SJ 796-1974
基本信息
标准号： SJ 796-1974
中文名称：3DG160型NPN硅平面高频小功率高反压三极管
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
发布日期：1974-10-01
实施日期：1974-10-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：295695
标准分类号
中标分类号：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管
关联标准
出版信息
页数：8页
标准价格：12.0 元
出版日期：1974-10-01
相关单位信息
标准简介
本标准适用于3DG160硅NPN外延平面型高频小功率低噪声高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关高频放大与振荡用。 SJ 796-1974 3DG160型NPN硅平面高频小功率高反压三极管 SJ796-1974 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG160型NPN硅平面高频
小功率高反压三极管
SJ796-74
1、本标准适用于8DG160NPN硅平面型高小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与荡用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定。
8、外型结构和尺寸应符合SJ139—70的B—1型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155-65～SJ170-65的规定。（2）hFE不分档。如需分档，应符合如下规定hrE范围
（8）环境试验后，
的规范值。
50~110
按顾序测量下列电参数，
a）反向电流，
b）饱和压降，
c/）电流放大系数，
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：90~160
应符合参数规范表
a）高温储存试验条件：按TjM为175°C下进行。一九七四年十月一日实施
SJ796-74
b）额定功率试验条件：功率为PcM值，电压VcB为30V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）ICBO
不得大于规范值的两倍，
b）hFE
C)VBES
的相对变化，不得超过±35%；
的相对变化，不得超过+20%，
d)VcEs
的变化不得超过0.1V+VcES初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a）IB-VBE
b)Ic-VcEs
C)BVCEO、BVCBO-TA
d)hFE-TA,
e）hFE-IC。
3DG160A
8DG160B
8DG160C
3DG160D
试验类别
JS796-74
8DG160型NPN硅苹面
高反压三极管规范表
JS796-74
≥300
100μA
交流参数
VcB-10V
IE-2mA免费标准下载网bzxz
f-10MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG160型NPN硅平面高频
小功率高反压三极管
SJ796-74
(补充部份）
1、本标准适用于3DG160NPN硅平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281-76的规定。
3、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ13970的B—1型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155-65~SJ170—65的规定。（2）hF不分档。
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a)、b)、d）三项应合符参数规范表的规范值，h的相对变化不得超过土20%。a）反向电流；
b）饱和压降；
5）电流放大系数
d）反向击穿电压；
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按Tim为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Po值，电压VoB为30V。（5）高温储存和功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范值的两倍；b）hra的相对变化，不得超过士40%，c）Vas的相对变化，不得超过+30%；一九七七年三月实施
3DG160A
3DG160B
8DG160C
3DG160D
试验类别
极限参数
SJ796-74
3DG160型NPN硅平面
Vc-30VVcB=30VVen-1.5VIc-10mAIB-ImA
高反压三极管规范表
Ic-100μA
SJ798-74
交流参数
VcB-10V
fm10MHz
SJ796-74
d）Vcns的变化不得超过0.2V+Vcz初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线；a)I--VBE;
b)IcVcnt
）BVcEO、BYcBo-TA
d) hpx-Ta,
e) hrz-lo。
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3DG160型NPN硅平面高频
小功率高反压三极管
SJ796-74
1、本标准适用于8DG160NPN硅平面型高小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与荡用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定。
8、外型结构和尺寸应符合SJ139—70的B—1型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155-65～SJ170-65的规定。（2）hFE不分档。如需分档，应符合如下规定hrE范围
（8）环境试验后，
的规范值。
50~110
按顾序测量下列电参数，
a）反向电流，
b）饱和压降，
c/）电流放大系数，
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：90~160
应符合参数规范表
a）高温储存试验条件：按TjM为175°C下进行。一九七四年十月一日实施
SJ796-74
b）额定功率试验条件：功率为PcM值，电压VcB为30V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）ICBO
不得大于规范值的两倍，
b）hFE
C)VBES
的相对变化，不得超过±35%；
的相对变化，不得超过+20%，
d)VcEs
的变化不得超过0.1V+VcES初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a）IB-VBE
b)Ic-VcEs
C)BVCEO、BVCBO-TA
d)hFE-TA,
e）hFE-IC。
3DG160A
8DG160B
8DG160C
3DG160D
试验类别
JS796-74
8DG160型NPN硅苹面
高反压三极管规范表
JS796-74
≥300
100μA
交流参数
VcB-10V
IE-2mA免费标准下载网bzxz
f-10MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG160型NPN硅平面高频
小功率高反压三极管
SJ796-74
(补充部份）
1、本标准适用于3DG160NPN硅平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281-76的规定。
3、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ13970的B—1型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155-65~SJ170—65的规定。（2）hF不分档。
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a)、b)、d）三项应合符参数规范表的规范值，h的相对变化不得超过土20%。a）反向电流；
b）饱和压降；
5）电流放大系数
d）反向击穿电压；
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按Tim为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Po值，电压VoB为30V。（5）高温储存和功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范值的两倍；b）hra的相对变化，不得超过士40%，c）Vas的相对变化，不得超过+30%；一九七七年三月实施
3DG160A
3DG160B
8DG160C
3DG160D
试验类别
极限参数
SJ796-74
3DG160型NPN硅平面
Vc-30VVcB=30VVen-1.5VIc-10mAIB-ImA
高反压三极管规范表
Ic-100μA
SJ798-74
交流参数
VcB-10V
fm10MHz
SJ796-74
d）Vcns的变化不得超过0.2V+Vcz初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线；a)I--VBE;
b)IcVcnt
）BVcEO、BYcBo-TA
d) hpx-Ta,
e) hrz-lo。
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