SJ 784-1974
基本信息
标准号： SJ 784-1974
中文名称：3DG102型NPN硅外延平面高频小功率三极管
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
发布日期：1974-10-01
实施日期：1974-10-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：298747
标准分类号
中标分类号：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管
关联标准
出版信息
出版社：中国电子工业出版社
页数：8页
标准价格：8.0 元
出版日期：1974-10-01
相关单位信息
发布部门：中华人民共和国第四机械工业部
标准简介
本标准适用于3DG102硅NPN平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。 SJ 784-1974 3DG102型NPN硅外延平面高频小功率三极管 SJ784-1974 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG102型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ784-74
1，本标准适用于8DG102硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产晶用干电产设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条作SJ614-73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合SJ139--70的B-1型4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155--65~SJ170-65的规定。（2）hFE分档标志：
hFE范围
管顶色
50~110
90~160
（8）环境试验后，
按顺序测量下列电参数，
的规范值。
a)反向电流；
b)饱和压降，
c)电流放大系数；
d)反向击穿电压。
应符合参数规范表
（4）高温储存和额定功率试验条件：a)高温储存试验条件：按TiM为175°C下进行。一九七四年十月一日实施
SJ784-74
b）额定功率试验条件：功率为Pcm值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a)IcBo不得大于规范值的两倍，b)hFE的相对变化，不得超过±35%；c)VBES的相对变化，不得超过+20%；d)VcEs的变化不得超过0.1V+VcEs初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品自录中提供Kp、Cob的典型值。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB-VBE,
b)Ic-VcE
c)BVCEO、BVCBO--TA;
d)hFE-TA
e)hFE—IC:
f)fT-IC,
g)KP-IC;
h)Cob-VcB
I)ICEO、ICBO-TA。
3DG102A
SDG102B
8DG102C
3DG102D
试验类别
极限参数
(mW)(mA)
SJ784-74
8DG102型NPN硅外
40.120.10.1210.35
1mA1mA
延平面三极管规范表
100μA
100μA
SJ784-74
100μA
VcB-10V
lE-3mA
f-100MHz
VcB-10V
VcB-1eV
IE-3mA
f-100MH2
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG102型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ784—74
(补充部份）
1、本标准适用于3DG102硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281—76的规定。
8、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ139--70的B-1型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部标准半导体三极管测试方法SJ155—65SJ170—65的规定。（2）hFE分档标志：
hre范围
允许测试误差为士10%。
80~120
120~270
180~270
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a）、b）、d）三项应符合参数规范表的规范值，h的相对变化不得超过士20%。a）反向电流；
b）饱和压降：
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压。
（4）高储存和额定功率试验条件：一九七七年三月实施
3DG102M
3DG102A
3DG102B
3DG102C
3DG1021)
试验类别
极限参数
SJ784-74
3DG102型NPN硅
SJ784-74
延平面三极管规范表
Ven=-10V
fm100MHzwwW.bzxz.Net
Vcn=10V
VcB-10V
fsr100MHz
SJ784--74
a）高温储存试验件：按TM为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Pc值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IoBo不得大于规范值的两倍；b）hi的相对变化，不得超过士40%；c）VBEs的相对变化不得超过+30%；d）VcBs的变化不得超过0.2V+Vcs初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单应应在产品目录中提供Kp、Cob的典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a）Ig—VBE!
b）I—Vcat
c) BVco, Bono-TA
d)hn-Ta,
e) hrm--loy
f) fr-Io,
g)Kp-—Io,
h)Cob-VoB;
I)IcEO,IcBO—TA。
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3DG102型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ784-74
1，本标准适用于8DG102硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产晶用干电产设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条作SJ614-73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合SJ139--70的B-1型4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155--65~SJ170-65的规定。（2）hFE分档标志：
hFE范围
管顶色
50~110
90~160
（8）环境试验后，
按顺序测量下列电参数，
的规范值。
a)反向电流；
b)饱和压降，
c)电流放大系数；
d)反向击穿电压。
应符合参数规范表
（4）高温储存和额定功率试验条件：a)高温储存试验条件：按TiM为175°C下进行。一九七四年十月一日实施
SJ784-74
b）额定功率试验条件：功率为Pcm值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a)IcBo不得大于规范值的两倍，b)hFE的相对变化，不得超过±35%；c)VBES的相对变化，不得超过+20%；d)VcEs的变化不得超过0.1V+VcEs初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品自录中提供Kp、Cob的典型值。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB-VBE,
b)Ic-VcE
c)BVCEO、BVCBO--TA;
d)hFE-TA
e)hFE—IC:
f)fT-IC,
g)KP-IC;
h)Cob-VcB
I)ICEO、ICBO-TA。
3DG102A
SDG102B
8DG102C
3DG102D
试验类别
极限参数
(mW)(mA)
SJ784-74
8DG102型NPN硅外
40.120.10.1210.35
1mA1mA
延平面三极管规范表
100μA
100μA
SJ784-74
100μA
VcB-10V
lE-3mA
f-100MHz
VcB-10V
VcB-1eV
IE-3mA
f-100MH2
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG102型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ784—74
(补充部份）
1、本标准适用于3DG102硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281—76的规定。
8、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ139--70的B-1型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部标准半导体三极管测试方法SJ155—65SJ170—65的规定。（2）hFE分档标志：
hre范围
允许测试误差为士10%。
80~120
120~270
180~270
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a）、b）、d）三项应符合参数规范表的规范值，h的相对变化不得超过士20%。a）反向电流；
b）饱和压降：
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压。
（4）高储存和额定功率试验条件：一九七七年三月实施
3DG102M
3DG102A
3DG102B
3DG102C
3DG1021)
试验类别
极限参数
SJ784-74
3DG102型NPN硅
SJ784-74
延平面三极管规范表
Ven=-10V
fm100MHzwwW.bzxz.Net
Vcn=10V
VcB-10V
fsr100MHz
SJ784--74
a）高温储存试验件：按TM为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Pc值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IoBo不得大于规范值的两倍；b）hi的相对变化，不得超过士40%；c）VBEs的相对变化不得超过+30%；d）VcBs的变化不得超过0.2V+Vcs初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单应应在产品目录中提供Kp、Cob的典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a）Ig—VBE!
b）I—Vcat
c) BVco, Bono-TA
d)hn-Ta,
e) hrm--loy
f) fr-Io,
g)Kp-—Io,
h)Cob-VoB;
I)IcEO,IcBO—TA。
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