-
- SJ 50033/88-1995 半导体分立器件 ＣＳ６７６０和ＣＳ６７６２型硅Ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/88-1995
-
- SJ 50033/87-1995 半导体分立器件 ＣＳ４０９１～ＣＳ４０９３型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/87-1995
-
- SJ 50033/86-1995 半导体分立器件 ＣＳ５１１４～ＣＳ５１１６型硅Ｐ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/86-1995
-
- SJ 50033/85-1995 半导体分立器件 ＣＳ１４１型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/85-1995
-
- SJ 50033/84-1995 半导体分立器件 ＣＳ１４０型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/84-1995
-
- SJ 50033/83-1995 半导体分立器件 ＣＳ１３９型硅Ｐ沟道ＭＯＳ增强型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/83-1995
-
- SJ 50033/38-1994 半导体分立器件 ＣＳ４８５６～ＣＳ４８６１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ 50033/38-1994
-
- SJ 20061-1992 半导体分立器件 ＣＳ１４６型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ 20061-1992
-
- SJ 20013-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ 20013-1992
-
- SJ 20012-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ４型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ 20012-1992