基本信息
标准号：
SJ 2214.6-1982
SJ 2214.6-1982半导体光敏三极管集电极－发射极反向击穿电压的测试方法
标准类别：电子行业标准(SJ)
发布日期：1982-11-30
实施日期：1983-07-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：41.91 KB
相关标签：
电压
半导体
光敏
击穿
反向
三极管
标准分类号
中标分类号：通信、广播>>通信、广播综合>>M01技术管理
关联标准
相关单位信息
标准简介
SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极－发射极反向击穿电压的测试方法 SJ2214.6-1982
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标准内容
中华人民共和国电子工业部部标准半导体光敏三极管集电极一发射极反向击穿电压的测试方法
SJ2214.6-82
本标准适用于光敏兰极管集电极一发射极反向击穿电压VBR)CEo的测试。测试反向击穿电压VBR)CEo总的要求应符合SJ2214.1—82《半导体光敏管测试方法总则》。反向击穿电压V(BR)CEo的测试
2.1定义
在无光照下，集电极电流1.为规定值，集电极与发射极间的电压降。2.2V(BR)CEo的测试原理图应符合下图。A
遮光率
3测试步骤
接人被测管后，调节恒流源，使Ic达到规定值，电压表上的读数即为所测反向击穿电压V(BR)CEO。注：有基极引线的光敏三极管按半导体三极管测试方法。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
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