T12750--2006/IEC60748-11:1990半导体器件集成电路
第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）
本分规范适用于已封装的半导体集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路2总则
本规范应与有关的总规范一起使用并为评定包括数字、模拟及接口电路在内的半导体集成电路，规定了质量评定程序，检验要求、筛选懒序，抽样要求、试验和测量程序的详细内穿。所有用确定工艺制造的器件充许应用能力批准程序（见IECQC00100211.7，但目前集成电路的能力批推程序尚在考虑之中)来代替鉴定批推程序。如果需要且技术上可行，则对用上述确定工艺生产的任一型号或一组型号产品可以补充应用质量---致性检验规则（见1E:60747-103.6和本规范5章～9章）。本规范的所有要求在末被新条款\能力批准程序”（在考虑中)的要求修改前，将继续有效。2. 1 有关文件
IEC 60747-10/QC 700000:1984.2.2温度推荐值
IEC 60748-1 M,5.bzxZ.net
2.3电压推荐值
IEC 60748-1 M.6.
2.4与制造过程有关的定义
2.4.1 生产线
生产定义为一套他括一个或多个下述制造阶段的工艺操作1）扩散；
2）芯片制备；
3）装配：
1）最终加工和最终电测试
5）筛选（适用时）。
注，这些阶段不含质量评定程序。1）扩散
该阶段是从制造的初始阶段到划片前最后一道工序这一制造工艺操作。2）芯片制备
该阶段是将品园划分为芯片的制造工艺操作。就本规范而言，在制造厂方便时，可将这一阶段划人扩散阶段或者装配阶段。
3）装配
该阶段是芯片粘接、引线键合和封装这一制造工艺操作。4）最终加工和最终电测试
该阶段是批放行前的最后一道制造工艺操作，包括：GB/T 12750—2006/1EC 60748-11:1990电镀在内的引出端后处理（如果有）；涂鼠，
-标志，
最终电测试。
5）筛选（适用时）
该阶段可作为装配和/或最终加工的组成部分。其定义见下面第8章。
2.4.2生产批
个生产批通常由在周内在相同生产线上通过相同工艺制造的相同型号的器件组成。2.4.3制造过程的更改
1）重要更改的定义
对按照已批准的规范供货的产品而言，能影响产品质孟或性能，或会使产品从器件的一个结构相似组转到另一个（新的或已存在的）组（见第6章）的制造工艺或技术的任何变动均规为重要更改。检查长有责任确定变动是否属于重要更改。下面 3中给出了章要更改的一些示例。21
重要更改的握妤
必须将任何重变更改的通知书及证明保持质量的试验数据递交国家监督检查机构(NSI)。3
3转包
重要更改的示例
芯开荒接
一从合金粘接变为环氧树脂粘接。改换设备但末墩变工艺，或者用预制金片代替镀金表面，均不能视为重要更改。b）晶片纯化
一从氮化硅变为二氧化硅：
一钝化层的顺序改变。
钝化层的滤积方法改变不视为重要更改。e）封装材料
从陶瓷变为塑料；
-从塑料 A 必为塑料 B。
d）金屈化
一金属化层从金变为铅，
e）芯片尺寸和/或芯片版图设过一保护层和/或阻挡层的采用。
E）健合
一从热压变为超声方法；
从金键合丝变为铝丝。
名）质量一致性检验期间的功能验证试验程序中任何试验步骤的减少。当已批准的制造涉及IECQC001002中11.1.2有关转包的条款时，制造厂应保证满足下述条件：
转包的制造工艺可以是将筛选并人其内的扩散工艺或者装配工艺。装配后的筛选也可以单独转包。而最终加工仅能与整个装配工艺[除可以单独转包的电镀外（见上述2.4.1)]一起转包。2
GB/T 12750-2006/1EC 60748-11:1990NSI应确知认证电子元器件质量评定体系（IECQ)内器件的检查长：·已获取IECQ地区外任一制造过程的全部评定和检验文件，包括每个受检样本的检验记录；·定期核实按商定条件实施质量评定和检验的情况。当部分工艺从一个制造场所转移到IECQ地区内的制造门时，应向认证器件的检查长提供转移程序并取得他的同意。NS1应得到通知并收到有关文件。检查要求和制造程序的任何更改应向认证器件的检查长报告，而重要更改则应由检查长向NSI报告（见上述2.4.3)
批准的制造厂应按详细规范的规定对认证器件进行验收试验，在IECQ地区之外的工厂八要得到NSI的监督：也可进行这些验收试验。此外，验收试验也可以转包给IECQ地区内已批的试验室。4制造的韧始阶段
本分规范中该阶段的定义如下。4.1双极型器件
改变纯P型或纯N型单晶半导体材料的第·道工序。4. 2单极型器件(例如 MOS、场效应器件)基片的第一次氧化惑基片上的第一次凝积：5质量评定程序
