本标准适用于耗散功率为10W的3DD58型NPN硅合金扩散低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。该产品除应符合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定 SJ 770-1974 3DD58型NPN硅合金扩散低频大功率三极管 SJ770-1974 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD58型NPN硅合金扩散
低频大功率三极管
SJ770-74
1、本标准适用于耗散功率为10W的3DD58型NPN硅合金扩放低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应符合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术件件SJ614-73的规定。
3、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139—70的F1型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300-72～SJ314—72的规定。（2）环境试验后考核反向击穿电压BVcEO，BVEBO，反向电流IcEO，饱和压降VcES和电流放大系数HFE，其值应符合参数规范表的规定。
（3）高温贮存试验后考核反向电流IcEO，饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEO增大不超过规范的2倍，VcEs增大不超过规范的1.2倍，HFE相对变化率小于±35%。5、说明：
（1）生产单位应在产品目录（或说明书）中提供频率参数和下列特性曲线：
a、Ic-VcE的关系曲线，
b、IB-VBE的关系曲线；
c、HFE-Ic的关系曲线
d、HFE-T（低温）的关系曲线
一九七四年十月一日实施
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SJ770-74
e、IcEO-T（高温）的关系曲线，f、直流（或脉冲）安全工作区。在提供曲线时，应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。（2）功率管的使用：应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率，热阻，最高结温和壳温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75°C。PcM=
TjM-Te
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3DD58A
3DD58B
3DD58C
8DD58E
试验类别
-75°C
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8DD58型NPN硅合金扩散低频
注：1、色标（点）位置：管帽边缘。2、测试坏境温度：Ta=25°C
BVcEOBVEBO
SJ770-74
大功率三极管电参数规范表
额定功率试验考核标准
试验条件：
功率Pcm值
对变化
电压VCE（或VcB）-10V(A,B档）VcE(或VcB)-25V
（c、DE档）
壳温Tc-75°℃
共4黄第4弄
HFE色标分档
30～40
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