SJ 2372-1983３ＣＤ２５９、３ＣＤ２６０型ＰＮＰ硅高压低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD259型3CD260型
PNP硅高压低频大功率三极管
SJ2372—83
1本标准适用于耗散功率为75W的3CD259型、3CI)260型PNP硅重扩散、外延基区、单扩散等工艺的高压低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号一般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VCEO(sus)—
VCER(SS)
一集电极一发射极（基极开路时)的维持电压一集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VcBo、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcBO、VcEo不许降档，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcB0集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极申压VEBo应符合要求，其中VCBO、VcEo不许降档；反向电流IcEo不超过规范值的2倍：饱和压降VcE(san）不超过规范值的1.2倍电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：a.
安全工作区（包括直流、脉冲宽度tw为1s、100ms、10ms，1ms等）曲线；b.热循环特性曲线；
Pcm一Tc的关系曲线，
dhFE一Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时）；IB一VBE的关系曲线；
f.Ic一VcE的关系曲线（Tc为25℃时）；g：IcVBE的关系曲线。
83CD259型、3CD260型PNP硅高压低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1984-03-01实施
PcM (Tc=25℃)
SJ2372—83
150（金属封装），125（塑料封装）-55~+150（金属封装），-40~+125（塑料封装）注：Icm为hFE=5时的集电极直流电流。2三极管的电特性见表2。
计量单位
(Tc=100℃)
VeEO(nn
(R=50）
(Tc--55℃)
(f.=iMHz)
t#=1s减直流
Rane（金属封装）
试验条件
副试条件
VcE0.9VcEO
Tc=75℃（金属封装）
15~30,25~50,
40~80,
70~140,
Veg=-20V
120~240,
注：①B者以上的器件第一个测试点的Vee选在Pca线与Ps/B线的交点处，Veg×Is/B>Pecm②3档以上的器件第二个测试点的VcE>0.9VcEU，此点不应发生二次击穿。2
3CD259
F-2型
底座、
3CD260
F-2型
2372-83