本标准适用于100W的3DD68型和3DD69型NPN硅外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。 SJ 777-1974 3DD68型和3DD69型NPN硅外延平面低频大功率三极管 SJ777-1974 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD68和3DD69型NPN硅外
延平面低频大功率三极管
SJ777-74
1、本标准适用于耗散功率为100W的8DD68和3DD69型NPN硅外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大，电源变换和低速开关的电路中。2、该产品除应符合本标准规定外，还应符合半导体三极管技术条件SJ614一73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合部标准SJ139-70，9DD68为G—4型，8DD69型为F-2型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300—72～SJ314-72的规定。（2）环境试验：
环境试验的抽样方法和考核标准应符合半导体三极管总技术条件第17、18、19条的划定，试验后考核反向击穿电压BVcE0、BVEB0、反向电流IcEO，饱利！E降VcEs和电流放大系数HrE，其值应符合参数规范表的规定。
（8）高温贮存试验：
高温贮存试验的抽样方法和考核标准应符介半导休三极管总技术条件第17、22条的规定。
试验后考核反向电流IcEO，饱和压降VcEs和电流放大系数HFE。要求：IcEo增大不超过规范的2倍，VcEs增大不超过规范的1.2倍，HrE相对变化率小于±35%。
（4）额定功率试验：试验时间为240小时。一九七四年十月一日实施
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额定功率试验的抽样方法应符合半导体三极管总技术条件第17条的规定。试验后考核反向电流IGEO，饱！降VCEs和电流放大系数HrE，其值应符合参数规范表的规定。试验后，不符合半导体三极管总技术条件第12条要求的管子数量不超过1只，则为合格，若有2只管子不合格，则将试验时间延长到480小时，480小时试验后不符合半导体三极管总技术条件第12条要求的管子数量累计不超过2只，则为合格。不格时，应进行双借试验，双倍试验不符合上述规定时，则为不合格。
5、说明：
（1）生产单位应在产品口录（或说明书）中提供频率参数和下列特性曲线：
a、Ic-VcE关系曲线，
b、IBVBE的关系曲线
C、HFE-Ic的关系面线；
d、HrE一T（低温）的关系曲线：e、IcEO-T（高温）的关系曲线：f、直流（或脉冲）安全工作区。在提供曲线时，应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。（2）功率管的使用：应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率、热阻、最高结温和壳温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75°C。PcM=Tm-Tc
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3DD68D
sDD68E
试验类别
-75°℃
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8DD68和8DD69型NPN硅外延平
BVcEoBVEBOwww.bzxz.net
≥150
注：1、色标（点）位置：管帽项端（G型）：管辑边缘（F型）。2、潮试环境渴度；Ta=25°C
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面低频大功率三极管电参数规范表数
额定功率试验考核标准
试验条件：
功率为PCM值
相对变化举
电压VcE（或VcB）-10V
壳温Tc-75°C
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HrE色标分档
10～20
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