鉴定批准程序
-般采用IECQC001002的11.3.1方法b），其抽样要求应符合本规范表8和表5的规定然而，只要所采用的抽样要求在有关的空白详细规范里有规定，则允许采用《程序规则》11.3.1方法)。
5. 1. 1 检验批
检验批的定义见 IECQC001002的12.2。此外，从中抽取样品用于A.B和C组捡验的批应由相同生产线（见上述2.4.1和下述6,2.1)生产的符合下述条件的器件组成：
一一A组和1组：一个检验批包括由检验批代码所表示的一个月内或连续4周内牛产的器件。-——C组：提交周期检验的样品应是以连绒3个月检验批代码或连线13周检验批代码所表示的3个月内制造的器件，
-D组：提交周期检验的样品应是以连续12个月检验批代码或连续52周检验批代码所表示的12个月内制适的器件。
5. 2能力批准程序
见IEC60747-10新版本3.10（在考虑中）。6结构相似性程序
6.1 总则
6.1.1月的
结构相似性程序用于减少应经受试验的检验批数量。6. 1.2原则
对适用于一组器件型号的茉项试验而言·如果遵循本章所述的以及适用于该项试验的结构相似性一般和持殊的判别规则（见表1），则可对组内的一个型号进行该项试验，而获得的结果可认为代表组内所有的型号。那些判据的确定系基于这样的原则，即对代表型号验证的一致性和可靠性有关的那些型号至少提供了同样的一致性和可靠性保证。3
GB/T 12750—2006/IEC 60748-11:1990x
kets\99
3.9k62.9p18
结构相似性程序不能用于 A组检验中的电气试验和目检。6. 1. 3 应用条件
1）依次规定的试验和测量
本章中撒述的结均相似性程序适用于单项试验当依次定几项试验时，应根据下述原愈：GB/T12750—2006/IEC60748-11:1990对分组内一系列试验的结构相似性编组雨言，其判别规则取决于全部试验归最本质的试验。注：该原则用于 B5/C5 分组时,最本质的试验即为“温接快速变化\。2）应用于质量评定程序
结构相似性程序专门应用于质量评定程序，详细应用条件在第7章给出。6. 1. 4结构相似性一般规则
1）可选一个型号作为一组型号的代表进行规定的试验，选取的型号在各周期可以不同，仅取决于该周期内生产的型号：
对组内所有有关型号，应允许采用相同的加速试验程序：·组型号满足了特定的判到规则，妇果仍在特性上存在重人差异，则有关试验应选用能为该项3)
试验提供最大失败风险的最严格的器件作为代表型号：如果一个器件型号出现失效,则应认为与该代表型号有关的所有器件要受影响；4）
5）如果器件按第B章程序提交筛选，且相同生产线采用了几种筛选频序，则器件只能按其经受的相同筛选顺序分组。
6. 2结构相似性对应试验规则
表 1给出了适用于B组和周期捡验的结构相似性对应试验判别规则。6.2.1~-6.2.18对这些判别规则作了详细说明。使用表 1 的示例;
C3 分组要求进行引出端强度试验。对于该项试验：结构相性有下列要求（见表1)6.2.1——装配线；
6.2.3-一村装族，
6.2.5-——封装方法；
6.2.6-——外引线材料；
6. 2. 7-一 最繁工
满足上述各条全部要求的器件，对于“引出端强度\试验面言，叫视为结构相似。6. 2.1 生产线
器件应在相同的：
扩散线：
-—和/或装配线：
（见2.4.1)上制造的。
6.2.2外壳外形和尺寸
详细规范里规定的外壳外形和尺寸应相同。6.2.3封装族
（见1EC60191-4规定的标推形式）从封装族的角度来考虑结构相似性，电路应安装于符合下述判别规则的外壳内：-相同工艺的封装门类；
一一相同的引出端形式和标称截面：-一一相同的单一形式、相同的标称尺寸和相同的引出端数。5
GB/T 12750-—2006/1EC 60748-11:19906.2.4封装材料
封装材料应相同。
6.2.5封装方法
用于空封的外壳密封方法或用于非空封的树料和方法应相同。6. 2. 6外引线材料
用于外引线及涂层的材料应相同（另见6.2.7)。6.2.7终加工
不包括标志方法（另见6.2.8利最终电测试（见2.4.1的4)).对一个完整器件进行的最率加工过程应相同。
6. 2. 8 标志方法
标志的方法和外壳上采用的涂层应相向。6.2.9引出端数
只要组内器件的最多和最少引出端数之差符合下述要求，就可构成单独一组。引出数不多于24的外壳，差不大于4折引出端数多于24的外壳，差不火半86.2. 19
内部连线和内引线链合的材料
内部连线的材料和标称截面应相同。形成内引线键合的材料和方法也应相同。6.2.11
芯片粘接
芯片粘接所用的材料和方法应相同6.2.12芯片面积比
一组器件内最大与最小芯片面积比应不超过2。6. 2. 13芯片制造工艺
