SJ 2290-1983３ＤＧ１５２型ＮＰＮ硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3DG152型NPN硅外延平面
超高频低噪声小功率三极管
SJ2290—83
本标准适用于3DG152型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的大动态、低噪声高频放大电路中。1该产品除本标准规定外，三类应符合SJ281一76《三类半导体二，三极管总技术条件》的规定：二类应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2外型结构和尺寸应符合SJ13981《半导体三极管外形尺寸》的B-1型。应采用四根引线。3技术要求和试验方法
3.1电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合SJ155～170一65《半导体三极管测试方法》的规定。
3.2h下E不分档。如需分档，按如下规定hpr范
注：允许测试误差为±10%。
80~120
120~180
3.3环境试验后，按顺序测量下列电参数，反向电流和饱和压降应符合参数规范表的规范值，电流放大系数的相对变化不得超过土20%。反向电流
饱和压降；
电流放大系数。
3.4高温贮存和额定功率试验条件：a.
高温贮存试验条件：按Tim为175℃下进行；额定功率试验条件：功率为Pcm值，电压VcB为10V。3.5高温贮存和额定功率试验后，按下列标准考核：a.
Ic8o不得大于规范值的两倍；
hr的相对变化，不得超过±35%；b.
VBE（a)的相对变化，不得超过+20%；d.
Vcg（at）的相对变化，不得超过0.1V+VcE（）初20%：e.
反向击穿电压不得低于规范值。生产单位应在产品说明书、手册或样本中提供下列特性曲线：4
IB-VBE:
Ie-Vers
V(BR)CEO, V(BR)CHO-Ta;
d.hee-T。,
e.hre-Ic:
中华人民共和国电子工业部1983-01-14发布1983-10-01实施
g. Gp,—lc:
h. Cou-Vcu;
i.IceovIcBo-Ta;
SJ2290—83
3DG152型NPN硅外延平面超高频低噪声三极管规范表电
3DG152A
3DG152B
3DG152C
测试条件
试验类别
极限参数
直流参数
VeBROCEOVBROBO
3DG152A
3DG152B
3DG152C
测试条件
试验类别
VBE(iat)
Veetsat
AO=034
VCBROCBO
is11iLes1is121
LoS12IS211
Vee=10V
Ic=7mA
f=100MHz
3DG152A
3DG152B
SDG152C
测试条件
试验类别
SJ2290—83
L&S21.IS22/LS22JIS11I
oS11IS121
VcE=10V
Ic=7mA
f=100MHz
LeS12S
VcE=10V
Ie=7mA
f=400MHz