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基本信息

标准号: SJ 2215.6-1982

SJ 2215.6-1982半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法

标准类别:电子行业标准(SJ)

发布日期:1982-11-30

实施日期:1983-07-01

出版语种:简体中文

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相关标签: 耦合 半导体 二极管

标准分类号

中标分类号:通信、广播>>通信、广播综合>>M01技术管理

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标准价格:8.0 元

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标准简介

SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法 SJ2215.6-1982

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标准内容

中华人民共和国电子工业部部标准房(二极管)
半导体光耦合器
结电容的测试方法
本标准适用于光耦合器结电容C,的测试。SJ2215.6-82
测试结电容C,的要求应符合SJ2215.1一82《半导体光耦合器测试方法总则》。结电容C.的测试
2.1定义
在规定偏压下,被测管两端的电容值。2.2结电容的测试原理图应符合下图。振荡器
3测试步骤
放大器
鉴频器
指示器
调节零位,然后放工被测管,在指示器上显示出来的读数即为该管之电容值C,。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施

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SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法