应按相同工艺生产芯片，即
基本技术和基本工艺相同（如肖持基、NMOS、CMOS等)：钝化类型相同：
版图设计规则和设计数据相同：执行基本功能的单元相同；
金润化方祛和材料相同：
基片材料和性能相同。
6. 2. 14密度
器件的密度为单元数与芯片面积之比，按下式给出：单元数
芯片面积
单元的定义并不要，只要应用结构相似性规则时，组内备型号均采用相同的定义即可，有芙型号的密度与受试器件密度之比应小于2。6.2.15工作电源电压
族规范和/或详细规范规定的工作电源电压应相同。6.2. 16工作温度范围
族规范和/或详细规范规定的工作温度范围应相同。6.2.17功能和电特性判据
该狗据意味落应满足下述两个要求：1）在一个结构相似性编组里，所有的器件型号应规定在同一空白详细规范及同一族规范（适用时)里
2）适用时，对代表型号及有关的型号均有效的特定功能或电特性判据按空白详细规范和/或族规范的要求。
6.2.18功耗
GB/T 12750—2006/IEC 60748-11:1990有关型号与受试器件功耗之比通常应小于1.2。然而，该比值也可以提高，只要有关型号结温的升高不超过5℃即可。
组和分组
各组战验应按下表（表2～表6)：表2分组
一年进行一次，但可烷性每3个月一次，b提交该组试验的择品应预先道过八组和B组试验，Ⅱ类
包合在分组里的特性在空白详细规范单规定，并在IEC60748号标准有关部分的Ⅲ“额定值和特性\中已强制性地列入。
表 3 A 组:逐批
外部目检
检验或试验
除另有规定外，25℃下功能验证《不适用于1类）
最高工作温度下的功能验证
《不适用于I类》
最低工作温斑下的功能验证
25℃下的静态持性
最高工作温既下的静态特性
最低工作温度下的静态特性\
除另有规定外，25℃下的动态特性（不适用于I类）
最高工作温度下的动态特性
（不适用于「类）
最低工作温度下的动态特性
武验杂件
IEC60747-10
的 4. 2. 1. 1
按详细规范规定
见相关标准
Ⅱ类和血类
如果制造」能定期证明两个极限温度下的试验结果与25℃下的试验结果相关（12.5）,则制造可以使用Tmb一25亡下的试验结果。在这种情况下，与另一个分组的试验重复时，则不需要重复该试验。7
GB/T12750—2006/[EC60748-11:1990表 4 B组:逐批
（I类情况见总规范IEC 60747-102.6)分组
检验或试验
电额定值验证
可焊性
（仅适用于空封器件）
相检游
非空封器件和环氧封的空封器件温度快速变化
随后：
外部目检
强加连湿热
电测试
电酷久性
故行批证昕记黎
引用标准
IEC 60747-10,4,2.2和附录 B
见相关标难
1EC 60749 I .3. 1
[EC 60068-2-17 或
IEC 60749 Ⅱ ,7. 3 或 7. 4
[FC 60068-2-1?
IEC 60749 m,1.1
IEC 60747-104, 2, 1, 1
IEC607495
见 A2.A3 分组
见相关标难
全氧化滋体沸点超过50℃，例如：全靠-N-艺烷为至要成分。全氮化碳液体御点超过 150亡,例如:全氧-磷酸三丁脂胺为主要成分。条件
适用时,按规定
按规定
Qk试验
严酷魔：60h
漏率;相当于 Qc 试验严格度 60 bhQe试验
方法3
液体：
1阶段t液体1
-2阶段：注体2·
10次循环
严酷度3,24h
16B h,条性按本规范12.3及（适用时>12.4的规定
按空白详细规范的规定，给出计数检查资料
空白详细规范可允许减少A3，A3:和A3h分组试验项目至一个分组的最小要求8
c「尺
检验或试验
环境温度下的电特性
最高和圾低工作温度下的电特性”C2c
电额定估验证：联态能证额定值引出端强度
耐焊接热
温度快速变化
a)空封器件
温度快速变化
陷后：
电測试
密封，细检溺
密封,检痛
b)非空封器件和环氧封的空封骆件温度快速变化
随后：
外部目检
稳态湿热：
C6！移态加度（用于空封器件）C7
态湿热
用于空封器件
-用于非空封器件和环氧封空
封器件
随后：
电凝试
电耐久性
高温贴存（若详细规范中规定）标志耐久性
放行批证明记录
将为“强加速湿热”代替。
在详细规范中自行规定。
表 5 C组:周期
引用标准
GB/T12750—2006/IEC60748-11:1990条件
IEC 607±7-10 的 4. 2. 2 和附录 B见相关标准
见相关标准
见相关标准
IEC 60749 ,1
IEC 60749 ,2. 2
IEC 60749 I,1. 1
见A2.A3分组
IEC60749㎡,7.3或7.4
IHC 60068-2-17 试验 Qc
IEC 60749 II,1. 1
