本规范规定了２ＣＫ８２型硅开关二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。 SJ 50033.55-1994 半导体分立器件 ２ＣＫ８２型硅开关二极管详细规范 SJ50033.55-1994 标准下载解压密码：www.bzxz.net

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
$1 50033.55—94
半导体分立器件
2CK82型硅开关二级管详细规范
Semiconductor discrete dcviceDetail spccification for type 2CK82silicon switching diode
1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CK82型硅开关二级管详细规范
Senicunduelor diserete GeviceDetail specificalion for type 2CK 82silicon switching diode
1范围
1.1注题内容
本规池规，2K82型硅开关二级管（以下简称器生)的详细要求。1.2适应范围
本挑师适用于靠件约研制、生产和采购。1.3分类
本规英根炉器件质量保证等级进行分类。1. 3.1器件的等级
SJ 50033.55—94
按GJB33半导体分立器件总规范》1.3条的规定，提供质基保证等级为普军，特军和超军二级，分别月字每GP、GT 和GCT表示。？引用文件
GB4023—86半导体分立器件第2整分：整流二级管GB6571一86小助率信号二极管、稳压及基准也压二极管测试方达GR7581--87半导体分立器件外形尺寸GJB 33—85
半导体分立器件总规范
GJB 128--36
半导体分义器件试验方法
3要求
3.1详纠要求
各项要求应按GIB33利本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的没计、结构招外形尺寸应按GJI333和本规范的规定，3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为制包软丝（材料导：108)，引线涂炭应镀锡或漫锅，对引出端另有要求时，中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
TKAoNKAca
可在合同或订货单中规定（见6.3条）。3.2.2器件结构
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在器件芯片的两面和引凸端之可采用高温冶金键合结构，这种器件对玻璃封接非空腔结3.2.3外形尺寸
然形尺寸应符合GB7581中的D2一02A型，见图1H
D2—02A
社：1)L：为引线李曲成角后器件安的最小劾阿长度。图1外形图
3.3最人额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2CK82A
2CK82B
2CK82L:
2CK82D
BCK82E
注：1)Tx>60T时，按1.11mW/线性陷额，降领曲线见图2。2-
55-~1C
-55~175
3.3.2坐要电持生Www.bzxZ.net
T —25C
f- =imA
2CK82A
2CK82B
2CK82C
2CK82D
2CK82E
3.4电测试要求
Fr =10mA
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Vk= VwM
Ve =n Vera
T -125 C
电测试要求应符合GB4023、GB5571改本规的规定3.5标志
fp w Ik
- lomA
Ri-500
J -5.5MHz
V+ =50mv
Vu -ov
标志应符合GJB3和本规范的规定。型号标志可不限丁--行内，制造厂可省略下列标志：制造厂的识别：
b，检验批识别代码。
3.5.1极性标志
器件的负极端应而鲜明的色带标记，以示出器件的极性，4质量保证规定
4.1抽样和捡验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
签定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33的表2和本规范的规定，其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应了以剔除，
筛选(G.S3)表2
3.热冲击
4.恒定速度
6.高温反偏
7.中间电参数视试
5.电老化
3.最后测试
除低温为一55心,循环：0次外，其余同试验条件！不要求
不要求
试验条件A，Vz=V—48h
Vra lsi
I = 1. 5Ie,t = 6h,TA ~ 5 ± 5c表1和A2分组（直流参数），
4Vg=初始值变化的±50mV
2k初始值的100%或20nA，取较人者。TTKAONKACa-
4.4质量-致性检验
SJ 50033.5594
质尊·缴性检验应按GJB33和本规范的规定。4. 4. 1 A 组验验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定法行，1. 4. 2 B 组检验
B组检验应按GJE33和本规范表2的规定进行4. 4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验厅法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1浪涌电流（1ay）
应在二极管正问施加500mA浪涌峰值电流（1rsm）产月这些峰值电流应与平均整流电流（1.）（见3.3.1)选加，采月方波脉冲，脉冲宽度为10m3.占空比为2%，浪涌一次，4.5.2脉冲测试
脉冲测试条件应接GIB128的3.8.2.1的规定。表 1A 组检验
检验或试险
A1分组
机械检验
A2分组
正向电压
正向电
反向电筑
反向嵌复
A3 分组
高温工作；
正向电玉
GJB128
GR6571
直筑法
Ir —ImA
直流法
Ir mlUmA
直流法
Ve = Vewnd
球冲法
f -C. 5MH:
脉冲法
2. 1. 4. 2. 2
IF =10mA
I =1GmA
Rt=500
直流法
ig =10mA
检验或试验
反向电流
保蕴工作：
正向电压
反向电流
检验或试验
GB6571
直流法
Ve = Vawy
TA -- 55 C
直流法
I=10mA
脉减法
SJ 50033. 5594
续表1
Vk VRW (峰值)
表2B组检验
B1分组
可埠唑
标志的耐久性
B2分组
【湿度循环】
最后淡试：
B3分粗
稳态工作寿命
最后测试：
B36 分组
高漩寿命
（非准流态）
最后测试：
分组
浪浦电流
最后测试：
GB 1023
极限值
焊料浸满;T =250=0.5 C,1=E±C. 54受试引出端数;2,没人深度离器件本体2.5mm处
除保温为一55℃，循环10次外·其余同试捡条件F
见表4的步骤1、2和3
I, - 10mA,VR = VrwMf = 5Hz
正兹半坡：t —340h1。
见表 4的步骤 1,2 和 3
Ta =175C.t = 340h
见表4的步1.2和3
IFsM = 25CmA,o = 13mA,p = 10ms,Vr = Vrwm占穿比为2元、浪涵次数：1次、正弦半波死表 4 的步骤 1、2 和 3
TTKAONKAca-
或试验
C1分经
外形尽寸
C2分组
热冲士
（玻璃应力）
引出强度
弯曲试验
综合温度/湿
度质期试验
外观及机越检验
最片测试：
[.3分组
变频振动
最后测试：
C4分组
盐气(要求时)
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
正向电压
反问电液
5交货准备
5.1包装要求
SJ 50033. 5594
表3C组验
见图1
试验条性 B
试验条件A.受试引出端数+2，F=5N、11±3s试验条件E
见表4的步骤1、2和3
加速度：14703m/g*
见获4的步照1.2和3
t 1000a.la=10mA,f =50Hz.Vr =Vrwm见表4的步骤1、2对3
表B组和C组最后测试
GB6511
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
Is -:mA
Vx - Veww
Vr = oV
f =a. EMHz
极限值
5.3运输要求
运输要求,应按GJB 33 的规宗。6说明事项
6.1预定用途
$J 50633. 55—94
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的片实保障月，6.2货文件内容
合间或订单中应载明下列内窄，本现范的名称和缩号；
等级（见1.3.1)；
d。志;
需要时-其它要求
6.3对出材料涤层有特殊要时，应在含间或订单中规定，6.4温度降额业线
Puinwn
附加说明：
本规范由中国电于技术标险化研究所几。150
本现范中济南半导体四厂和中国电子技术标化研筑所起草。小规范土要起草人：下心法、已安良、于恶贤。计划项目代号：B21029。
TTKAONKACa-
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