本标准适用3DG120硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中 SJ 789-1974 3DG120型NPN硅外延平面高频小功率三极管 SJ789-1974 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG120型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ789-74
1、本标准适用于DG120硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614—72的规定。
8、外型结构和尺寸，应符合SJ139—70的B—8型。4技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155-65～SJ170-65的规定。（2）hFE分档标志：
30～60
50~110
90~160
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，应符合参数规范表的规范值
a）反向电
b）饱和压降；
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按TM为175°C下进行。一九七四年十月一日实施
SJ789-74
b）领定功率试验条件：功率为PcM值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范值的两倍；b）hFE的相对变化，不得超过±35%c）VBES的相对变化，不得超过+20%的变化不得超过0.1V+VcESs初·20%。d)VcEs
5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、Cob的典型值。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB—VBE
b)Ic-VcE,
c)BVcEO、BVcBO-TA;
d)hFE-TA;
e)hFE—Ics
f)fr-Ic,
g)Kp-Ic
hCob--VcB
I) ICEO,ICBO-—TA。
极限参数
(mW>mA)
8DG120A
3DG120B
8DG120C
8DG120D
试验类别
SJ789-74
8DG120型NPN硅外延
10.01=0.01≤0.01≤1
40.5≥30
平面三极管规范表
100μA
SJ789-74
100μA
≥150
≥300
VcB-10V
IE-30mA
f-100MHz
VcB-10V
VcB-10v
IE-30mA
f-100MHz
中华人民共和国第四机械工业部部
3DG120型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ789—74
（补充部份）
1、本标准适用于3DG120硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管该产品用于电子设备的高频放大和振荡电线中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ.281-76的规定。
3、外型结构和尺寸，应符合半导体三极管外形尺寸SJ139一70的B—3型。
4，技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部额标准半导体三极管测试方法SJ15565～SJ170-65的规定。（2）h分档标准：
hre范围
允许测试误差为士10%，wwW.bzxz.Net
80~120
120~180
180~270
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a)、b)、d）三项应符合参数规范表的规范值，h的相对变化不得超过土20%。a）反向电流：
b）饱和半降；
）电流放大系数
d）反向反击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：一九七七年三月实施
3DG120A
3DG120B
3DG120C
3DG120D
试验类别
极限参数
SJ789-74
3DG120型NPN硅外延
平面三极管规范表
SJ789-—74
Vcn=10V
Iz-30mA
f=100MHz
VcB-10V
VeB-10V
Ig-30mA
f=100MHz
SJ789-74
a）高温储存试验条件：按Tm为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为PcM值，电压Vo为10。（5）按温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范值的两倍；b）re的相对变化，不得超过士40%，c）VBEs的相对变化，不得超过+30%；d）Vcs的相对变化不得超过0.2V+Vces初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、Cob典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)Ig-VBB
b)IcVce;
e) BVceO- BVcBo--TA:
d)hreTa
e)hr—la,
f) fr-Ior
g) Kp-la;
h)Cob-VcBt
I) IcEO、 IcBo-TA,
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