IEC 60747-10.1. 2. 1. 1
IEC 60749 M-5B
见A2、A3分组
EC60749m8
IEC 60749 ,5
IEC 60749 I.5A
IEC 60749 m.5B
见A2、A3分组
见和关标准
IEC 60749 I.2
IEC 60749 N,2
按规定
按规定，如极限温度下测册
按规定,如静电敏感器件(见 1EC60747-1)
按相应封装规定·如拉力或转矩按规定
10次循环
同 A2.A3 分组
按规定
按规定
500饮话环
严酷度 1.24 h
同 A2、A3分组
按规定
严酷度: Ⅱ 类。Ⅲ类为 55d,I 类为21d
严薛度1
偏最：按详细规范规定
时向;Ⅱ类、类 1 000 h,I类
同A2,A3分组
时间:1 000 h,条件按本规范 12, 3及(适用时)12.4的规定
时间和温度按分规范或详细规范规定
方法！
按空白详细规范的规定,给出计数检查资料
适用时,应在本规范 C2b分组定期验证相关性(见本规范 A2a,A2b,A3a.A3b,A4a、A41)。在连续3次通过该试验后，周期可敬宽为一年一饮。空白详细规范可充许减少A3分组试验项目，9
GB/T12750—2006/IEC60748-11:1990分组
电耐久性
检险或试验
表6D组
引用标准
见相关标雅
时间：1000h
1类:不适用
类和山类·按详细规范规定
D12瞬态能缺
在详细规范中自行规定。
按本规范12.3和（适月时）12.4的规定
在详细规范中规定測试电压
当详细规范或拿同规定了筛选时，应按表7对生产批中所有器件进行筛选通常在 A、B,C组检验乏前进行。芳在满足了逐批的 A 组,B组和期的 亡组检验要求后进行筛选，则应重新进行可焊性、密封和A组检验（见6.1.4e)）。空白详细规范可以规定筛选后要增加的试验。
筛选烦序按装7规定。
表 7 筛选
检验或试验
内部目检
商蕴稳定
温度快速变化
稳态加邀度
电谢试
电谢试（老炼前）
电测试(老炼前）
【终点电测试后】
电蒋试（老炼后）
用标推
1EC:60749,1.1
IEC 60749, I,5
IEC 60749, .7.3
或 Z 4, 和 IEC 60068-
2-17 Q2试验
.... h
见关标准
见想关标准
见相关标准
见相关标推或按详细
规范规定
见相关标准
在专惠中
时间和温度按详细规
范规定
按详细规范规定
在最严格的方向上,加
连度大小拔详细规枪
方法 7. 3 或 7. 4 随后
若详细规范中要求,选
择参数(变尿),副除下
合格品
若详纫规范中要求，选
择参数（属性），副除不
合格品
按详细规范规定，别除
不合格品
按详细规范规定
时间：
除在空白详细规范中
另有规定外
按 6A 或 6B 规定,删除
不合格品
除详细规范另有规定外，不适用于非空封器性。（其他试验在考虑中)。A
对于单片集成电路.不合格品超过5%，对干多片集成电路，不合格品超过10%，则批拒收。可在详细规范中对批拒收规定更小的百分比。
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中华人民共和国国家标准
GB/T12750—2006/1IEC60748-11:1990代替GB/T12750—1991
半导体器件
集成电路
第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）
Semiconductor devices-Integrated circuits-Part 1l; Sectional specification for semiconductor integrated circuitsexeluding hyhrid circuits
(IEC60748-11:1990,IDT)
2006-08-23发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
2007-02-01实施
&半导体器件集成电路分为如下儿个部分：GB/T 12750—2006/IEC 60748-11:1990-GB/T16464—1996平导体器件集成电路第1部分：总则（idtIEC60748-1:1984）GB/T 17574一1998半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路(idt [EC 60748-2：1985)
CB/T17940—2000半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路（idtIEC6b748-31986)
