SJ 790-1974
基本信息
标准号： SJ 790-1974
中文名称：3DG121型NPN硅外延平面高频小功率三极管
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
发布日期：1974-10-01
实施日期：1974-01-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：313739
标准分类号
中标分类号：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管
关联标准
出版信息
出版社：中国电子工业出版社
页数：8页
标准价格：10.0 元
出版日期：1974-01-01
相关单位信息
发布部门：中华人民共和国第四机械工业部
标准简介
本标准适用3DG121硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中 SJ 790-1974 3DG121型NPN硅外延平面高频小功率三极管 SJ790-1974 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG121型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ790-74
1、本标准适用于8DG121硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技木条件SJ614—73的规定。
8、外型结构和尺寸，应符合SJ139-70的B3型。4，技木要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155--65~SJ170--65的规定。（2）hFE分档标志：
50~110
90~160
应符合参数规范表
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，的规范值。
a）反向电流
b）饱和压降；
c）电流放大系数
d）反向赤穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按TjM为175°C下进行一九七四年十月一日实施
SJ790-74
b）额定功率试验条件：功率为PcM值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范值的两倍，b)hFE
的相对变化，不得超过±35%；
C）VBES的相对变化，不得超过+20%，d）VcES的变化不得超过0.1V+VcES初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中提供KP、Cob的典型值。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB—VBE
b)Ic—VcE
c)BVcEO、BVcBO-TA,
d)hFE—TA,
e)hrE—Ic!
f)fr-Ic,
g)Kp-Ic,
h)Cob-VcB,
I）IcEO、IcBO-TA
3DG121A
3DG121B
8DG121C
8DG121D
试验类别
极限参数
(mW）l
SJ790-74
8DG121型NPN硅外
≤0.2≤0.11www.bzxz.net
VcEs!hFE
延平面三极管规范表
100μA
100μA
SJ790-74
100μA
≥300
VcB-10V
Ie-30mA
f-100MHz
VcB-10V
VcB-10V
IE-30mA
f-100MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG121型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ790—74
(补充部份)
1，本标准适用于3DG121硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。当产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ28176的规定。
3、外型结构和尺寸，应符合半导体三极管外形尺寸SJ139一70的B-8型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155-65～SJ170—65的规定。（2）hm分档标志：
hpe范围
允许测试误为士10%。
80~120
120~180
180~270
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a)、b）、d）三项应符合参数规范表的规范值，h的相对变化不得超过士20%。a）反向电流；
b）饱和压降，
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件一九七七年三月实施
3DG121M
3DG121A
3DG121B
3DG121C
3DG121D
试验类别
极限参数
（mw）)ld
SJ790-74
3DG121型NPN硅外
延平面三极管规范表
SI790-70
VcB-10V
Ig=300mA
f100MHz
VeB-10V
Von-10Y
Ig=30mA
f100MHz
SJ790-74
a）高温储存试验条件：按Tm℃为175下进行b）额定功率试验条件：功率为Pcsr值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IoBo不得大于规范值的两倍；b）hr的相对变化，不得超过士40%；c）VBns的相对变化，不得超过+30%；d）Vozs的变化不得超过0.2V+Vans初·20%。5、说明
（1）本标参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、C。的典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)Ig-Ven
b)Ia-Vam,
c)BVcO,BVcB0—Tx
d)hre--Ta,
e)hFm-—lo,
f) fr-Io,
g）Kp-Ior
h)CobVon
I)IBO,IaBO-TA
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3DG121型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ790-74
1、本标准适用于8DG121硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技木条件SJ614—73的规定。
8、外型结构和尺寸，应符合SJ139-70的B3型。4，技木要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155--65~SJ170--65的规定。（2）hFE分档标志：
50~110
90~160
应符合参数规范表
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，的规范值。
a）反向电流
b）饱和压降；
c）电流放大系数
d）反向赤穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按TjM为175°C下进行一九七四年十月一日实施
SJ790-74
b）额定功率试验条件：功率为PcM值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范值的两倍，b)hFE
的相对变化，不得超过±35%；
C）VBES的相对变化，不得超过+20%，d）VcES的变化不得超过0.1V+VcES初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中提供KP、Cob的典型值。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB—VBE
b)Ic—VcE
c)BVcEO、BVcBO-TA,
d)hFE—TA,
e)hrE—Ic!
f)fr-Ic,
g)Kp-Ic,
h)Cob-VcB,
I）IcEO、IcBO-TA
3DG121A
3DG121B
8DG121C
8DG121D
试验类别
极限参数
(mW）l
SJ790-74
8DG121型NPN硅外
≤0.2≤0.11www.bzxz.net
VcEs!hFE
延平面三极管规范表
100μA
100μA
SJ790-74
100μA
≥300
VcB-10V
Ie-30mA
f-100MHz
VcB-10V
VcB-10V
IE-30mA
f-100MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG121型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ790—74
(补充部份)
1，本标准适用于3DG121硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。当产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ28176的规定。
3、外型结构和尺寸，应符合半导体三极管外形尺寸SJ139一70的B-8型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155-65～SJ170—65的规定。（2）hm分档标志：
hpe范围
允许测试误为士10%。
80~120
120~180
180~270
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a)、b）、d）三项应符合参数规范表的规范值，h的相对变化不得超过士20%。a）反向电流；
b）饱和压降，
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件一九七七年三月实施
3DG121M
3DG121A
3DG121B
3DG121C
3DG121D
试验类别
极限参数
（mw）)ld
SJ790-74
3DG121型NPN硅外
延平面三极管规范表
SI790-70
VcB-10V
Ig=300mA
f100MHz
VeB-10V
Von-10Y
Ig=30mA
f100MHz
SJ790-74
a）高温储存试验条件：按Tm℃为175下进行b）额定功率试验条件：功率为Pcsr值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IoBo不得大于规范值的两倍；b）hr的相对变化，不得超过士40%；c）VBns的相对变化，不得超过+30%；d）Vozs的变化不得超过0.2V+Vans初·20%。5、说明
（1）本标参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、C。的典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)Ig-Ven
b)Ia-Vam,
c)BVcO,BVcB0—Tx
d)hre--Ta,
e)hFm-—lo,
f) fr-Io,
g）Kp-Ior
h)CobVon
I)IBO,IaBO-TA
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