SJ 2101-1982ＣＳ４４型Ｎ沟道结型场效应小功率半导体开关三极管

中华人民共和国电子工业部部标准CS44型N沟道结型场效应
小功率半导体开关三极管
SJ2101-82
1本标准适用于CS44型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管。该产品主要用于电子设备的开关电路中。
2该产品除应符合本标准的规定外，还应符含SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。3产品的外形结构和尺寸应符合SJ139-81《半导体三极管外形尺寸》中的B-1型的规定。引出线排列顺序为 S、D、G。
4技术要求和试验方法
4.1产品的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ19491973—81《场效应半导体管测试方法》及SJ2092—82《CS35型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管》附录A的规定。
4.2各项环境试验后，按顺序测试下列电参数：漏源通态电阻rDs(.)
b.截止漏电流Ip(o)：
栅源截止电压Vcs(o1);
d.截止栅电流Icss;
栅源击穿电压V(BR）GSS。
测试结果：rps(。.)，ID(oH)、VGsron>的相对变化均不得超过±30%，Iess、V(BR>Gss应符含规范值。4.3短期寿命试验条件
电压：Ves=-10V,Vps=0:
b.温度：175C；
c时间：240小时。
4.4高温存试验条件
温度：175℃。
4.5短期寿命试验和高温贮存试验后考核标准为：rps(。)、Ip4.6本标准参数规范的仲裁条件为：a，环境温度：25±1℃；
b.相对湿度：48%~52%；
c.气压：8601060mbar。
5各生产单位应在产品说明书中提供下列特性曲线：I，曲线：
a. TDston
b. rps(an)
-T.曲线：
Ipss—T。曲线；
d.Ves(om--T.曲线：
I,VDs曲线，
6各生产单位应在产品说明书中提供本单位工艺筛选的项目和条件。中华人民共和国电子工业部1982-05-15发布1982-12-01实施
SJ2101-82
A8--(O)S0
AOT=SGA
0=(*)S2
A0-=S0A*0=S0A
(ro)sa
AOTSAA
A8-=S0A
AOTSaA
sse(ue）s