本标准适用于耗散功率为50W的3DD62型和3DD63型NPN硅外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。该产品除应符合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定 SJ 773-1974 3DD62型和3DD63型NPN硅外延平面低频大功率三极管 SJ773-1974 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD62和3DD63型NPN硅外延
平面低频大功率三极管
SJ773-74
1、本标准适用于耗散功率为50W的8DD62和3DD63型NPN硅外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。2、该产品除应符合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定。
8、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139—70,3DD62型为G—3型，3DD63型为F-2型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300—72～SJ314—72的规定。（2）环境试验后考核反向击穿电压BVcEO，BVEBO，反向电流IEO，饱租E降VcES和电流放大系数HFE，共值应符合参数规范表的规定。
（3）高温贮存试验后考核反向电流IcEO，饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEo增大不超过规范的2倍，VcES增火不超过规范的1.2倍，HFE相对变化率小于±35%。5、说明：
（1）生产单位应在产品目录（或说明书）中提供频率参数和下列特性曲线：
a、Ic—VcE的关系曲线；
b、IBVBE的关系线，
C、HFEIc的关系曲线；
一九七四年十月一日实施
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d、Hra一T（低温）的关系曲线；e、IcE）-T（高温）的关系曲线；f、直流（或脉冲）安全工作区。在提供曲线时，应对测试坏境、测试条件等给予必要的说明。（2）功率管的使用：应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率，热阻，最高结温和壳温按下式自行设计，满功率使用时壳温不允许超过75°C。PcM=
TiM-Te
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3DD62A
SDD62B
8DD62c
试验类别
-75°℃
SJ773-74
8DD62和3DD63型NPN硅外延平
BVcEOBVEBO
注：1、色标（点）位置：管相顶端（G型）：管帽边缘（F型）。2、测试环境溢度：Ta=25*G
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面低频大功率三极管电参数规范表数
额定功率试验考核标准
试验条件：
功率为Pcm值
相对变化率小于
电压VcE（或VcB）-10V
壳温Tc-75°C
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HFE色标分档
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