SJ 801-1974
基本信息
标准号： SJ 801-1974
中文名称：3DG181型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管
标准类别：电子行业标准(SJ)
标准状态：现行
发布日期：1974-10-01
实施日期：1974-10-01
出版语种：简体中文
下载格式：.rar.pdf
下载大小：291144
标准分类号
中标分类号：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管
关联标准
出版信息
出版社：中国电子工业出版社
页数：8页
标准价格：10.0 元
出版日期：1974-10-01
相关单位信息
标准简介
本标准适用于3DG181硅NPN外延平面型高频小功率高泛亚半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定 SJ 801-1974 3DG181型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管 SJ801-1974 标准下载解压密码：www.bzxz.net
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标准内容
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG181型NPN硅外延平面高频
小功率高反压三极管
SJ801-74
1、本标准适用于9DG181硅NPN外延平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。
2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614--73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合SJ139—70的B-3型。4、技术要求和试验方法
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155-65~SJ170-65的规定。（2）hFE不分档。如需分档，应符合如下规定：hpE范围
管顶色点
50~11090~160
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，应符合参数规范表
的规范值。
a）反向电流，
b）饱和压降；
c）电流放大系数，
d）反向击穿电压。
温储存和额定功率试验条件：
（4）
一九七四年十月一日实施
SJ801-74
a）高温储存试验条件：按TjM为175°C下进行。b）额定功率试验条件：功率为PcM值，电压VcB为30V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：不得大于规范值的两倍
a）lcBO
b）hFE
的相对变化，不得超过士35%，
c）VBES的相对变化，不得超过+20%，d)VEs
的变化不得超过0.1V+VcES初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区。、3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB-VBE
b)Ic-VcE
c)BVcEO、BVCBO-TA;bzxZ.net
d)hFE-TA
e）hFE—IC。
3DG181A
8DG181B
8DG181C
8DG181D
8DG181E
8DG181F
8DG181G
8DG181H
3DG1811
3DG181J
试验类别
SJ801-74
8DG181型NPN硅外
VcB-30ViVcE-30V
Ic-100
IB-10mA
SJ801-74
延平面高反压三极管规范表
1c-100
≥140
≥140
≥180
≥140
≥220
≥100
VcE-10VIc-100
IB-10mA
Ic-imA
/Ic-100
IE-100
交流参数
≥100
VcB-10
IE-20mA
f-30MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG181型NPN硅外延平面高
频小功率高反压三极管
SJ801-74
(补充部份）
1、本标准适用于3DG181硅NPN外延平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281-76的规定。
8、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ13970的B-8型
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符含部颁标准半导体三极管测试方法SJ155-65~SJ170-65的规定。（2）hFB不分档。
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a）、b)、d）三项应符合参数规范表的规范值，hFE的相对变化不得超过士20%。a）反向电流：
b）饱和压降；
c）电流放大系数：
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件，按TjM为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Po值，电压VcB为30V，（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考协a）ICBO不得大于规范值的两倍；b）hFE的相对变化，不得超过士40%，c）VBBS的相对变化，不得超过+30%；一九七七年三月实施
3DG181A
3DG181B
3DG181C
3DG181D
3DG181E
3DG181F
3DGI8IG
8DG181H
3DG181I
3DG181J
试验类别
极限参数
SJ801—74
3DG181型NPN硅外
Vcg=30V
VcB30y
Ic-100
延平面高反压三极管规范表
Icm100
≥220
Ic=100A
SJ801-74
≥140
Ic=100
Iz=100
交流参数
VcB-10V
Ig20mA
f30MHz
SJ801-74
d）VCES的变化不得超过02V+VCES初·20%，5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区.（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB—VBB,
b) Ic-VcB;
c）BVcEO、BVCBo-TA,
d）hFE—TAi
e）hFE-IC.
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3DG181型NPN硅外延平面高频
小功率高反压三极管
SJ801-74
1、本标准适用于9DG181硅NPN外延平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。
2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614--73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合SJ139—70的B-3型。4、技术要求和试验方法
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155-65~SJ170-65的规定。（2）hFE不分档。如需分档，应符合如下规定：hpE范围
管顶色点
50~11090~160
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，应符合参数规范表
的规范值。
a）反向电流，
b）饱和压降；
c）电流放大系数，
d）反向击穿电压。
温储存和额定功率试验条件：
（4）
一九七四年十月一日实施
SJ801-74
a）高温储存试验条件：按TjM为175°C下进行。b）额定功率试验条件：功率为PcM值，电压VcB为30V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：不得大于规范值的两倍
a）lcBO
b）hFE
的相对变化，不得超过士35%，
c）VBES的相对变化，不得超过+20%，d)VEs
的变化不得超过0.1V+VcES初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区。、3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB-VBE
b)Ic-VcE
c)BVcEO、BVCBO-TA;bzxZ.net
d)hFE-TA
e）hFE—IC。
3DG181A
8DG181B
8DG181C
8DG181D
8DG181E
8DG181F
8DG181G
8DG181H
3DG1811
3DG181J
试验类别
SJ801-74
8DG181型NPN硅外
VcB-30ViVcE-30V
Ic-100
IB-10mA
SJ801-74
延平面高反压三极管规范表
1c-100
≥140
≥140
≥180
≥140
≥220
≥100
VcE-10VIc-100
IB-10mA
Ic-imA
/Ic-100
IE-100
交流参数
≥100
VcB-10
IE-20mA
f-30MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG181型NPN硅外延平面高
频小功率高反压三极管
SJ801-74
(补充部份）
1、本标准适用于3DG181硅NPN外延平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281-76的规定。
8、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ13970的B-8型
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符含部颁标准半导体三极管测试方法SJ155-65~SJ170-65的规定。（2）hFB不分档。
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a）、b)、d）三项应符合参数规范表的规范值，hFE的相对变化不得超过士20%。a）反向电流：
b）饱和压降；
c）电流放大系数：
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件，按TjM为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Po值，电压VcB为30V，（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考协a）ICBO不得大于规范值的两倍；b）hFE的相对变化，不得超过士40%，c）VBBS的相对变化，不得超过+30%；一九七七年三月实施
3DG181A
3DG181B
3DG181C
3DG181D
3DG181E
3DG181F
3DGI8IG
8DG181H
3DG181I
3DG181J
试验类别
极限参数
SJ801—74
3DG181型NPN硅外
Vcg=30V
VcB30y
Ic-100
延平面高反压三极管规范表
Icm100
≥220
Ic=100A
SJ801-74
≥140
Ic=100
Iz=100
交流参数
VcB-10V
Ig20mA
f30MHz
SJ801-74
d）VCES的变化不得超过02V+VCES初·20%，5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区.（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB—VBB,
b) Ic-VcB;
c）BVcEO、BVCBo-TA,
d）hFE—TAi
e）hFE-IC.
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。