SJ 2099-1982ＣＳ４２型Ｎ沟道结型场效应小功率半导体开关三极管

中华人民共和国电子工业部部标准CS42型N沟道结型场效应
小功率半导体开关三极管
SJ2099—82
1本标准适用于CS42型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管。该产品主要用于电子设备的开关电路中。
2该产品除应符合本标准的规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。3产品的外形结构和尺寸应符合陶瓷环氧封装外型结构和尺寸（见SJ2098一82《CS41型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管》附录A)图的规定。引出线排列顺序为S、D、G。4技术要求和试验方法
4.1产品的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ1949~1973--81《场效应半导体管测试方法》及SJ2092-—82《CS35型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管》附录A的规定。4.2各项环境试验后，按顺序测试下列电参数：漏源通态电阻ros（on）
截止漏电流ID（o1);
栅源截止电压VGs(o1n);
截止栅电流less:
栅源击穿电压V（BR)GSS。
测试结果：rpsc。）、I(ofn)、Ves(ott)的相对变化均不得超过土30%，Iess、V(BR>css应符合规范值。
4.3短期寿命试验条件
a.电压：Vs=-10V,Vps=0:
温度：125℃：
时间：240小时。
4.4高温贮存试验条件
温度：125℃。
4.5短期寿命试验和高温贮存试验后考核标准为：rps(。n)、Ip(。1n)、Vcs(。tt)的相对变化均不得超过±30%为合格。
4.6本标准参数规范的仲裁条件为：a.环境温度，25±1℃
b.相对湿度：48%~52%；
c.气压：860~1060mbar。
5各生产单位应在产品说明书中提供下列特性曲线：a.rpst.)
-I，曲线：
b.ros(on)
-T。曲线：
c.IDssTa曲线;
d.Vese.I,VDs曲线。
6各生产单位应在产品说明书中提供本单位工艺筛选的项目和条件。中华人民共和国电子工业部1982-05-15发布1982-12-01实施
SJ2099-82
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