IEC 60748-4半导体器件策威电路第 4 部分:接口集成电路-IEC60748-5半导体器件集成电路第5部分：半定制集成电路IEC60748-11卡导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）
本标准为第11部分，等同采用IEC60748-11:19904半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）\（英文版）。本标准代替GB/T12750---1991&半导体集成电路分规范（不包括混台电路）》，本标准除等同IEC60748-11外，还将1995年和1999年的IEC两次修改单内容纳入本标推。本标准与GB/T12750—1991相比,存在如下技术性差异：为保持本标准中涉及到的IEC标准体系的统一性和完整性，引用文件一律宁用1EC原文。-删除了 GB/T 12750—1991中的附录A“加速试验程序”。增划了规范性附录“起草空自诈细规范的指南和格式”。一表7中顺序按照 1FC 原文改为 A,B和 D.-12.5.3.1条中增加相关系数的一个公式，一表 9 中改变了采用 I.TPD的 B,C 和 D 组试验的抽样要求。为便于便用，本标做了如下编辑性修改：a）删除国际标准中的前言。
b）将1EC原文前言中的引用文件纳入本标准附录B的引用文件中。C)按照GB/T1.1的要求编制国家标准，将IEC原文中涉及到的表号和而码重新加以缩排。d）原文C组试验的“*”设有标注原出处，现明确在C5分组e）为了达到表 9 中涉及到的分组与 B组分组的一致性,去掉不存在的 B5分组。本标推的附录A为规范性附录，附录 H为资料性附录。本标推由中华人民共和国信息产业部提出本标推山全国半导体器件标准化技术委员会归口。本标准起草单位：中国电子技术标准化研究所(CESI)。本标主要起草人：王琪。
1范围
GB/T12750--2006/IEC60748-11:1990半导体器件集成电路
第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）
本分规范适用于已封装的半导体集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路2总则
本规范应与有关的总规范一起使用并为评定包括数字、模拟及接口电路在内的半导体集成电路，规定了质量评定程序，检验要求、筛选懒序，抽样要求、试验和测量程序的详细内穿。所有用确定工艺制造的器件充许应用能力批准程序（见IECQC00100211.7，但目前集成电路的能力批推程序尚在考虑之中)来代替鉴定批推程序。如果需要且技术上可行，则对用上述确定工艺生产的任一型号或一组型号产品可以补充应用质量---致性检验规则（见1E:60747-103.6和本规范5章～9章）。本规范的所有要求在末被新条款\能力批准程序”（在考虑中)的要求修改前，将继续有效。2. 1 有关文件
IEC 60747-10/QC 700000:1984.2.2温度推荐值
IEC 60748-1 M,5.bzxZ.net
2.3电压推荐值
IEC 60748-1 M.6.
2.4与制造过程有关的定义
2.4.1 生产线
生产定义为一套他括一个或多个下述制造阶段的工艺操作1）扩散；
2）芯片制备；
3）装配：
1）最终加工和最终电测试
5）筛选（适用时）。
注，这些阶段不含质量评定程序。1）扩散
该阶段是从制造的初始阶段到划片前最后一道工序这一制造工艺操作。2）芯片制备
该阶段是将品园划分为芯片的制造工艺操作。就本规范而言，在制造厂方便时，可将这一阶段划人扩散阶段或者装配阶段。
3）装配
该阶段是芯片粘接、引线键合和封装这一制造工艺操作。4）最终加工和最终电测试
该阶段是批放行前的最后一道制造工艺操作，包括：GB/T 12750—2006/1EC 60748-11:1990电镀在内的引出端后处理（如果有）；涂鼠，
-标志，
最终电测试。
5）筛选（适用时）
该阶段可作为装配和/或最终加工的组成部分。其定义见下面第8章。
2.4.2生产批
个生产批通常由在周内在相同生产线上通过相同工艺制造的相同型号的器件组成。2.4.3制造过程的更改
1）重要更改的定义
对按照已批准的规范供货的产品而言，能影响产品质孟或性能，或会使产品从器件的一个结构相似组转到另一个（新的或已存在的）组（见第6章）的制造工艺或技术的任何变动均规为重要更改。检查长有责任确定变动是否属于重要更改。下面 3中给出了章要更改的一些示例。21
重要更改的握妤
必须将任何重变更改的通知书及证明保持质量的试验数据递交国家监督检查机构(NSI)。3
3转包
重要更改的示例
芯开荒接
一从合金粘接变为环氧树脂粘接。改换设备但末墩变工艺，或者用预制金片代替镀金表面，均不能视为重要更改。b）晶片纯化
