SJ 2378-1983 ３ＣＤ５５１、３ＣＤ５５２、３ＣＤ６５１型ＰＮＰ硅外延平面低频大功率三极管 SJ2378-1983 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子工业部部标准3CD551型、3CD552型、3CD651型PNP硅外延平面低频大功率三极管SJ2378—83
1本标准适用于耗散功率为7.5W的3CD551型、3CD552型、3CD651型PNP硅外延平面工艺的低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614--73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号一般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEo(sus)——集电极一发射极（基极开路时)的维持电压；VCER(sus)
一集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcB0、VcEo不许降档，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcBo、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBo应符合要求，其中VcBO、VcEo不许降档，反向电流IcEo不超过规范值的2倍，饱和压降VcE（aat)不超过规范值的1.2倍，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：a.安全工作区（包括直流、脉冲宽度tw为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线：b.
热循环特性曲线：
PcM—Tc的关系曲线；
d.hFE一Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时）；e.IB一VBE的关系曲线
f.Ic一VcE的关系曲线（Tc为25℃时）；g．Ic—VBE的关系曲线。
83CD551型、3CD552型、3CD651型PNP硅外延平面低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1984-03-01实施
PcM(Tc=25℃）
SJ2378—83
150（金属封装），125（塑料封装）-55~+150（金属封装），-40~+125（塑料封装）注：IcM为hFE=5时的集电极直流电流。8.2三极管的电特性见表2。
计量单位
(Te=100C)
VcEO4n
(Te=-55C)
Veguan
VaEtsa
(f。=10MHz）
1a=15或直流
Rune（金属对装）www.bzxz.net
Ruasje（塑料封装）
试验条件
测试条件
Vee=0.9Vceo
Te=75℃（金属封装）
Tc=75℃（塑料封装）
Vee=-10V
Ic=-0.45A
Veg=-10V
15~3025~50,
40~80,70~140,120240,
Veg=-20V
Vcg=-20V
注：①B档以上的器件第一个测试点的Vce选在Pca线与Ps/a线的交点处，Vcg×Is/B>Pem。②B档以上的器件第二个测试点的Vce>0.9VcE0，此点不应发生二次击穿。-0.5
Ic=-0.23A
3CD551
F-1型
钢底座、
3CD552
F-1型
铁底座、
3CD651
S-6型
塑料封装
2878—83
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