本标准规定了用红外吸收法测定锗单晶中问隙氧含量的方法。本标准适用于锗单晶中间隙氧含量的测定，测量范围为lOppba至问隙氧在锗单晶中的最大固溶度。 SJ/T 10625-1995 锗单晶体中间隙氧含量的红外吸收测定方法 SJ/T10625-1995 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本标准规定了用红外吸收法测定锗单晶中问隙氧含量的方法。本标准适用于锗单晶中间隙氧含量的测定，测量范围为lOppba至问隙氧在锗单晶中的最大固溶度。

中华人民共和国电子行业标准
SI/T 10625-1995
锗单晶体中间隙氧含量的
红外吸收测定方法
Determination mcthod for interstitial atomic oxygen contentof germanium by infrared abaorptior1995-04-22发布
1995-10-01实施
中华人民共和国电子工业部发布中华人民共和国电子行业标
锗单晶体中间隙氧含量的红外吸收测定方法Determinationt method forinterstital atomic axygen cont.entof germaniumby infrared aiianrplom1主题内容与适用范围
1.1主题肉容　
和标推规定了用红外吸收法谢定详晶中间氧含量的方法。1.2道府范铜
SI/T 10625- 1995
在标准适用于鳍单品中间隙氧含量的测定，谢量范为10ppba系问既氢在单品中的最大园溶度。
2方法原理撕要
本方法是用红外光谱仪测定错-氧键11.71处的红外吸收系数确定间源氧含量。单晶中氧舍鼠与11.了um变红吸收系数具有对应关系。3试验仪器
双光束红外分光光度计或付单叶变换红外光谱仅。仪器在波数1000cm-1处的分辨率应优于 4cm-，
b。其有合适的拌磊渠：
c，千分尺，精度0.01mm；
d．标准平面锗单晶。
4试样的制备
4.1测量试样的制备
4.1.1研离后的试样需经双商越光，使两表面呈光学镜面。4.1.2量部位的试样厚度差应小于10μm。4.1.3氧含量人二或等干1psma时,试样厚度为 2～5mm;含量小于 1ppm时,该样厚度为10-25mm
4.2参比品的制备
4.2.1选取间剪气含量小于1ppba的锗单品为参比样品。4.2.2参比样品的制备同4.1.1至4.1.2。中华人民共和国电子工业部1995-04-22批准1995-10-01实施
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4.2.3参比详品与待测试洋的厚度差应小于0.5%。5试验程序
5.1样品厚度的选择bzxZ.net
按4.1.3的要求确定测量样品的厚度。5.2测量方法选择
5.2.）差别法（裁法)
5.2.1.t分别在试样光来和参比光术姿放样品架，通光孔径为10mmg5.2.1.2调整透过率0%（仪对双宽红外分光光度计)和100%5.2.1.3分别试栏光束和参比光来安成待测试样和厚度匹配的参比样品。5.2.1.4对双光束外分光光度计，调整扫措速度、时间常数，狭缝宽度张增益等仪器参数；对付计变红多光谱仪扫扯次数不少128次，在【1.7m处绪-氧键吸带半宽度为8cn-1,
非就度彻定方法如下到，确冠基线透率。和整俏透过率T，令T宁下，过T点作基线的“行线，与吸改群的两测交于M.N，M、N作横的垂线，与横坠标相交丁、U2，A-2(em 实
5.2.1.5在1050~650cm1范扫错，得到854cm的：吸收带5.2.1.6草夏测量次,张结果的平均准5.2.2空气参比法
5.5.2.1测量时.除参比光来中不放参比详品外，其余程序问5.2.1.1~5.2.1.66试验结果的计算
6.1吸改系数α格式(1)计算：
武中：
下，和下分滤为基线和峰值处杆对应的透过率，器：2
D-试样厚度,cm
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考虑试样内部多次反射措况时,吸收系数。的计算则附录A补充件)。6.2氧含N[]的计算
6.2.1差别法
按(2)或式(3)计算：
300K时：
N[0]=2.81α(ppme)
N[0: = 1.25 × 10(atams.cm 3].6.2.2空气参比法
用空参比法测基时，紧靠吸收带的两侧做基线，以消除晶格吸妆的影响。其讨算方法固6.2.1c
7精密度
单一实验室的测量相对标准差为±10%(R1S%)。8报告
试验报告应包括以下内容：
测量方法；
测基仪器：
：栏品厚度租编号：
计算的吸收系数：
间除氮含量；
操作者及测量目期。
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附桑A
吸收系数α的计算
（补充件）
由于红外辐射在试样内部存在多次反射，所以本标雅式(1)只是近似的，在考虑内部行在多欲反射的惰说下，直入射的透过率为：(! - R)e-a)
- R,-2en
式中:R-反射系数：
a-吸收系数,cm-;
D-试样享度,cm。
按本标准式(1)得到的吸收系数与式(4)得到的吸收系数之间的相对误差小于10%附加说明：
本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准由电子工业部第46研究所负旁越草。本标准主要起草人：旬秀坤、李光平、汝琼娜、段曙光。4
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