一从氮化硅变为二氧化硅：
一钝化层的顺序改变。
钝化层的滤积方法改变不视为重要更改。e）封装材料
从陶瓷变为塑料；
-从塑料 A 必为塑料 B。
d）金屈化
一金属化层从金变为铅，
e）芯片尺寸和/或芯片版图设过一保护层和/或阻挡层的采用。
E）健合
一从热压变为超声方法；
从金键合丝变为铝丝。
名）质量一致性检验期间的功能验证试验程序中任何试验步骤的减少。当已批准的制造涉及IECQC001002中11.1.2有关转包的条款时，制造厂应保证满足下述条件：
转包的制造工艺可以是将筛选并人其内的扩散工艺或者装配工艺。装配后的筛选也可以单独转包。而最终加工仅能与整个装配工艺[除可以单独转包的电镀外（见上述2.4.1)]一起转包。2
GB/T 12750-2006/1EC 60748-11:1990NSI应确知认证电子元器件质量评定体系（IECQ)内器件的检查长：·已获取IECQ地区外任一制造过程的全部评定和检验文件，包括每个受检样本的检验记录；·定期核实按商定条件实施质量评定和检验的情况。当部分工艺从一个制造场所转移到IECQ地区内的制造门时，应向认证器件的检查长提供转移程序并取得他的同意。NS1应得到通知并收到有关文件。检查要求和制造程序的任何更改应向认证器件的检查长报告，而重要更改则应由检查长向NSI报告（见上述2.4.3)
批准的制造厂应按详细规范的规定对认证器件进行验收试验，在IECQ地区之外的工厂八要得到NSI的监督：也可进行这些验收试验。此外，验收试验也可以转包给IECQ地区内已批的试验室。4制造的韧始阶段
本分规范中该阶段的定义如下。4.1双极型器件
改变纯P型或纯N型单晶半导体材料的第·道工序。4. 2单极型器件(例如 MOS、场效应器件)基片的第一次氧化惑基片上的第一次凝积：5质量评定程序
鉴定批准程序
-般采用IECQC001002的11.3.1方法b），其抽样要求应符合本规范表8和表5的规定然而，只要所采用的抽样要求在有关的空白详细规范里有规定，则允许采用《程序规则》11.3.1方法)。
5. 1. 1 检验批
检验批的定义见 IECQC001002的12.2。此外，从中抽取样品用于A.B和C组捡验的批应由相同生产线（见上述2.4.1和下述6,2.1)生产的符合下述条件的器件组成：
一一A组和1组：一个检验批包括由检验批代码所表示的一个月内或连续4周内牛产的器件。-——C组：提交周期检验的样品应是以连绒3个月检验批代码或连线13周检验批代码所表示的3个月内制造的器件，
-D组：提交周期检验的样品应是以连续12个月检验批代码或连续52周检验批代码所表示的12个月内制适的器件。
5. 2能力批准程序
见IEC60747-10新版本3.10（在考虑中）。6结构相似性程序
6.1 总则
6.1.1月的
结构相似性程序用于减少应经受试验的检验批数量。6. 1.2原则
对适用于一组器件型号的茉项试验而言·如果遵循本章所述的以及适用于该项试验的结构相似性一般和持殊的判别规则（见表1），则可对组内的一个型号进行该项试验，而获得的结果可认为代表组内所有的型号。那些判据的确定系基于这样的原则，即对代表型号验证的一致性和可靠性有关的那些型号至少提供了同样的一致性和可靠性保证。3
GB/T 12750—2006/IEC 60748-11:1990x
kets\99
3.9k62.9p18
结构相似性程序不能用于 A组检验中的电气试验和目检。6. 1. 3 应用条件
1）依次规定的试验和测量
本章中撒述的结均相似性程序适用于单项试验当依次定几项试验时，应根据下述原愈：GB/T12750—2006/IEC60748-11:1990对分组内一系列试验的结构相似性编组雨言，其判别规则取决于全部试验归最本质的试验。注：该原则用于 B5/C5 分组时,最本质的试验即为“温接快速变化\。2）应用于质量评定程序
结构相似性程序专门应用于质量评定程序，详细应用条件在第7章给出。6. 1. 4结构相似性一般规则
1）可选一个型号作为一组型号的代表进行规定的试验，选取的型号在各周期可以不同，仅取决于该周期内生产的型号：
对组内所有有关型号，应允许采用相同的加速试验程序：·组型号满足了特定的判到规则，妇果仍在特性上存在重人差异，则有关试验应选用能为该项3)
试验提供最大失败风险的最严格的器件作为代表型号：如果一个器件型号出现失效,则应认为与该代表型号有关的所有器件要受影响；4）
5）如果器件按第B章程序提交筛选，且相同生产线采用了几种筛选频序，则器件只能按其经受的相同筛选顺序分组。
6. 2结构相似性对应试验规则
表 1给出了适用于B组和周期捡验的结构相似性对应试验判别规则。6.2.1~-6.2.18对这些判别规则作了详细说明。使用表 1 的示例;
