本规范规定了CS4型硅N沟道蜡型场效应晶体e(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33-8585《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。级). SJ 20012-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ４型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 SJ20012-1992 标准下载解压密码：www.bzxz.net
本规范规定了CS4型硅N沟道蜡型场效应晶体e(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33-8585《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级）。级).

1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
GP、GT和GCT级
CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationforsiliconN-channeldeplitionmodefield-effecttransistorof typecs4GP,GTandGCT elasses
1.1主题内容
SJ20012-92
本规范规定了CS4型硅N沟道结型场效应晶体管（以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。
中国电子工业总公司1992-02-01发布1992-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ20012—92
外形尺寸应符合GB7581半导体分立器件外形尺寸》中的A301B型及如下规定，见图1
图1外形尺寸
1.3最大额定值
TA=25℃
注：1）Tx>25℃时，按1.33mW/℃的速率线性降额。2
引出端极性：
单位：mm
A3-01B
Tam和Tag
-55~+175
1.4主要电特性（T=25℃）
符号(单位)
Ipss(mA)
VGstan(V)
lyal(μs)
C.） (pF)
测试条件
Vrs=-10V
Vps=10V
Ip=lμA
Vps10V
Ip=3mA
f=30MHz
RG=1MQ
Vps=10V
Ip=3mA
f-1kHz
Vrs=10V
Ip—3mA
f=1MHz
Vps10v
In=3mA
f=1MHz
Vps=10V
Ip=3mA
f-30MHz
注：1）脉冲法（见4.5.1)。
2C档，在VGs=0条件下测试。
2引用文件
SJ20012—92
所有型号
其他型号
所有型号
所有型号
其他型号
最小值
最大值
GB4586--84
GB7581—87
GJB33-85
GJB128—-86
3要求
3.1详细要求
SJ20012—92
场效应晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计结构和外形尺寸
器件的设计结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订货单中应明确规定（见6）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
GJB33表2
3.热冲击
6.高温反偏
7.中间测试
8.电老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
测试或试验
GT和GCT级
低温应为55℃，高温应为+175℃不要求
不要求
IGss1、Inss和|y
本规范表1的A2分组：
AIpss一初始值的士10%；
VGs=-24VVrs0；Ta=150℃
4.4质量-致性检验
△lyl=初始值的士20%
SJ20012--92
质量致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（A）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
栅-源击穿电压
栅-源截止电流
零栅压漏极电流
栅-源截止电压
GJB128
GB4586
瀚源短路
IGs--lμA
漏源短路
VGs---10V
栅源短路
Vns=10V
脉冲法（见4.5.1)
Vps=10V
Ins=lμA
V(BR)GSS
Vos(of)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
A3分组
高温工作：
栅-源截止电流
A4分组
小信号共源短路
正向跨导
小信号共源短路
输入电容
小信号共源短路
反馈电容
小信号共源功率
SJ2001292
续表1A组检验
GB4586
Tamb125℃
漏源短路
VGs= -10V
Vps=10V
Ip=3mA\
脉冲法（见4.5.1)
Vrs=10V
Ip=3mA)
f=1MHz
Vps==10V
Ip=3mA)
f-1MHz
Vns=10V
Ip=3mA)
f-30MHz
LTPD符
极限值
最小值
最大值
检验或试验
共源点噪声系数
A5和A6分组
不适用
A7分组
低温工作：
小信号共源短路
正向跨导
SJ20012-92
续表1A组检验
GB4586
Vns=10V
Ip=3mA)
f=30MHz
RG=1MQ
Tamb=-55℃
Vrs=10V
f=1kHz
脉冲法（见4.5.1）
注：1)C档，在Vc0条件下测试
表2B组检验
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
GJB128
试验条件C，但温度应为
TA—55℃
T=+175℃
极限值
最小值
最大值
检验或试验
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
（高温反偏）
最后测试
B4分组
开幅内部观检
（设计核实）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
（不工作）
最后测试：
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
SJ20012--92
续表2B组检验
GJB128
见表4，步骤1、3和4
TA=150℃
Vos--24V
见表4，步骤2、3、4、5和6
试验条件A
每个器件所有的内部引线
分别进行拉力试验
TA=175℃
见表4，步骤2和6。
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
每批1只器件，0失效
20(Cm0)
检验或试验
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
（当需要进行时）
C5分组此内容来自标准下载网
不适用
C6分组
稳态工作寿命
（高温反偏）
最后测试
栅源截止电流
SJ20012--92
续表3C组检验
GJB128
见表4，步骤1、3和4
见表4，步骤1、3和4
TA=150℃
VGs=-24V
见表4，步骤2，3，4，5和6
表4B组和C组的最后测试
GB4586
漏源短路
Vcs--10V
最小值
入=10
最大值
栅源截止电流
零栅压漏极电流
小信号共源短路
正向跨导
零栅压滞极电流
小信号共源短路
正向跨导
SJ20012—92
续表4B组和C组的最后测试
GB4586
潇源短路
Vcs=-10V
栅源短路
Vps=-10V
脉冲法（见4.5.1）
Vrs-10V
Ip=3mA\
f=1kHz
脉冲法（见4.5.1)
栅源短路
Vps-10V
脉冲法（见4.5..1)
Vps=10V
Ip=3mA)
脉冲法（见4.5.1)
注：1）C挡在Vcs=0条件下测试
5交货准备
最小值
最大值
初始值的士15%
初始值的士25%
包装要求应按GJB33的规定。
说明事项
SJ20012-92
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1）。如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。CS4与厂用型号3DJ7对照：
附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质墅局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：王长福、张宗国、吴志龙、刘美英、。计划项目代号：B91018。
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