SJ 2366-1983３ＣＤ４４７型ＰＮＰ硅高压低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD447型
PNP硅高压低频大功率三极管
SJ2366—83
1本标准适用于耗散功率为1.5W的3CD447型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的高压低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号-般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VCEO(suS)
一集电极一发射极（基极开路时)的维持电压；一集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。VCER(SS)
3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcBo、VcEo不许降档，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBo应符合要求，其中VcBO、VcEO不许降档，反向电流1cEo不超过规范值的2倍，饱和压降VcE（sat不超过规范值的1.2倍，电流放大系数hpE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：a.安全工作区（包括直流、脉冲宽度t为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线b.
热循环特性曲线；
PcM—Tc的关系曲线；
hFE一Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时）；d.
e。IBVBE的关系曲线；
f.Ic一VcE的关系曲线（Tc为25℃时）g，Ic—VBE的关系曲线。
83CD447型PNP硅高压低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1984-03-01实施
Pcm(Tc=25℃)
SJ2366—83
150（金属封装），125（塑料封装）55~+150（金属封装），-40~+125（塑料封装）注：lcm为hFE=5时的集电极直流电流。三极管的电特性见表2。
计量单位
(Tc=100℃)
VeEomn
(R=500）
(Te--55℃)
Vggtat)
(fo-iMHz)
1。=15或直流
Rur）e（型料封装）
试验系件
潜试条件
Vcg=0.9Vceo
Te=75℃（塑料封装）
15~30,25~50,
70~140,
120~240,
Vee-20V
Ic=0.045A
注，①B档以上的器件第一个删试点的VcE选在Pca线与Ps/B线的交点处，Vcg×Is/B>Pem。②B档以上的器件第二个测试点的Vce>0.9VcgO，此点不应发生二次击穿。min
3CD447
S-6型
料封装
286688