SJ 783-1974
基本信息
标准号： SJ 783-1974
中文名称：3DG101型NPN硅外延平面高频小功率三极管
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
发布日期：1974-10-01
实施日期：1974-01-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：302139
标准分类号
中标分类号：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管
关联标准
出版信息
页数：8页
标准价格：8.0 元
相关单位信息
标准简介
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标准内容
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG101型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ783-74
1、本标准适用于8DG101硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
8、外型结构和尺寸应符合SJ139—70的B—1型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155—65~SJ170—65的规定。（2）hFE分档标志：
hrE范围
管顶色
30～60
50~110
90～160
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，应符合参数规范表的规范值。
a)反向电流；
b)饱和压降，
c)电流放大系数；
d)反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按TjM为175°C下进行。一九七四年十月一日实施
JS783-74www.bzxz.net
b）额定功率试验条件：功率为Pcm值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a)ICBO不得大于规范值的两倍：b)hFE的相对变化，不得超过±35%；c)VBES的相对变化，不得超过+20%；d)VcEs的变化不得超过0.1V+VcES初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、Cob的典型值。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a) IB-—VBE,
b)Ic—Vcs
C)BVCEO,BVcBO.--TA,
d)hFE-TA,
e）hFE—Ic,
f)fT-Ic,
g)Kp—Ic,
h)Cob-VcB,
I)IcEO,IcBO-TA.
8DG101A
3DG101B
3DG101C
8DG101D
8DG101E
3DG101F
试验类别
极限参数
SJ783-74
(mW）
3DG101型NPN硅外
≤0.01≤0.0120.011
≤0.35≥30
延平面三极管规范表
Ic-100
Ic-100
SJ783-74
≥300
VcB-10v
Ie-8mA
f-100MHz
VcB-10V
VcB-10V
Ie-3mA
f-100MHz
中华人民共和国第四机械工业部部
3DG101型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ783--74
(补充部份）
1、本标准适用于3DG101硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件281—76的规定。
3、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ13970的B-1型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部标准半导体三极管测试方法SJ155--65~SJ170-65的规定。（2）hr分档标志：
hFe范围
允许测试误差士10%。
80~120
120~180
180~270
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a）、b）、d）、三项应符合参数规定表的规范值，hF的相对变化不得超过士20%。a）反向电流；
b）饱和压降；
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：一九七七年三月实施
3DG101A
3DG101B
3DG101C
3DG101D
3DG101E
3DG101F
试验类别
极限参数
SJ783-—74
3DG101型NPN硅外
40.0150.01
SJ783—74
延平面三极管规范表
Ic-100
Ic-100
Ig=100
YcB=10V
f=100MHz
VcB-10
Vc=10V
Ig=3mA
=100MHz
SJ783-74
a）高温储存试验条件；按Tm为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Pcm值，电压Vcr为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范的两倍：
b）hrm的相对变化，不得超过土40%，c）VBEs的相对变化，不得超过士30%d）VcEs的变化不超过0.2V+Vces初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品日录中提供Kp、Cob的典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IBVBs;
b)Ie-Vcn:
c)BVcco,BVcno-T
d).heE—Ta
e）hgs—Ics
f) fr--Ic;
g) Kp—Ic;
h)Cob-VeBt
I) Ico,IcBo--TA.
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3DG101型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ783-74
1、本标准适用于8DG101硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
8、外型结构和尺寸应符合SJ139—70的B—1型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155—65~SJ170—65的规定。（2）hFE分档标志：
hrE范围
管顶色
30～60
50~110
90～160
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，应符合参数规范表的规范值。
a)反向电流；
b)饱和压降，
c)电流放大系数；
d)反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按TjM为175°C下进行。一九七四年十月一日实施
JS783-74www.bzxz.net
b）额定功率试验条件：功率为Pcm值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a)ICBO不得大于规范值的两倍：b)hFE的相对变化，不得超过±35%；c)VBES的相对变化，不得超过+20%；d)VcEs的变化不得超过0.1V+VcES初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、Cob的典型值。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a) IB-—VBE,
b)Ic—Vcs
C)BVCEO,BVcBO.--TA,
d)hFE-TA,
e）hFE—Ic,
f)fT-Ic,
g)Kp—Ic,
h)Cob-VcB,
I)IcEO,IcBO-TA.
8DG101A
3DG101B
3DG101C
8DG101D
8DG101E
3DG101F
试验类别
极限参数
SJ783-74
(mW）
3DG101型NPN硅外
≤0.01≤0.0120.011
≤0.35≥30
延平面三极管规范表
Ic-100
Ic-100
SJ783-74
≥300
VcB-10v
Ie-8mA
f-100MHz
VcB-10V
VcB-10V
Ie-3mA
f-100MHz
中华人民共和国第四机械工业部部
3DG101型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ783--74
(补充部份）
1、本标准适用于3DG101硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件281—76的规定。
3、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ13970的B-1型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部标准半导体三极管测试方法SJ155--65~SJ170-65的规定。（2）hr分档标志：
hFe范围
允许测试误差士10%。
80~120
120~180
180~270
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a）、b）、d）、三项应符合参数规定表的规范值，hF的相对变化不得超过士20%。a）反向电流；
b）饱和压降；
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：一九七七年三月实施
3DG101A
3DG101B
3DG101C
3DG101D
3DG101E
3DG101F
试验类别
极限参数
SJ783-—74
3DG101型NPN硅外
40.0150.01
SJ783—74
延平面三极管规范表
Ic-100
Ic-100
Ig=100
YcB=10V
f=100MHz
VcB-10
Vc=10V
Ig=3mA
=100MHz
SJ783-74
a）高温储存试验条件；按Tm为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Pcm值，电压Vcr为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范的两倍：
b）hrm的相对变化，不得超过土40%，c）VBEs的相对变化，不得超过士30%d）VcEs的变化不超过0.2V+Vces初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品日录中提供Kp、Cob的典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IBVBs;
b)Ie-Vcn:
c)BVcco,BVcno-T
d).heE—Ta
e）hgs—Ics
f) fr--Ic;
g) Kp—Ic;
h)Cob-VeBt
I) Ico,IcBo--TA.
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。