SJ 2358-1983３ＣＤ１５１、３ＣＤ１５２、３ＣＤ３５１型ＰＮＰ硅低压低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD151型、3CD152型、3CD351型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ2358—83
1本标准适用于耗散功率为7.5W的3CD151型、3CD152型、3CD351型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的低压低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号一般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEOtsus)-—集电极一发射极（基极开路时)的维持电压；VcER(sus)——集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139-78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VCBO、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcBO、VcEo不许降档，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcBO集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBo应符合要求，其中VCBO、VCEO不许降档，反向电流IcE0不超过规范值的2倍；饱和压降VcE(sa不超过规范值的1.2倍，电流放大系数hpE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：a.安全工作区（包括直流、脉冲宽度t为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线，b.热循环特性曲线；
c.PcM一Tc的关系曲线；
d.hFE一Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时），e.IB—VBE的关系曲线：
f．Ic一Vce的关系曲线（Tc为25℃时），IcVBE的关系曲线。
83CD151型、3CD152型、3CD351型PNP硅低压低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1984-03-01实施
PcM(Tc=25C)
SJ2358-83
150（金属封装），125（塑料封装）—40~+125（塑料封装）
-55~+150（金属封装），
注：lcm为hFE=5时的集电极直流电流。8.2三极管的电特性见表2。
计最单位
SJ2358-83
0306032
(zHWI=)