SJ 2362-1983３ＣＤ１５９、３ＣＤ１６０型ＰＮＰ硅低压低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD159型、3CD160型
PNP硅低压低频大功率三极管
SJ2362-83
1本标准适用于耗散功率为75W的3CD159型、3CD160型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的低压低频大功率二极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号一般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEo(sus)——集电极一发射极（基极开路时）的维持电压；VCER(SuS)
一集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压Vc:BO、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcBO、VcEo不许降档，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcB0集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBO应符合要求，其中VCBO、VcEO不许降档，反向电流IcEo不超过规范值的2倍，饱和压降VcE(sat不超过规范值的1.2倍，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：a，安全工作区（包括直流、脉冲宽度tw为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线，b.热循环特性曲线；
c.PcM一Tc的关系曲线；
d.hFE—Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时)；e：「：—VBe的关系曲线；
f．Ic-VcE的关系曲线（Tc为25℃时）；g．Ic-VBE的关系曲线。
83CD159型、3CD160型PNP硅低压低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1984-03-01实施
Pcm(Tc=25℃）
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150（金属封装），125（塑料封装）-55~+150（金属封装），40~+125（塑料封装）注：IcM为hFE=5时的集电极直流电流。8.2三极管的电特性见表2。
计量单位
(Te-100℃)
(R=50Q)
(Te=-55C）
Vaguen
（fo=IMHz）
t.1s或直流
RJe（金属封装）
试验条件
副试条件
Veg=0.9Veeo
Te=75℃（金属封装）
15~30,25~50,40~80,70~140
Vee= -10V
Veg-20V
120~240,
Ic=-2.25A
注：①F档以上的器件第一个测试点的Vcg选在Pcw线与Ps/#线的交点处，Vce×Is/b>Pex②B档以上的器件第二个试点的VcE>0.9VcaO，此点不应发生二次击穿。3
3CD159
F-2型
铜底座
3CD160
F-2型
铁疾座
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