C3 分组要求进行引出端强度试验。对于该项试验：结构相性有下列要求（见表1)6.2.1——装配线；
6.2.3-一村装族，
6.2.5-——封装方法；
6.2.6-——外引线材料；
6. 2. 7-一 最繁工
满足上述各条全部要求的器件，对于“引出端强度\试验面言，叫视为结构相似。6. 2.1 生产线
器件应在相同的：
扩散线：
-—和/或装配线：
（见2.4.1)上制造的。
6.2.2外壳外形和尺寸
详细规范里规定的外壳外形和尺寸应相同。6.2.3封装族
（见1EC60191-4规定的标推形式）从封装族的角度来考虑结构相似性，电路应安装于符合下述判别规则的外壳内：-相同工艺的封装门类；
一一相同的引出端形式和标称截面：-一一相同的单一形式、相同的标称尺寸和相同的引出端数。5
GB/T 12750-—2006/1EC 60748-11:19906.2.4封装材料
封装材料应相同。
6.2.5封装方法
用于空封的外壳密封方法或用于非空封的树料和方法应相同。6. 2. 6外引线材料
用于外引线及涂层的材料应相同（另见6.2.7)。6.2.7终加工
不包括标志方法（另见6.2.8利最终电测试（见2.4.1的4)).对一个完整器件进行的最率加工过程应相同。
6. 2. 8 标志方法
标志的方法和外壳上采用的涂层应相向。6.2.9引出端数
只要组内器件的最多和最少引出端数之差符合下述要求，就可构成单独一组。引出数不多于24的外壳，差不大于4折引出端数多于24的外壳，差不火半86.2. 19
内部连线和内引线链合的材料
内部连线的材料和标称截面应相同。形成内引线键合的材料和方法也应相同。6.2.11
芯片粘接
芯片粘接所用的材料和方法应相同6.2.12芯片面积比
一组器件内最大与最小芯片面积比应不超过2。6. 2. 13芯片制造工艺
应按相同工艺生产芯片，即
基本技术和基本工艺相同（如肖持基、NMOS、CMOS等)：钝化类型相同：
版图设计规则和设计数据相同：执行基本功能的单元相同；
金润化方祛和材料相同：
基片材料和性能相同。
6. 2. 14密度
器件的密度为单元数与芯片面积之比，按下式给出：单元数
芯片面积
单元的定义并不要，只要应用结构相似性规则时，组内备型号均采用相同的定义即可，有芙型号的密度与受试器件密度之比应小于2。6.2.15工作电源电压
族规范和/或详细规范规定的工作电源电压应相同。6.2. 16工作温度范围
族规范和/或详细规范规定的工作温度范围应相同。6.2.17功能和电特性判据
该狗据意味落应满足下述两个要求：1）在一个结构相似性编组里，所有的器件型号应规定在同一空白详细规范及同一族规范（适用时)里
2）适用时，对代表型号及有关的型号均有效的特定功能或电特性判据按空白详细规范和/或族规范的要求。
6.2.18功耗
GB/T 12750—2006/IEC 60748-11:1990有关型号与受试器件功耗之比通常应小于1.2。然而，该比值也可以提高，只要有关型号结温的升高不超过5℃即可。
组和分组
各组战验应按下表（表2～表6)：表2分组
一年进行一次，但可烷性每3个月一次，b提交该组试验的择品应预先道过八组和B组试验，Ⅱ类
包合在分组里的特性在空白详细规范单规定，并在IEC60748号标准有关部分的Ⅲ“额定值和特性\中已强制性地列入。
表 3 A 组:逐批
外部目检
检验或试验
除另有规定外，25℃下功能验证《不适用于1类）
最高工作温度下的功能验证
《不适用于I类》
最低工作温斑下的功能验证
25℃下的静态持性
最高工作温既下的静态特性
最低工作温度下的静态特性\
除另有规定外，25℃下的动态特性（不适用于I类）
最高工作温度下的动态特性
（不适用于「类）
最低工作温度下的动态特性
武验杂件
IEC60747-10
的 4. 2. 1. 1
按详细规范规定
见相关标准
Ⅱ类和血类
如果制造」能定期证明两个极限温度下的试验结果与25℃下的试验结果相关（12.5）,则制造可以使用Tmb一25亡下的试验结果。在这种情况下，与另一个分组的试验重复时，则不需要重复该试验。7
GB/T12750—2006/[EC60748-11:1990表 4 B组:逐批
（I类情况见总规范IEC 60747-102.6)分组
检验或试验
电额定值验证
可焊性
（仅适用于空封器件）
相检游
非空封器件和环氧封的空封器件温度快速变化
随后：
外部目检
强加连湿热
电测试
电酷久性
故行批证昕记黎
引用标准
IEC 60747-10,4,2.2和附录 B
见相关标难
1EC 60749 I .3. 1
[EC 60068-2-17 或
IEC 60749 Ⅱ ,7. 3 或 7. 4
[FC 60068-2-1?
