SJ 2380-1983３ＣＤ５５５、３ＣＤ５５６、３ＣＤ６５５型ＰＮＰ硅外延平面低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD555型、3CD556型3CD655型
PNP硅外延平面低频大功率三极管SJ2380-83
1本标准适用于耗散功率为30W的3CD555型、3CD556型、3CD655型PNP硅外延平面I艺的低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEo(sus）——集电极一发射极（基极开路时）的维持电压；VcER(sus)——集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合S」139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300~314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcRO、VcEo不许降档；电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcB0、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VeBo应符合要求，其中VcRO、VcEo不许降档，反向电流IcEo不超过规范值的2倍，饱和压降VcE(sa>不超过规范值的1.2倍；电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：a：安全工作区（包括直流、脉冲宽度t为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线；b.热循环特性曲线；
c．PcmTc的关系曲线，
dhFE-Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时)；e.IB—VBE的关系曲线：
f．Ic—VcE的关系曲线（Tc为25℃时）；g．Ic—VBE的关系曲线。
83CD555型、3CD556型、3CD655型PNP硅外延平面低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1984-03-01实施
PcM（Tc=25℃）
SJ2380-83
150（金属封装），125（塑料封装）-55~+150（金属封装），=40～+125（塑料封装）注：IcM为hFE=5时的集电极直流电流。2三极管的电特性见表2。
计量单位
(Te=100℃）
Vceotn
(Te=-55℃）
Veeusan
VgE tan
(fa=10MHz）
t=15或直流
Runje（金属封装）
Run>je（塑料封装）
试验条件
测试条件
Vcg=0.9Vceo
Tc=75℃（金属封装）
Tc=75℃（塑料封装）
Vee--10V
Vce=-10V
15~30，25~50,
40~80,70140,120~240，
VcE=20V
VeEa-20V
注：①B档以上的器件第一个测试点的VcE选在Pcu线与Ps/B线的交点处，Vce×Is/s>Pc。②B档以上的器件第二个划试点的Vce>0.9VcE0，此点不应发生二次击穿。0.5
Ic=-0.75A
3CD555
F-1型
铜底座、
3CD556
F-I型
铁底座、
3CD655
S-7型
塑料封装
2380-83