IEC 60749 m,1.1
IEC 60747-104, 2, 1, 1
IEC607495
见 A2.A3 分组
见相关标难
全氧化滋体沸点超过50℃，例如：全靠-N-艺烷为至要成分。全氮化碳液体御点超过 150亡,例如:全氧-磷酸三丁脂胺为主要成分。条件
适用时,按规定
按规定
Qk试验
严酷魔：60h
漏率;相当于 Qc 试验严格度 60 bhQe试验
方法3
液体：
1阶段t液体1
-2阶段：注体2·
10次循环
严酷度3,24h
16B h,条性按本规范12.3及（适用时>12.4的规定
按空白详细规范的规定，给出计数检查资料
空白详细规范可允许减少A3，A3:和A3h分组试验项目至一个分组的最小要求8
c「尺
检验或试验
环境温度下的电特性
最高和圾低工作温度下的电特性”C2c
电额定估验证：联态能证额定值引出端强度
耐焊接热
温度快速变化
a)空封器件
温度快速变化
陷后：
电測试
密封，细检溺
密封,检痛
b)非空封器件和环氧封的空封骆件温度快速变化
随后：
外部目检
稳态湿热：
C6！移态加度（用于空封器件）C7
态湿热
用于空封器件
-用于非空封器件和环氧封空
封器件
随后：
电凝试
电耐久性
高温贴存（若详细规范中规定）标志耐久性
放行批证明记录
将为“强加速湿热”代替。
在详细规范中自行规定。
表 5 C组:周期
引用标准
GB/T12750—2006/IEC60748-11:1990条件
IEC 607±7-10 的 4. 2. 2 和附录 B见相关标准
见相关标准
见相关标准
IEC 60749 ,1
IEC 60749 ,2. 2
IEC 60749 I,1. 1
见A2.A3分组
IEC60749㎡,7.3或7.4
IHC 60068-2-17 试验 Qc
IEC 60749 II,1. 1
IEC 60747-10.1. 2. 1. 1
IEC 60749 M-5B
见A2、A3分组
EC60749m8
IEC 60749 ,5
IEC 60749 I.5A
IEC 60749 m.5B
见A2、A3分组
见和关标准
IEC 60749 I.2
IEC 60749 N,2
按规定
按规定，如极限温度下测册
按规定,如静电敏感器件(见 1EC60747-1)
按相应封装规定·如拉力或转矩按规定
10次循环
同 A2.A3 分组
按规定
按规定
500饮话环
严酷度 1.24 h
同 A2、A3分组
按规定
严酷度: Ⅱ 类。Ⅲ类为 55d,I 类为21d
严薛度1
偏最：按详细规范规定
时向;Ⅱ类、类 1 000 h,I类
同A2,A3分组
时间:1 000 h,条件按本规范 12, 3及(适用时)12.4的规定
时间和温度按分规范或详细规范规定
方法！
按空白详细规范的规定,给出计数检查资料
适用时,应在本规范 C2b分组定期验证相关性(见本规范 A2a,A2b,A3a.A3b,A4a、A41)。在连续3次通过该试验后，周期可敬宽为一年一饮。空白详细规范可充许减少A3分组试验项目，9
GB/T12750—2006/IEC60748-11:1990分组
电耐久性
检险或试验
表6D组
引用标准
见相关标雅
时间：1000h
1类:不适用
类和山类·按详细规范规定
D12瞬态能缺
在详细规范中自行规定。
按本规范12.3和（适月时）12.4的规定
在详细规范中规定測试电压
当详细规范或拿同规定了筛选时，应按表7对生产批中所有器件进行筛选通常在 A、B,C组检验乏前进行。芳在满足了逐批的 A 组,B组和期的 亡组检验要求后进行筛选，则应重新进行可焊性、密封和A组检验（见6.1.4e)）。空白详细规范可以规定筛选后要增加的试验。
筛选烦序按装7规定。
表 7 筛选
检验或试验
内部目检
商蕴稳定
温度快速变化
稳态加邀度
电谢试
电谢试（老炼前）
电测试(老炼前）
【终点电测试后】
电蒋试（老炼后）
用标推
1EC:60749,1.1
IEC 60749, I,5
IEC 60749, .7.3
或 Z 4, 和 IEC 60068-
2-17 Q2试验
.... h
见关标准
见想关标准
见相关标准
见相关标推或按详细
规范规定
见相关标准
在专惠中
时间和温度按详细规
范规定
按详细规范规定
在最严格的方向上,加
连度大小拔详细规枪
方法 7. 3 或 7. 4 随后
若详细规范中要求,选
择参数(变尿),副除下
合格品
若详纫规范中要求，选
择参数（属性），副除不
合格品
按详细规范规定，别除
不合格品
按详细规范规定
时间：
除在空白详细规范中
另有规定外
按 6A 或 6B 规定,删除
不合格品
除详细规范另有规定外，不适用于非空封器性。（其他试验在考虑中)。A
对于单片集成电路.不合格品超过5%，对干多片集成电路，不合格品超过10%，则批拒收。可在详细规范中对批拒收规定更小的百分比。
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